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更小更快更强 三星存储芯片率先进入10nm制程

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2019-03-21 16:43:083840

三星进入蛰伏期:成也存储,失也存储

关键词:三星 , 存储 来源:36氪 三星电子刚刚结束了一个上升周期。 半导体市场研究机构 IC Insights 本周发布的最新报告显示,由于存储芯片(主要包括DRAM和NAND闪存)市场景气周期
2019-03-20 00:56:01357

三星突破DRAM的扩展极限 成功研发10nm级DDR4内存

据消息,作为先进存储器技术的全球领导者,三星电子今(21)日宣布第10纳米级(1z-nm)8GB超高性能和高功效的DRAM(Dynamic Random Access Memory
2019-03-21 17:30:542123

三星电子将开发首款基于第10nm级工艺DRAM内存芯片,下半年量产

三星电子宣布开发出业内首款基于第10nm级工艺的DRAM内存芯片,将服务于高端应用场景,这距离三星量产1y nm 8Gb DDR4内存芯片仅过去16个月。
2019-03-24 11:36:164320

三星10nm工艺DDR4内存下半年量产

关键词:DRAM , DDR4 三星电子宣布开发出业内首款基于第10nm级工艺的DRAM内存芯片,将服务于高端应用场景,这距离三星量产1y nm 8Gb DDR4内存芯片仅过去16个月。量产时间
2019-03-29 07:52:01588

三星电子正在通过扩大更高附加值 减少公司对存储芯片市场的依赖

由于存储芯片的价格波动很大,三星电子正在寻求通过扩大更高附加值,来减少公司对存储芯片市场的严重依赖。
2019-05-29 17:06:491176

三星嵌入式存储芯片 全球量产速度最快

三星最新宣布,已开始量产行业首款eMMC 5.0存储产品。这是全球速度最快的嵌入式存储芯片三星将提供16GB、32GB和64GB种规格的产品。
2019-07-02 11:46:151133

三星首次开发出第10nm级DRAM高级存储

三星电子有限公司(Samsung Electronics)在其官网上发布消息,该公司正式宣布,首次开发了第10nm 制程工艺(1z-nm)8GB 超高性能和高功效的 DRAM(Dynamic Random Access Memory,动态随机存取存储器)。
2019-09-27 17:23:291500

三星率先将HBM存储芯片容量提至24GB

2019年10月7日,三星电子宣布率先在业内开发出12层3D-TSV(硅穿孔)技术。
2019-10-08 11:22:271176

三星量产全球速度最快的嵌入式存储芯片

三星宣布,已开始量产行业首款eMMC 5.0存储产品。这是全球速度最快的嵌入式存储芯片三星将提供16GB、32GB和64GB种规格的产品。
2019-10-18 14:30:401575

三星率先使用3nm,比较5nm性能提升30%能耗降低一半

但在下一代的 3nm 芯片制造工艺方面,台积电可能会有来自三星的挑战,后者拟率先使用这一先进的工艺制造芯片
2020-01-03 14:49:274252

三星3nm制程2022年量产,整体表现比预期好

报道称,与三星电子的5nm工艺相比,3nm制程能将芯片尺寸缩小35%,功耗降低50%,性能提升30%。
2020-01-03 16:18:164372

英伟达安培显卡或基于三星10nm工艺

根据外媒WCCFTECH的报道,爆料消息称英伟达的下一代GPU架构将基于三星10nm制程,而不是之前报道的台积电7nm工艺,据称使用的10nm制程更接近于三星提供的8LPP技术,另外新的Tegra芯片也将使用相同的制程
2020-03-12 16:28:463370

三星再次扩产,专注5nm以上EUV工艺先进制程

北京时间5月21日消息,三星电子周四表示,公司的第六条国内芯片代工生产线已经动工,将生产逻辑芯片三星此举旨在降低对于不稳定的存储芯片领域的依赖。 三星目前正在芯片代工领域挑战更强大的对手台积电
2020-05-21 11:52:244878

三星跳过4nm制程转向3nm制程量产,要真正反超台积电存在诸多挑战

芯片先进制程的赛场上,放眼全球,仅剩台积电、英特尔、三星。目前,台积电和三星在7nm以下的竞争备受关注。根据报道,三星将直接跳过4nm先进制程,转向3nm制程的量产,此举有可能使三星领先于台积电
2020-07-06 15:31:542666

三星将EUV与10nm工艺结合推出LPDDR5内存芯片

EUV,依靠现有的DUV(深紫外光刻)是玩不转的。 有意思的是,三星最近竟然将EUV与相对上古的10nm工艺结合,用于量产旗下首批16Gb容量的LPDDR5内存芯片。 据悉,三星的新一代内存芯片是基于第10nm级(1z)工艺打造,请注意16Gb容量的后缀,是Gb而不是GB,16Gb对应的其实是
2020-09-01 14:00:293544

三星和台积电在5nm先进制程上将进行没有硝烟的战争

25日,三星和台积电在5nm先进制程上同时爆发新闻,没有硝烟的战场上从未停止战争。
2020-08-26 11:43:173555

华为已完成存储芯片的囤货计划,三星Q4净利润或将出现大幅下跌

市调机构TrendForce预计四季度存储芯片的价格将下跌10%,这对于全球存储芯片行业老大三星来说显然并非好消息,三星的净利润或因此而出现大幅下跌。
2020-10-09 11:52:302093

台积电三星3nm制程工艺研发均受阻

2020年,台积电和三星这两大芯片代工商,均把芯片制程工艺提升至5nm,而且更先进的3nm制程也在计划中,不过,最近它们好像都遇到了一些麻烦。
2021-01-12 16:26:532852

三星的8nm与台积电的7nm制程究竟有何不同呢?

这还要从三星正式推出8nm制程说起。2017年5月,三星电子半导体事业部在美国圣克拉拉举行的三星代工论坛上,公布了其未来几年的制程工艺路线图,其中,8nm首次正式亮相。当年10月,三星即宣布已完成8nm LPP工艺验证,具备量产条件。
2021-05-18 14:19:299987

三星要将借助3nm节点超越台积电​明年上半年量产

电子发烧友网报道(文/梁浩斌)在10nm及以下先进制程的竞争中,台积电与三星已经成为了唯二的对手。在2020年5nm实现量产时,同样的Cortex-A76内核在基于三星的5nm制程芯片上,同频功耗
2021-10-12 11:16:232425

三星存储芯片需求持续强劲

三星存储芯片需求持续强劲:近日,三星电子公司正式发布了第四季度的业务数据情况,根据三星公司发布的数据显示三星电子第四季度利润有望创纪录,三星电子的代工业务或将获得未来2年的订单。
2022-01-06 15:14:192127

三星3nm芯片量产 2nm芯片还远吗

三星3nm芯片量产 2nm芯片还远吗 全球第一款正式量产的3nm芯片即将出自三星半导体了,根据三星半导体官方的宣布,4D(GAA)架构制程技术芯片正式开始生产。 4D(GAA)架构制程是3D
2022-06-30 20:21:522069

三星在3nm率先使用GAA 是否更具竞争力

而在台积电3nm量产之前,三星已经在今年6月30日宣布,其采用全环绕栅极晶体管架构的3nm制程工艺,在当日开始初步生产芯片,据外媒报道,三星电子采用3nm工艺代工的首批芯片,定于7月25日出货。台积电、三星的3nm之争似乎已经拉开帷幕。
2022-08-18 11:57:192174

美国可能限制韩企在华制造存储芯片

三星和SK海力士的在华晶圆厂有可能在2023年10月以后不但无法继续进口设备更新产线,也无法再生产更先进存储芯片,包括更先进制程和更高Layer的DRAM和NAND芯片
2023-03-03 10:07:12776

三星存储芯片需求回暖!

美国消费者新闻与商业频道分析,这意味存储芯片市场可能触底回升。按这家媒体说法,三星电子是全球最大的动态随机存取存储芯片制造商。这家企业生产的存储芯片广泛应用于智能手机和电脑等设备。
2023-11-02 16:57:571597

三星电子计划在2026年推出最后一代10nm级工艺1d nm

三星电子在最新的内存产品路线图中透露了未来几年的技术布局。据透露,三星计划在2024年率先推出基于1c nm制程的DDR内存,该制程将支持高达32Gb的颗粒容量,标志着内存性能与密度的双重飞跃。
2024-09-09 17:45:491152

三星芯片代工新掌门:先进与成熟制程并重

与成熟制程的并重发展。他指出,当前三星代工部门最紧迫的任务是提升2nm产能的良率爬坡。这一举措显示了三星先进制程技术领域的决心和实力。 同时,韩真晚也提到了三星电子在GAA工艺方面的领先地位。尽管三星已经率先实现了全球首个GAA工艺,但在先进
2024-12-10 13:40:351257

存储芯片大反弹,三星一季度利润暴涨近10

电子发烧友网报道(文/黄山明)近日,三星电子公布了其2024年第一季度的财报预估数据,显示利润有大幅增长,涨幅近10倍。巨大涨幅的原因主要在于半导体价格,尤其是存储芯片价格的大反弹,这让三星一举扭转
2024-04-08 00:17:004277

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