三星宣布全面导入EUV 预计12英寸晶圆生产率将翻番
当前在芯片制造中最先进的EUV（极紫外光刻）工艺被三星率先用到了DRAM内存颗粒的生产中。
这家韩国巨头今日宣布，已经出货100万第一代10nm EUV级（D1x）DDR4 DRAM模组，并完成全球客户评估，这为今后高端PC、手机、企业级服务器等应用领域开启新大门。
得益于EUV技术，可以在精度更高的光刻中减少多次图案化的重复步骤，并进一步提升产能。
三星表示，将从第四代10nm级（D1a）DRAM或高端级14nm级DRAM开始全面导入EUV，明年基于D1a大规模量产DDR5和LPDDR5内存芯片，预计会使12英寸晶圆的生产率翻番。
不过，目前支持DDR5的PC平台尚未亮相，LPDDR5倒是已经逐渐铺开。三星量产的第一代EUV DDR5 DRAM单芯片容量为16Gb（2GB），地点是平泽市的V2线。
根据三星此前的预判，EUV将帮助公司至少推进到3nm尺度。
责任编辑：wv
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
三星电子
+关注
关注
34文章
15897浏览量
183241 -
晶圆
+关注
关注
53文章
5451浏览量
132812 -
EUV
+关注
关注
8文章
615浏览量
88985
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
北方华创发布12英寸芯片对晶圆混合键合设备Qomola HPD30
北方华创近日发布12英寸芯片对晶圆（Die to wafer，D2W）混合键合设备——Qomola HPD30。
韩系大厂功率GaN代工进入量产阶段，Fabless要崛起？
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）近日业界传出三星电子功率GaN晶圆代工产线即将投产，其8英寸GaN产线已进入量产前准备阶段，预计最早将在今年第
被断供之后，安世中国宣布12英寸平台成功验收
晶体管、二极管等，是各类电子系统的基础器件。而安世中国此次小批量生产的 12英寸晶圆双极分立器件，并非从原有的8
产能告急！2026年8英寸芯片价格最高暴涨20%
的并非大尺寸晶圆，而是以8英寸晶圆代工为主的成熟代工。 成熟代工集体涨价 据市场调研机构TrendForce发布的最新报告显示，全球
12英寸碳化硅外延片突破！外延设备同步交付
电子发烧友网综合报道 ， 短短两天内，中国第三代半导体产业接连迎来重磅突破。12月23日，厦门瀚天天成宣布成功开发全球首款12英寸高质量碳化
三星电子扩充2026年Micro RGB电视产品线
三星电子宣布其将于2026年推出全新升级的Micro RGB电视产品线，涵盖65英寸级、75英寸级、85英寸级、100
重大突破！12 英寸碳化硅晶圆剥离成功，打破国外垄断！
了国内相关技术应用的空白，更为第三代半导体关键制造装备的国产化进程注入了强大动力，同时也为全球碳化硅产业突破成本瓶颈、提升生产效率开辟了创新路径。 此前，该激光剥离技术已在6英寸、8英寸
12英寸碳化硅衬底，会颠覆AR眼镜行业？
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）今年以来，各家厂商都开始展示出12英寸SiC产品，包括晶锭和衬底，加速推进12英寸SiC的产业化。最近，天成半
不同晶圆尺寸清洗的区别
不同晶圆尺寸的清洗工艺存在显著差异，主要源于其表面积、厚度、机械强度、污染特性及应用场景的不同。以下是针对不同晶圆尺寸（如2英寸、4
Cadence扩大与三星晶圆代工厂的合作
楷登电子（美国 Cadence 公司，NASDAQ：CDNS）近日宣布扩大与三星晶圆代工厂的合作，包括签署一项新的多年期 IP 协议，在三星
评论