延续7纳米制程领先优势，台积电支援极紫外光(EUV)微影技术的7纳米加强版(7+)制程将按既定时程于3月底正式量产，而全程采用EUV技术的5纳米制程也将在2019年第2季进入风险试产。 据了解，独家
2019-02-13 10:08:15
5233 电子发烧友网报道（文/周凯扬）作为目前最先进的半导体制造设备，EUV光刻机的诞生是由各个部件在技术上的集体突破才最终成型的，比如光刻胶、掩膜板和镜组等等。但最为关键的还是EUV名号中的极紫外光
2023-02-13 07:04:005882 在9月份召开的“SEMICON Taiwan 2014”展览会上，ASML公司的台湾地区销售经理郑国伟透露，第3代极紫外光（EUV）设备已出货6台。
2014-10-11 09:09:542016 “7纳米是很重要的节点，是生产工艺第一次转向EUV的转折点。三星和台积电都宣布了将采用EUV(极紫外光微影)技术在7纳米，而EUV是摩尔定律能够进一步延续到5纳米以下的关键。” Gartner(中国
2017-01-19 10:15:491818 极紫外光（EUV）微影技术持续取得重大进展。在日前于美国加州圣荷西举行的国际光电工程学会（SPIE）年度会议上，英特尔（Intel）与三星（Samsung）的专家表示，EUV正缓步进展中，但短时间内仍存在相当的障碍，这让任何一家公司都难以公开承诺何时才能开始使用这项技术。
2017-03-02 07:30:362055 
在日前于美国举行的西部光电展（Photonics West）上，业界多家厂商探讨了极紫外光（EUV）微影所需的250W光源、具有发展前景的红外线与近红外线摄影机，以及利用雷射发光二极管（LED）光源进行数据通讯等议题。
2017-03-09 07:50:453123 极紫外 (EUV) 光刻系统是当今使用的最先进的光刻系统。本文将介绍这项重要但复杂的技术。
2023-06-06 11:23:541996 
，购买或者开发EUV光刻机是否必要？中国应如何切实推进半导体设备产业的发展？EUV面向7nm和5nm节点所谓极紫外光刻，是一种应用于现代集成电路制造的光刻技术，它采用波长为10～14纳米的极紫外光作为
2017-11-14 16:24:44
污染物将严重改变受照物体表面的吸收特性。除非另有规定，试验时应当保证样品的清洁，但在评定表面污染物的作用时，有关规范应规定样品表面处理等必要内容；5、紫外光耐气候试验箱湿度在不同湿度条件下，各种材料、涂料
2017-09-07 15:07:23
，光源是ArF（氟化氩）准分子激光器，从45nm到10/7nm工艺都可以使用这种光刻机，但是到了7nm这个节点已经的DUV光刻的极限，所以Intel、三星和台积电都会在7nm这个节点引入极紫外光（EUV
2020-07-07 14:22:55
本文介绍了一种基于AMBE-2000的紫外光语音系统设计。实验证明，紫外光语音通信系统具有低窃听率、低位辨率、全方位、高抗干扰能力、音质优、功耗低等特点。
2021-03-31 06:04:34
原文来源：如何对紫外光老化试验箱的维护保养工作小编：林频仪器 为了使紫外光老化试验箱能过能好的工作，所以我们平时一定要对其进行定期的维护和保养，这样才能让它一直处于良好的工作状态，那我们在平时
2016-09-05 15:05:57
【作者】：吕鹏;刘春芳;张潮海;赵永蓬;王骐;贾兴;【来源】：《强激光与粒子束》2010年02期【摘要】：描述了Z箍缩放电等离子体极紫外光源系统中的主脉冲电源,给出了主电路拓扑结构,重点介绍了三级磁
2010-04-22 11:41:29
的物理现象：一是大气层中的臭氧对波长在200nm到280nm之间的紫外光有强烈的吸收作用，这个区域被叫做日盲区，到达地面的日盲区紫外光辐射在海平面附近几乎衰减为零；另一现象是地球表面的日盲区紫外光被大气
2019-06-18 08:00:06
或评估影响产品耐用性的组成变化等方面有极大的帮助。设备可以极好地预测产品将在户外遭遇的变化。 尽管紫外光（UV）只占阳光的5％，但是它却是造成户外产品耐用性下降的主要光照因素。这是因为阳光的光化学
2017-10-11 15:40:19
荷兰ISTEQ公司TEUS系列EUV光源产品介绍：ISTEQ公司开发了一种基于激光产生等离子体（LPP）的EUV光源。该光源具有极高的亮度和极高的稳定性。它采用可自刷新的材料，无需中断和更换燃料盒
2023-07-05 16:06:24
荷兰ISTEQ公司TEUS系列EUV光源产品介绍：ISTEQ公司开发了一种基于激光产生等离子体（LPP）的EUV光源。该光源具有极高的亮度和极高的稳定性。它采用可自刷新的材料，无需中断和更换燃料盒
2023-07-05 16:16:48
新式半导体光刻技术中，极紫外光刻(EUV)被认为是最有前途的方法之一，不过其实现难度也相当高，从上世纪八十年代开始探寻至今已经将近三十年， 仍然未能投入实用。极紫外光
2010-06-17 17:27:381823 介绍了国内外紫外光通信系统几种紫外光源的发展,并从光谱特点、功率、效率等方面分析了其在紫外光通信中的应用特点。指出了紫外发光二极管(UVED)决定了未来紫外光通信高速、小型
2011-10-17 17:02:10
48 对于逻辑器件、存储器件等主流IC行业，可以利用不同技术实现10nm以下工艺的光刻设备商只有三家：荷兰ASML–EUV（极紫外光）光刻、日本尼康–浸没式DUV（深紫外光）光刻、日本佳能–纳米压印光刻（NIL）
2018-03-24 10:10:001838 
前些天，新闻曝光的中芯国际花了1．2亿美元从荷兰ASML买来一台EUV极紫外光刻机，未来可用于生产7nm工艺芯片，而根据最新消息称，长江存储也迎来了自己的第一台光刻机，国产SSD固态硬盘将迎来重大突破。
2018-06-29 11:24:0010089 三星官网发布新闻稿，三星、高通宣布扩大晶圆代工业务合作，包含高通下一代5G移动芯片，将采用三星7纳米LPP（Low-Power Plus）极紫外光（EUV）制程。 新闻稿指出，通过7纳米LPP
2018-02-23 07:31:561630 纳米电子与数字技术研发创新中心 IMEC 与美国楷登电子( Cadence) 公司联合宣布，得益于双方的长期深入合作，业界首款 3nm 测试芯片成功流片。该项目采用极紫外光刻(EUV)技术。
2018-03-19 15:08:308957 随机变化需要新方法、新工具，以及不同公司之间的合作。 极紫外（EUV）光刻技术正在接近生产，但是随机性变化又称为随机效应正在重新浮出水面，并为这项期待已久的技术带来了更多的挑战
2018-03-31 11:52:006365 台积电为防堵强敌三星在七纳米导入极紫外光（EUV）及后段先进封装，抢食苹果新一代处理器订单，已加速在七纳米强化版导入极紫外光时程。供应链透露，台积电可望年底建构七纳米强化版试产线，进度追平或超前三星，让三星无夺苹机会。
2018-04-08 11:22:001157 Borodovsky在采访中表示，另一个可能导致5nm缺陷的因素是现有的EUV光阻剂材料缺乏均匀度。此外，他还表示支持直接电子束写入，因为EUV使用的复杂相移光罩最终将膨胀至目前浸润式光罩价格的8倍。
2018-04-11 15:59:3712009 
关键层面上首次尝试使用EVU极紫外光刻系统，工艺节点从CLN7FF升级为CLN7FF+，号称晶体管密度可因此增加20%，而在同样密度和频率下功耗可降低10%。 台积电5nm(CLN5)将继续使用荷兰
2018-05-15 14:35:134690 
据《日经亚洲评论》（Nikkei Asian Review）援引消息人士的话称，中国芯片加工企业中芯国际（SMIC）向全球最大的芯片设备制造商——荷兰ASML订购了首台最先进的EUV（极紫外
2018-05-26 01:54:0016411 尽管极紫外光(EUV)步进机的大量生产面临复杂的问题以及紧迫的时间，专家们仍然抱持乐观态度...
2018-06-01 16:01:493352 作为DRAM芯片的龙头企业，三星目前已经能量产10nm级、最大容量16Gb的LPDDR4内存、GDDR5显存和DDR4内存等。据报道，三星悄悄启动了引入EUV（极紫外光）光刻工艺的DRAM内存芯片研发，基于1ynm。
2018-06-25 09:09:001128 台积电明年上半年将独步同业，成为全世界第一家采用最先进的极紫外光（EUV）微影设备完成量产的晶圆代工厂，助攻台积电横扫全球多数第五代行动通讯（5G）及人工智能（AI）关键芯片订单，稳坐全球晶圆代工龙头宝座。
2018-07-23 16:20:003981 
传三星电子（Samsung Electronics）启动采用极紫外光（EUV）微影设备的DRAM生产研发，虽然三星目标2020年前量产16纳米DRAM，不过也有可能先推出17纳米制程产品。
2018-08-17 17:07:22943 继台积电（TSMC）于10月初宣布7nm极紫外光（EUV）芯片首次流片成功后，三星（Samsung）也宣布投片并逐步量产多款7nm极紫外光（EUV）芯片。
2018-10-20 10:52:443845 ，波长越短越好，NA越大越好，这样***分辨率就越高，制程工艺越先进。
现在的EUV***使用的是波长13.5nm的极紫外光，而普通的DUV***使用的是193nm的深紫外光，所以升级到EUV
2018-11-01 09:44:264914 全球三大晶圆代工厂台积电、英特尔、三星，最快将在2019年导入极紫外光微影技术（EUV），值得注意的是，全球可提供EUV光罩盒的业者只有两家，家登是其中之一，且家登已经通过艾司摩尔（ASML）认证，此举无疑宣告，家登今年EUV光罩盒将大出货，公司更透露，接单强劲，目前已有供给告急压力。
2019-01-03 11:16:374799 随着晶圆代工厂台积电及记忆体厂三星电子的7纳米逻辑制程均支援极紫外光（EUV）微影技术，并会在2019年进入量产阶段，半导体龙头英特尔也确定正在开发中的7纳米制程会支援新一代EUV技术。
2019-01-03 11:31:594496 ，导致成本显著上升及良率、产出下降等问题。根据相关企业的规划，在7/5nm节点，芯片生产将导入极紫外（EUV）光刻技术，EUV光刻使用13.5nm波长的极紫外光，能够形成更为精细的曝光图像。芯片厂商计划将
2019-01-27 10:33:555103 
将光刻技术转移到EUV波段意味着材料和光源的巨大变化。新的13.5纳米EUV等离子体光源取代了193纳米波长的紫外激光器。光子能量随着波长的减小而增加，因此来自激光驱动的新型等离子体EUV光源的每个光子所携带的能量是来自旧激光光源的光子的14倍。
2019-03-16 10:32:216459 晶圆代工龙头台积电支援极紫外光（EUV）微影技术的7+纳米进入量产阶段，竞争对手韩国三星晶圆代工（Samsung Foundry）亦加快先进制程布局，包括8纳米及7纳米逻辑制程进入量产后，今年将推进
2019-03-18 15:21:003243 国内知名关键性贵重材料之保护、传送及储存解决方案整合服务商家登日前正式发布新一代EUV极紫外光光罩传送盒G/GP Type同时获全球最大半导体设备商ASML认证，G/GP Type 版本可用于NXE:3400B，家登加速进入EUV微影技术先进裂程，大量制造全面启航。
2019-03-20 10:21:456676 ***（深紫外光）以及EUV***（极紫外光）。工艺制程还在28nm徘徊时，DUV***无疑是最佳的选择，但是随着工艺制程的升级，想要迈向更小的线路，就只能使用EUV光刻工艺。
目前最先
2019-04-03 17:26:555258 台积电指出，5nm制程将会完全采用极紫外光(EUV)微影技术，因此可带来EUV技术提供的制程简化效益。5nm制程能够提供全新等级的效能及功耗解决方案，支援下一代的高端移动及高效能运算需求的产品。目前，其他晶元厂的7nm工艺尚举步维艰，在5nm时代台积电再次领先。
2019-04-04 16:05:572113 台积电官方宣布，已经开始批量生产7nm N7+工艺，这是台积电第一次、也是行业第一次量产EUV极紫外光刻技术，意义非凡。
2019-05-28 16:18:244210 继台积电、三星晶圆代工、英特尔等国际大厂在先进逻辑制程导入极紫外光（EUV）微影技术后，同样面临制程微缩难度不断增高的DRAM厂也开始评估采用EUV技术量产。三星电子今年第四季将开始利用EUV技术生产1z纳米DRAM，SK海力士及美光预期会在1α纳米或1β纳米评估导入EUV技术。
2019-06-18 17:20:313118 现在EUV极紫外光已经提升过一次了。
之前ASML公布的新一代EUV***的量产时间是2024年，不过最新报道称下一代EUV***是2025年量产，这个时间上台积电、三星都已经量产3nm工艺了
2019-07-13 09:40:166549 台积电近日宣布，已经开始了7nm+ EUV工艺的大规模量产，这是该公司乃至整个半导体产业首个商用EUV极紫外光刻技术的工艺。作为EUV设备唯一提供商，市场预估荷兰ASML公司籍此EUV设备年增长率将超过66%。这个目标是否能实现？EUV工艺在发展过程中面临哪些挑战？产业化进程中需要突破哪些瓶颈？
2019-10-17 15:57:302816 截至目前，华为麒麟990 5G是唯一应用了EUV极紫外光刻的商用芯片，台积电7nm EUV工艺制造，而高通刚发布的骁龙765/骁龙765G则使用了三星的7nm EUV工艺。
2019-12-18 09:20:0317038 三星宣布，位于韩国京畿道华城市的V1工厂已经开始量产7nm 7LPP、6nm 6LPP工艺，这也是全球第一座专门为EUV极紫外光刻工艺打造的代工厂。
2020-02-21 16:19:052868 当前在芯片制造中最先进的EUV（极紫外光刻）工艺被三星率先用到了DRAM内存颗粒的生产中。
2020-03-25 15:40:482409 韩国三星电子于25日宣布,已经成功出货100 万个极紫外光刻技术(EUV)生产的业界首款10nm级DDR4 DRAM 模组,将为高端PC、移动设备、企业服务器和数据中心应用等提供更先进EUV制程技术产品,开启新里程碑。
2020-03-29 14:39:282880 
芯片加工精度取决于光刻机光线的波长，光线波长越小，芯片精度越高。随着摩尔定律发展，芯片制造迈进10nm节点，波长13.4nm的EUV（极紫外光）就成为唯一的选择。
2020-07-20 09:27:172725 CFan曾在《芯希望来自新工艺！EUV和GAAFET技术是个什么鬼？》一文中解读过EUV（极紫外光刻），它原本是用于生产7nm或更先进制程工艺的技术，特别是在5nm3nm这个关键制程节点上，没有
2020-09-01 14:00:293544 台媒称，翔名切入台积电5nm极紫外光（EUV）光罩盒表面处理业务，与EUV光罩盒大厂接洽合作机会，以独家专利无电镀镍（ENP）表面处理技术来提升产品良率，目前该光罩盒厂正进行评估测试，未来获台积电EUV制程指定产品入场门票机会大增。
2020-07-24 17:27:201025 据中国台湾经济日报报道，三星（Samsung）明年可能导入极紫外光（EUV）技术生产内存，美光（Micron）企业副总裁、中国台湾美光董事长徐国晋表示，美光不打算跟进，目前并无采用 EUV 计划
2020-10-12 09:36:182071 光刻机，在整个芯片生产制造环节，是最最最核心的设备，技术难度极高。在全球光刻机市场，日本的尼康、佳能，和荷兰的ASML，就占据了市场90%以上份额。而最高级的EUV（极紫外光）技术，则更是只有荷兰的ASML一家可以掌握。
2020-10-17 09:49:454287 
根据韩国媒体《BusinessKorea》的报道，日前三星电子副董事长李在镕前往荷兰拜访光刻机大厂ASML，其目的就是希望ASML的高层能答应提早交付三星已经同意购买的极紫外光光刻设备（EUV）。
2020-10-24 09:37:303414 日前三星电子副董事长李在镕前往荷兰拜访光刻机大厂ASML，其目的就是希望ASML 的高层能答应提早交付三星已经同意购买的极紫外光光刻设备（EUV）。
2020-10-24 09:39:062041
11月5日，世界***巨头荷兰阿斯麦ASML亮相第三届进博会。作为全球唯一能生产EUV（极紫外光）***的企业，由于ASML目前仍不能向中国出口EUV***，所以此次展示的是其DUV（深紫外光
2020-11-06 11:27:466418 中国需要光刻机，尤其是支持先进制程的高端光刻机。具体来说，就是 EUV （极紫外光源）光刻机。
2020-11-11 10:13:305279 
体上，三分之二的调查参与者认为这将产生积极的影响。前往EUV时，口罩的数量减少了。这是因为EUV将整个行业带回单一模式。具有多个图案的193nm浸入需要在高级节点处使用更多的掩模。
2020-11-23 14:42:091584 三星电子近期为争抢极紫外光（EUV）设备，高层频频传出密访ASML。继三星电子副会长李在镕（Lee Jae-yong）10月亲自赴荷兰拜会ASML执行长Peter Wennink后，又再度传出
2020-12-02 15:25:392343 自从芯片工艺进入到7nm工艺时代以后，需要用到一台顶尖的EUV光刻机设备，才可以制造7nm EUV、5nm等先进制程工艺的芯片产品，但就在近日，又有外媒豪言：这种顶尖的EUV极紫外光刻机，目前全球
2020-12-03 13:46:227524 根据韩国媒体《Etnews》报导指出，目前全球3大DRAM存储器中尚未明确表示采用EUV极紫外光刻机的美商美光（Micron），因日前招聘网站开始征求EUV工程师，揭露美光也在进行EUV运用于DRAM先进制程，准备与韩国三星、SK海力士竞争
2020-12-25 14:33:101952 美国美光科技开始提速EUV DRAM。加入到三星电子、SK海力士等全球第一、第二EUV厂商选择的EUV阵营后，后续EUV竞争或将更为激烈。
2020-12-25 14:43:132324 :5000系列的数值孔径，将提高到0.55，阿斯麦目前已推出的TWINSCAN NXE:3400B和NXE:3400C这两款极紫外***，数值孔径为0.33。
在不久前举办的线上活动中，欧洲微电子
2020-12-29 11:00:102186 EUV（极紫外光）光刻机，是目前半导体产业已投入规模生产使用的最先进光刻机类型。近来，有不少消息都指出，EUV光刻机耗电量非常大，甚至它还成为困扰台积电的一大难题。 为何EUV光刻机会这么耗电呢
2021-02-14 14:05:004746 半导体必不可少的“光刻”机器，在摩尔定律即将发展到尽头的现在，可以说，得EUV者得先进工艺。虽然在EUV相关设备市场中，荷兰ASML垄断了核心光刻机，但在“极紫外光刻曝光”周边设备中，日本设备厂家的存在感在逐步提升，尤其在检测、感光材料涂覆、成像等相关设备方面，日本的实力也是不容忽视的。
2021-01-16 09:43:113120 日本半导体测试设备厂商Lasertec正在借助占世界最大份额的EUV（极紫外）测试设备持续增长。极紫外光刻机生产的半导体有望实现量产，支持极紫外的测试设备的需求也正在扩大。Lasertec专注于
2021-01-25 14:22:032849 2600万片晶圆采用EUV系统进行光刻。随着半导体技术的发展，光刻的精度不断提高，2021年先进工艺将进入5nm/3nm节点，极紫外光刻成为必修课，EUV也成为半导体龙头厂商竞相争夺采购的焦点。未来，极紫外光刻技术将如何发展？产业格局如何演变？我国发展半导体产业应如何解决光刻技术的难题？
2021-02-01 09:30:233645 哈工大在国家急需时刻从不缺席，现在国家急需光刻机。哈工大的DPP-EUV光源出来，真的是史诗级成果，一流大学就应该有世界顶尖水平，这是哈工大在超精密加工，超精密测量领域几十年积累的结果！ 中科院
2021-02-01 10:41:4731333 就在几天前，清华大学团队联合德国的研究机构实验证实了「稳态微聚束」(steady-state microbunching, SSMB)光源。这个光源的波长可以从太赫兹覆盖到极紫外波段，或许能成为EUV光刻机新的光源技术。
2021-03-30 10:43:089751 
模拟的环境中试验几天或几周的时间，可再现户外可能几个月或几年发生的损坏。 U4000V紫外光加速老化试验机中，紫外灯的荧光紫外等可以再现阳光的影响，冷凝和水喷淋系统可以再现雨水和露水的影响。整个的测试
2021-06-02 15:22:051003 刻机），中方希望将这款价值1.5亿美元的机器用于大陆芯片制造。 这款180吨重、售价1.5亿美元的设备是艾司摩尔招牌产品，称为「极紫外光（EUV）微影系统」，是制造最先进微处理器必需。英特尔、三星电子、台积电等公司都使用EUV设备，生产用于智慧手机、
2021-07-21 16:52:252514 光刻机设备（极紫外光刻机），中方希望将这款价值1.5亿美元的机器用于大陆芯片制造。 这款180吨重、售价1.5亿美元的设备是艾司摩尔招牌产品，称为「极紫外光（EUV）微影系统」，是制造最先进微处理器必需。英特尔、三星电子、台积电等公司都使用EUV设备，生
2021-07-25 17:35:153479 目前，光刻机主要分为EUV光刻机和DUV光刻机。DUV是深紫外线，EUV是非常深的紫外线。DUV使用的是极紫外光刻技术，EUV使用的是深紫外光刻技术。EUV为先进工艺芯片光刻的发展方向。那么duv
2022-07-10 14:53:1087066 光刻机的原理是接近或接触光刻，通过无限接近，将图案复制到掩模上。直写光刻是将光束聚焦到一个点上，通过移动工作台或透镜扫描实现任意图形处理。投影光刻是集成电路的主流光刻技术，具有效率高、无损伤等优点。 EUV光刻机有光源系统、光学镜头、双工
2022-07-10 15:28:1018347 EUV 光刻是以波长为 10-14nm 的极紫外光作为光源的芯片光刻技术，简单来说，就是以极紫外光作“刀”，对芯片上的晶圆进行雕刻，让芯片上的电路变成人们想要的图案。
2022-10-10 11:15:027389 EUV要解决的不仅是波长问题，更重要的是，ASML的LPP EUV光源中，激光器需要达到20kW的功率，而这样的发射功率经过重重反射，达到焦点处的功率却只有350W左右。
2023-02-17 12:44:078863 DUV是深紫外线（Deep Ultraviolet Lithography），EUV是极深紫外线（Extreme Ultraviolet Lithography）。前者采用极紫外光刻技术，后者采用深紫外光刻技术。
2023-03-20 14:23:2413751 需要明确什么是EUV光刻机。它是一种采用极紫外线光源进行曝光的设备。与传统的ArF光刻机相比，EUV光刻机可以将曝光分辨率提高到7纳米以下的超高级别，从而实现更高清晰度和更高性能的芯片制造。
2023-05-22 12:48:374919 随着光刻技术的进步，光刻光源的曝光波长已经减小很多。早期投影式光刻技术的曝光波长为436nm、365nm （分别来自于汞弧灯可见光g线和紫外光i线），所制造的集成电路特征尺寸为600nm或更大。
2023-06-01 10:19:003391 
极紫外光刻的制约因素
耗电量高极紫外线波长更短，但易被吸收，可利用率极低，需要光源提供足够大的功率。如ASML 3400B光刻机，250W的功率，每天耗电达到三万度。
生产效率仍不
2023-06-08 15:56:421359 
上海伯东日本 Atonarp Aston™ 过程质谱分析仪通过快速, 可操作, 高灵敏度的分子诊断数据实现了更佳的反射板镀锡层清洁, 并且 Aston™ 过程质谱的实时氢气 H2 监测也降低了每个 EUV 工具的氢气消耗
2023-06-20 17:18:431032 
紫外光刻和曝光 是半导体行业生产各种高端芯片、微观电路结构的核心技术。在紫外光刻过程中，光源发射的紫外线通过掩模上的微小透镜或光栅，然后投射到光刻胶层上，形成所需的微细图案。 长期以来
2023-07-05 10:11:242795 
EUV（Extreme Ultraviolet）光刻机是一种高级光刻设备，用于半导体制造业中的微电子芯片生产。EUV光刻机是目前最先进的光刻技术之一，它采用极端紫外光作为曝光光源，具有更短的波长
2023-07-24 18:19:472366 EUV掩膜，也称为EUV掩模或EUV光刻掩膜，对于极紫外光刻（EUVL）这种先进光刻技术至关重要。EUV光刻是一种先进技术，用于制造具有更小特征尺寸和增强性能的下一代半导体器件。
2023-08-07 15:55:021237 据本文介绍，锡液滴发生器是激光等离子型极紫外线（lpp-euv）光刻光源中最重要的核心部件之一。锡液滴目标具有高反复频率，小直径和稳定性好的特性。这篇论文显示了上海光仪器euv光源组最近对水滴发生器的研究发展，包括水滴的直径、重复频率、间隔、位置及稳定性等。
2023-09-05 10:27:172789 实现深紫外光通信的一个关键器件是深紫外光源。早期深紫外光源利用高压汞灯实现，但汞灯的调制带宽非常小，这严重影响了深紫光通信的传输速率。
2023-09-05 11:13:001718 
近20年来，EUV光源、EUV掩模和EUV光刻胶一直是EUV光刻的三大技术挑战。
2023-09-14 09:45:122263 
EUV 光是指用于微芯片光刻的极紫外光，涉及在微芯片晶圆上涂上感光材料并小心地将其曝光。这会将图案打印到晶圆上，用于微芯片设计过程中的后续步骤。
2023-10-30 12:22:555084 据悉，asml是唯一的极紫外光刻工具供应商，极紫外线刻印工具是世界上最先进的芯片制造机器，每台价值数亿美元。euv设备是数十年研究和投资的产物，是大规模生产最快、能源效率最高的芯片所必需的。
2023-11-06 09:29:321272 目前，商用EUV光刻机采用激光等离子体型-极紫外（LPP-EUV）光源系统，主要由驱动激光器、液滴锡靶、收集镜组成。
2024-02-21 10:18:482915 
近日，日本冲绳科学技术大学院大学（OIST）发布了一项重大研究报告，宣布该校成功研发出一种突破性的极紫外（EUV）光刻技术。这一创新技术超越了当前半导体制造业的标准界限，其设计的光刻设备能够采用更小巧的EUV光源，并且功耗仅为传统EUV光刻机的十分之一，从而实现了能源消耗的显著降低。
2024-08-03 12:45:362296 自然界中存在多种紫外光谱，人工紫外光源包括气体放电、超高温辐射体和半导体光源。常用紫外光源有高压汞灯、氙灯、氪灯、氘灯、紫外LED和准分子激光器等，各有特定波长、工作电压和光功率。
2024-10-25 14:10:261982 据日经亚洲 12 月 19 日报道，Rapidus 成为日本首家获得极紫外 (EUV) 光刻设备的半导体公司，已经开始在北海道芯片制造厂内安装极紫外光刻系统。 它将分四个阶段进行安装，设备安装预计在
2024-12-20 13:48:201498 
本文简单介绍了极紫外光（EUV）掩膜版的相关知识，包括其构造与作用、清洗中的挑战以及相关解决方案。
2024-12-27 09:26:161308 芯片制造、价值1.5亿美元的极紫外（EUV，https://spectrum.ieee.org/tag/euv）光刻扫描
2025-01-09 11:31:181280 光源技术方面 EUV光源的波长仅为13.5纳米，远远小于可见光，因此产生和维持如此短波长光源的难度极大。 目前，最成熟的EUV光源是由高纯度锡产生的高温等离子体产生的。固体锡在液滴发生器内熔化，该仪器在真空室中每分钟连续产生超过300万个27µm的液滴。平均功率为
2025-02-18 09:31:242258 
极紫外光刻（EUVL）技术作为实现先进工艺制程的关键路径，在半导体制造领域占据着举足轻重的地位。当前，LPP-EUV 光源是极紫外光刻机所采用的主流光源，其工作原理是利用波长为 10.6um 的红外
2025-07-22 17:20:36957 
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