韩国媒体NEWSIS于3月14日曝出三星电子否认路透社其将转用MR-RUF方式生产高带宽存储器(HBM)之推测。
实现HBM的关键所在为多层DRAM堆叠,市场主要采用两种键合作程: SK海力士旗下的MR-RUF与三星的TC-NCF方案。前者为反流焊接粘附DRAM,后填塑模具填充间隙;后者则为热压粘连NCF(非导电薄膜)至各DRAM层之间。
随着DRAM层数的增多,晶圆厚度需相应减小但所需力度却增大,可能导致翘曲加剧。因此,据部分分析人士观点,SK海力士采用的MR-RUF方式更有助于控制翘曲问题。
此前路透社报道提及,三星HBM3芯片良率仅10~20%,远逊于SK海力士的60~70%,为此,三星或寻求采购日本企业提供的MR-RUF模具塑料。
对此,三星明确表明路透社此报道不实,公司正采用NCF方案寻找最优解。坊间认为,由于三星在NCF材料研发及产量扩大方面已投入大量资金,故短期内并不宜转换为MR-RUF。IT之家曾报道,三星拟将MR-RUF技术运用于3DS RDIMM产品之中。
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