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电子发烧友网>存储技术>SK海力士并未打算下调DRAM产能 三星依旧占据着DRAM市场绝对领先地位

SK海力士并未打算下调DRAM产能 三星依旧占据着DRAM市场绝对领先地位

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据韩国媒体报导,全球DRAM大厂韩国三星SK海力士及美国美光(Micron)因涉嫌联合操纵DRAM内存价格,于当地时间5月3日遭美国律师事务所以损害消费者权益为由起诉。 NEWS1等韩媒报导称
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SK海力士在业界率先开发出最新高带宽存储器(HBM, High Bandwidth Memory)产品HBM31,公司不仅又一次创造历史,更进一步巩固了SK海力士DRAM市场上的领先地位
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在芯片行业持续衰退的情况下,美国芯片制造商美光科技公司九年来首次超越韩国 SK 海力士公司成为全球动态随机存取存储器 (DRAM) 市场的第二大厂商。 根据台湾市场研究公司 TrendForce
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三星SK海力士存储器库存破表 牵动南亚科、华邦、群联等后市

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三星SK海力士加码半导体设备投资与产量,以缓解行业压力

12月18日,传闻三星SK海力士正筹划于来年加大芯片制造设备的投入,如三星电子预计投注27万亿韩元,SK海力士则计划注入5.3万亿韩元,增幅分别达25%与100%。
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三星与美光第一季DRAM价格涨幅15%~20%

近期,全球DRAM市场风云再起。两大巨头三星SK海力士纷纷宣布增加设备投资和产能,这一举动无疑将对整个市场带来深远的影响。而现在,最新消息表明,DRAM价格有望在2024年第一季度迎来新一轮的上涨,涨幅预计达到15%至20%。
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随着全球半导体市场的复苏,SK海力士认识到,为了保持市场地位,推出更高性能的DRAM产品是必要的。
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三星加大投资提升HBM产能,与SK海力士竞争加剧

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AI需求激增,三星SK海力士计划增产高价值DRAM

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2024-03-06 10:49:491263

刚刚!SK海力士出局!

在基础晶圆上通过硅通孔(TSV)连接多层DRAM,首批HBM3E产品均采用8层堆叠,容量为24GB。SK海力士三星分别在去年8月和10月向英伟达发送了样品。此前有消息称,英伟达已经向SK海力士支付了约合5.4亿至7.7亿美元的预付款,供应下一代HBM3E。 SK海力士三星都在推进12层
2024-03-27 09:12:081225

SK海力士三星电子年内启动1c纳米DRAM内存量产

三星近期在Memcon 2024行业会议中声称,计划于今年底以前实现1c nm工艺的量产。另据行业消息人士透露,SK海力士已确定在第季度实现1c纳米DRAM内存的商业化生产。
2024-04-09 16:53:051425

SK海力士考虑新建DRAM工厂

SK海力士,作为全球领先的内存芯片制造商,正在积极考虑建设一家新的DRAM工厂。这一决策源于其现有的龙仁芯片集群投产计划的推迟,以及对今年内存芯片需求大幅增长的预测。
2024-05-06 10:52:02982

涨价20%!三星SK 海力士将停止供货这类芯片

业界传出,全球前二大DRAM供货商三星SK海力士全力冲刺高带宽内存(HBM)与主流DDR5规格内存,下半年起将停止供应DDR3利基型DRAM,引起市场抢货潮,导致近期DDR3价格飙涨,最高涨幅达二成,且下半年报价还会再上扬。
2024-05-14 10:31:58877

三星电子与SK海力士预测存储芯片市场需求强烈,HBM产能售罄

全球知名存储芯片制造巨头三星SK海力士预判,今年DRAM和高带宽存储器(HBM)价格将持续攀升,受益于市场对于高端芯片,尤其是人工智能相关芯片的强大需求。
2024-05-15 09:23:52983

三星SK海力士未恢复增产并计划限制DRAM产量

 根据行业预估,三星SK海力士有望在今年扩展产量以应对逐步好转的半导体市场环境。然而,他们在今年一季度财政报告会上均表示,DRAM产量可能会受到制约。
2024-05-22 14:49:59971

三星SK海力士DRAM和NAND产量持保守态度

DRAM和NAND芯片的生产上,三星SK海力士两大巨头依然保持谨慎态度。尽管四月份8Gb DDR4 DRAM通用内存的合约价环比上涨,这一上涨主要归因于地震影响美光内存产能,进而推动了通用内存需求的短暂上升。
2024-05-22 14:54:491035

韩国砸26万亿韩元推动芯片产业,三星SK海力士成为最大赢家

韩国发布价值逾26万亿韩元(合约190亿美元)的激励政策,旨在扶持芯片产业,尤其对三星电子及SK海力士等龙头企业意义重大,助其在竞争日趋激烈的市场环境下保持领先地位
2024-05-23 16:03:04960

SK海力士引入创新MOR技术于DRAM生产

SK海力士在半导体领域再次迈出创新步伐,计划在其第6代(1c工艺,约10nm)DRAM的生产中,首次采用Inpria的下一代金属氧化物光刻胶(MOR)。这一突破性的应用标志MOR技术正式进入DRAM量产工艺。
2024-05-30 11:02:581506

SK海力士加大1b DRAM产能以满足市场需求

在全球半导体产业风起云涌的当下,SK海力士再次展现出其前瞻性和决断力。据行业内部消息透露,该公司正积极扩大其第5代1b DRAM的生产规模,以应对当前市场对HBM(高带宽内存)及DDR5 DRAM不断增长的需求。
2024-06-17 16:30:501183

SK海力士扩产1b DRAM,引领存储行业新热潮

在6月17日传来的最新消息中,全球知名的半导体制造商SK海力士正积极布局,大力扩展其第5代1b DRAM的生产规模。这一举措旨在应对日益增长的高带宽内存(HBM)和DDR5 DRAM市场需求,进一步巩固其在存储领域的领先地位
2024-06-17 16:50:021580

SK海力士扩大1b nm DRAM产能以应对HBM3E需求

据韩国媒体报道,为了应对市场对高性能HBM3E(高带宽内存第代增强版)内存的激增需求,全球知名半导体制造商SK海力士已决定大幅增加其1b nm制程DRAM内存产能。这一战略决策旨在确保公司能够稳定供应高质量内存产品,同时进一步巩固其在全球半导体市场领先地位
2024-06-18 16:25:571084

三星SK海力士通用DRAM产线开工率维持80%~90%

在半导体存储行业,三星电子和SK海力士两大韩国巨头一直以其卓越的技术和产能占据市场的重要地位。然而,近期韩媒援引业内人士的消息称,这两大巨头的通用DRAM(动态随机存取存储器)产线开工率目前维持在80%~90%的水平,显示出市场供需之间的微妙平衡。
2024-06-24 11:26:301244

SK海力士五层堆叠的3D DRAM生产良率达到56.1%

)提交了一份关于3D DRAM维动态随机存取存储器)的详细研究论文。该论文不仅揭示了SK海力士在3D DRAM领域取得的显著进展,更向世界展示了其在这一未来存储技术上的坚定决心与卓越实力。
2024-06-24 15:35:291746

三星海力士引领DRAM革新:新一代HBM采用混合键合技术

在科技日新月异的今天,DRAM(动态随机存取存储器)作为计算机系统中的关键组件,其技术革新一直备受瞩目。近日,据业界权威消息源透露,韩国两大DRAM芯片巨头——三星SK海力士,都将在新一代高带宽
2024-06-25 10:01:361486

SK海力士5层堆叠3D DRAM制造良率已达56.1%

在全球半导体技术的激烈竞争中,SK海力士再次展示了其卓越的研发实力与创新能力。近日,在美国夏威夷举行的VLSI 2024峰会上,SK海力士宣布了其在3D DRAM技术领域的最新研究成果,其中5层堆叠的3D DRAM良品率已高达56.1%,这一突破性的进展引起了业界的广泛关注。
2024-06-27 10:50:221473

美光HBM市场雄心勃勃,SK海力士加速应对挑战

雄心勃勃的宣言无疑给当前HBM市场的两大主要竞争对手——SK海力士三星带来了不小的竞争压力,尤其是SK海力士,作为韩国DRAM行业的领军企业,正严阵以待,积极调整策略以应对美光的挑战。
2024-07-03 09:28:591061

市场规模达739.亿美元!三星电子与SK海力士进军化合物功率半导体领域

近日,韩国两大科技巨头三星电子和SK海力士正计划扩展其业务领域,进军功率半导体市场。这一战略举措不仅标志两家公司对未来技术趋势的预判,也是其增强代工业务竞争力的关键步骤。三星电子和SK海力士的这一
2024-07-05 11:11:071203

三星电子与SK海力士加大DRAM与HBM产能,应对AI热潮下的存储需求

在全球人工智能(AI)技术持续升温的背景下,韩国两大存储芯片巨头——三星电子与SK海力士正积极调整生产策略,以应对日益增长且多样化的存储需求。据韩国媒体最新报道,这两家公司正分别在其位于平泽和无锡
2024-07-08 12:54:091248

SK海力士转向4F2 DRAM以降低成本

SK海力士近日宣布了一项重要计划,即开发采用4F2结构(垂直栅)的DRAM。这一决策紧跟其竞争对手三星的步伐,标志SK海力士DRAM制造领域的新探索。SK海力士研究员表示,随着极紫外(EUV
2024-08-14 17:06:431670

SK海力士M16晶圆厂扩产,DRAM产能将增18%

SK 海力士,作为全球知名的半导体巨头,近期宣布了一项重要的扩产计划,旨在通过扩大M16晶圆厂的生产规模,显著提升其DRAM内存产能。据韩媒报道,SK 海力士已积极与上游设备供应商合作,订购了关键生产设备,以加速提升M16晶圆厂在HBM(高带宽内存)及通用DRAM内存方面的生产能力。
2024-08-16 17:32:241920

SK海力士开发出第六代10纳米级DDR5 DRAM

SK海力士宣布了一项重大技术突破,成功开发出全球首款采用第六代10纳米级(1c)工艺的16Gb DDR5 DRAM。这一里程碑式的成就标志SK海力士在半导体存储技术领域的领先地位
2024-08-29 16:39:151255

三星SK海力士及美光正全力推进HBM产能扩张计划

近期,科技界传来重要消息,三星SK海力士及美光大半导体巨头正全力推进高带宽内存(HBM)的产能扩张计划。据预测,至2025年,这一领域的新增产量将激增至27.6万个单位,推动年度总产量翻番至54万个单位,实现惊人的105%年增长率,标志HBM产能的显著飞跃。
2024-08-29 16:43:251771

SK海力士被曝赢得博通 HBM 订单,预计明年 1b DRAM 产能将扩大到 16~17 万片

存储芯片,并将其应用到一家大型科技公司的 AI 计算芯片上。SK 海力士预计将在明年下半年供应该芯片。   由于需要同时向英伟达和博通供应 HBM,SK 海力士肯定会调整其 DRAM 产能预测。这家公司计划
2024-12-21 15:16:46915

SK海力士增产HBM DRAM,应对AI芯片市场旺盛需求

SK海力士今年计划大幅提升其高带宽内存(HBM)的DRAM产能,目标是将每月产能从去年的10万片增加至17万片,这一增幅达到了70%。此举被视为该公司对除最大客户英伟达外,其他领先人工智能(AI)芯片公司需求激增的积极回应。
2025-01-07 16:39:091310

HBM重构DRAM市场格局,2025年首季DRAM市占排名

增长42.5%至267.29亿美元,环比减少8.5%。   然而不可忽视的是,在2025年一季度,SK海力士凭借在HBM领域的绝对优势,终结三星长达四十多年的市场统治地位,以36.7%的市场份额首度登顶全球DRAM市场第一。     其实从2024年SK海力士三星DRAM上的差距就已经开始
2025-05-06 15:50:231221

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