引言 光刻胶又称“光致抗蚀剂”或“光阻剂”，被广泛应用于光电信息产业的微细图形线路的加工制作，是微纳制造技术的关键性材料。 光刻胶是光刻工艺最重要的耗材，其性能决定了加工成品的精密程度和良品率
2022-04-25 17:35:22
9351 
了光刻剂。但重大挑战仍然存在，部分原因是去除率不足以首先在半导体制造业中使用微气泡。因此，我们需要通过明确了解微气泡去除光刻抗蚀剂层的功能机制，来提高微气泡的去除能力。本研究的目的是阐明微气泡对光刻胶层表面的影响。
2022-01-10 11:37:131396 
光刻胶为何要谋求国产替代？中国国产光刻胶企业的市场发展机会和挑战如何？光刻胶企业发展要具备哪些核心竞争力？在南京半导体大会期间，徐州博康公司董事长傅志伟和研发总监潘新刚给我们带来前沿观点和独家分析。
2022-08-29 15:02:235918 
，增幅11.11%。 截图自企查查 光刻胶是芯片制造中光刻环节的重要材料，目前主要被日美把控，国内在光刻胶方面投入研制的厂商主要晶瑞股份、南大光电、上海新阳、徐州博康、北京科华等，那么华为投资的徐州博康在光刻胶方面有何优势，国内厂商在光
2021-08-12 07:49:005381 电子发烧友原创 章鹰 近日，全球半导体市场规模增长带动了上游半导体材料旺盛需求，“光刻胶”的突破也成为国内关注焦点。正当日本光刻胶企业JSR、东京应化和美国Lam Research在EUV光刻胶
2022-08-31 07:45:002718 一、光刻胶的选择光刻胶包括两种基本的类型：正性光刻和负性光刻，区别如下
2021-01-12 10:17:47
数量级范围。光刻技术成为一种精密的微细加工技术。 常规光刻技术是采用波长为2000～4500埃的紫外光作为图像信息载体，以光致抗蚀剂为中间（图像记录）媒介实现图形的变换、转移和处理，最终把图像信息
2012-01-12 10:51:59
，之后经过物镜投射到曝光台，这里放的就是8寸或者12英寸晶圆，上面涂抹了光刻胶，具有光敏感性，紫外光就会在晶圆上蚀刻出电路。 而激光器负责光源产生，而光源对制程工艺是决定性影响的，随着半导体工业节点
2020-07-07 14:22:55
SU-8光刻胶 SU-8光刻胶克服了普通光刻胶采用UV光刻深宽比不足的问题，在近紫外光（365nm-400nm）范围内光吸收度很低，且整个光刻胶层所获得的曝光量均匀一致，可得到具有垂直侧壁和高深宽比
2018-07-12 11:57:08
。光刻机的曝光波长也在由紫外谱g线 (436nm)→i线(365nm)→248nm→193nm→极紫外光（EUV）→X射线，甚至采用非光学光刻（电子束曝光、离子束曝光），光刻胶产品的综合性能也必须随之
2018-08-23 11:56:31
光刻胶也称为光致抗蚀剂，是一种光敏材料，它受到光照后特性会发生改变。光刻胶主要用来将光刻掩膜版上的图形转移到晶圆片上。光刻胶有正胶和负胶之分。正胶经过曝光后，受到光照的部分变得容易溶解，经过显影后被
2019-11-07 09:00:18
这是我的版图一部分，然后生成了图案是这样的： 感觉间距小的地方全都有残留，间距大的地方没有残留；工艺参数：s9920光刻胶， evg 620‘未进行蒸汽底漆层涂覆，前烘：100摄氏度，90s
2016-11-29 14:59:18
电介质和滤波应用的旋涂材料 PC3 系列 产品可用于平坦化，临时行粘接层和保护涂层。 BDC1/PDC1/ZPDC1 系列 产品可作为高效参杂层，代替昂贵的CVD参杂工序。 RD6系列 光刻胶显影液，可用
2010-04-21 10:57:46
环境湿度太大，使胶与玻璃表面粘附不良。因此，得注意做好玻璃表面清洁处理和操作的环境的温，湿度及清洁工作。2）光刻胶配制有误或胶陈旧不纯，胶的光化学反应性能不好，使胶与ITO层成健能力差，或者胶膜不均匀
2018-11-22 16:04:49
光刻胶的玻璃烘烤一段时间，以使光刻胶中的溶剂挥发，增加与玻璃表面的粘附性。E. 曝光：用紫外光（UV）通过预先制作好的电极图形掩模版照射光刻胶表面，使被照光刻胶层发生反应，在涂有光刻胶的玻璃上覆盖光刻掩模
2019-07-16 17:46:15
光刻胶在近紫外光(365nm- 400nm)范围内光吸收度很低，且整个光刻胶层所获得的曝光量均匀一致，可得到具有垂直侧壁和高深宽比的厚膜图形；它还具有良好的力学性能、抗化学腐蚀性和热稳定性。SU-
2018-07-04 14:42:34
lithography是一种平板印刷技术，在平面光波回路的制作中一直发挥着重要的作用。具体过程如下：首先在二氧化硅为主要成分的芯层材料上面，淀积一层光刻胶；使用掩模版对光刻胶曝光固化，并在
2018-08-24 16:39:21
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：光刻前 GaAs 表面处理以改善湿化学蚀刻过程中的光刻胶附着力和改善湿蚀刻轮廓[/td][td]编号：JFSJ-21-0作者：炬丰科技网址：http
2021-07-06 09:39:22
区别在于材料的化学结构和光刻胶对光的反应方式。对于正性光刻胶，暴露在紫外线下的区域会改变结构，变得更容易溶解从而为刻蚀和沉积做好准备。负性光刻胶则正好相反，受光照射的区域会聚合，这会使其变得更难溶解
2022-04-08 15:12:41
光刻技术中,涂有光刻胶的硅片与掩膜版直接接触.由于光刻胶和掩膜版之间紧密接触,因此可以得到比较高的分辨率.接触式暴光的主要问题是容易损伤掩膜版和光刻胶.当掩膜版与硅片接触和对准时,硅片上很小的灰尘
2012-01-12 10:56:23
半导体材料市场构成：在半导体材料市场构成方面，大硅片占比最大，占比为32.9%。其次为气体，占比为14.1%，光掩膜排名第三，占比 为12.6%，其后：分别为抛光液和抛光垫、光刻胶配套试剂、光刻胶、湿化学品、建设靶材，比分别为7.2%、6.9%、 6.1%、4%和3%。
2021-01-22 10:48:36
喷胶机是现代光电子产业中光刻胶涂布的重要设备。可对不同尺寸和形状的基片进行涂胶，最大涂胶尺寸达8寸，得到厚度均匀的光刻胶层，同时可对大深宽比结构的侧壁进行均匀涂胶；通过计算机系统控制器进行工艺参数的编辑和操作。
2020-03-23 09:00:57
什么是SOI技术？在实现CAN收发器EMC优化方面有哪些重大突破？
2021-05-10 06:42:44
【作者】：吕鹏;刘春芳;张潮海;赵永蓬;王骐;贾兴;【来源】：《强激光与粒子束》2010年02期【摘要】：描述了Z箍缩放电等离子体极紫外光源系统中的主脉冲电源,给出了主电路拓扑结构,重点介绍了三级磁
2010-04-22 11:41:29
本人是菜鸟 需要在玻璃上光刻普通的差值电极 以前一直在硅片上面光刻 用的光刻胶是AZ5214E 正胶 同样的工艺和参数在玻璃上附着力差了很多 恳请哪位高人指点一下PS 插值电极的距离为25微米 小女子这厢谢过了
2010-12-02 20:40:41
曝光：用紫外光（UV）通过预先制作好的电极图形掩模版照射光刻胶表面，使被照光刻胶层发生反应，在涂有光刻胶的玻璃上覆盖光刻掩模版在紫外灯下对光刻胶进行选择性曝光：（如图所示）F． 显影：用显影液处理玻璃
2016-06-30 09:03:48
涂敷光刻胶 光刻制造过程中，往往需采用20-30道光刻工序，现在技术主要采有紫外线(包括远紫外线)为光源的光刻技术。光刻工序包括翻版图形掩膜制造，硅基片表面光刻胶的涂敷、预烘、曝光、显影、后烘、腐蚀
2019-08-16 11:11:34
是使用化学或者物理方法有选择地从硅片表面去除不需要材料的过程。通常的晶圆加工流程中，刻蚀工艺位于光刻工艺之后，有图形的光刻胶层在刻蚀中不会受到腐蚀源的显著侵蚀，从而完成图形转移的工艺步骤。刻蚀环节是复制
2020-07-07 11:36:10
151n光刻胶曝光显影后开口底部都会有一撮残留，找不到原因。各位帮分析下
2023-04-20 13:13:52
PMT-2离线光刻胶微粒子计数器是一款新型液体颗粒监测仪器。采用激光光散或光阻原理的颗粒检测传感器，可以对超纯水、自来水、饮用水、去离子水、矿泉水、蒸馏水、无机化学品、有机化学品、有机溶剂、清洗剂
2022-12-14 10:44:24
PMT-2在线光刻胶液体粒子计数器，采用英国普洛帝核心技术创新型的第八代双激光窄光颗粒检测传感器，双精准流量控制-精密计量柱塞泵和超精密流量电磁控制系统，可以对清洗剂、半导体、超纯水
2023-01-03 15:54:49
光刻胶（光敏胶）进行光刻，将图形信息转移到基片上，从而实现微细结构的制造。光刻机的工作原理是利用光学系统将光线聚焦到光刻胶上，通过掩膜版（也称为光刻掩膜）上的图形
2023-07-07 11:46:07
光刻胶与光刻工艺技术 微电路的制造需要把在数量上精确控制的杂质引入到硅衬底上的微小 区域内,然后把这些区域连起来以形成器件和VLSI电路.确定这些区域图形 的工艺是由光刻来完成的,也就是说,首先在硅片上旋转涂覆光刻胶,再将 其曝露于某种光源下,如紫外光,
2011-03-09 16:43:21
0 前些天，新闻曝光的中芯国际花了1．2亿美元从荷兰ASML买来一台EUV极紫外光刻机，未来可用于生产7nm工艺芯片，而根据最新消息称，长江存储也迎来了自己的第一台光刻机，国产SSD固态硬盘将迎来重大突破。
2018-06-29 11:24:008478 这是一种老式的旋转涂胶机，将芯片上涂上光刻胶然后将芯片放到上边，可以通过机器的旋转的力度将光刻胶均匀分布到芯片表面，光刻胶只有均匀涂抹在芯片表面，才能保证光刻的成功。
2018-05-17 14:39:3718498 今年4月开始，台积电第一代7nm工艺(CLN7FF/N7)投入量产，苹果A12、华为麒麟980、高通“骁龙855”、AMD下代锐龙/霄龙等处理器都正在或将会使用它制造，但仍在使用传统的深紫外光刻(DUV)技术。
2018-10-17 15:44:564730 ASML副总裁Anthony Yen表示，ASML已开始开发极紫外（EUV）光刻机，其公司认为，一旦当今的系统达到它们的极限，就将需要使用极紫外光刻机来继续缩小硅芯片的特征尺寸。
2018-12-09 10:35:077142 光刻胶是指通过紫外光、准分子激光、电子束、离子束、X 射线等光源的照射或辐射,其溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料。主要应用领域包括：半导体领域的集成电路和分立器件、平板显示、LED、以及倒扣封装、磁头及精密传感器等产品的制作过程。
2019-02-11 13:54:5224578 
光刻胶是电子领域微细图形加工关键材料之一，是由感光树脂、增感剂和溶剂等主要成分组成的对光敏感的混合液体。在紫外光、深紫外光、电子束、离子束等光照或辐射下，其溶解度发生变化，经适当溶剂处理，溶去可溶性部分，最终得到所需图像。
2019-02-19 09:17:0638454 近日，日本对韩国进行出口限制，光刻胶材料赫然在列。
2019-07-15 09:28:493498 光刻胶概念股南大光电10月23日公告，拟投资新建光刻胶材料以及配套原材料项目。
2019-10-24 16:47:213114 今年7月17日，南大光电在互动平台透露，公司设立光刻胶事业部，并成立了全资子公司“宁波南大光电材料有限公司”，全力推进“ArF光刻胶开发和产业化项目”落地实施。目前该项目完成的研发技术正在等待验收中，预计2019年底建成一条光刻胶生产线，项目产业化基地建设顺利。
2019-12-16 13:58:527318 据国外媒体报道，在芯片的制造过程中，光刻机是必不可少的设备，在芯片工艺提升到7nm EUV、5nm之后，极紫外光刻机也就至关重要。
2020-03-07 10:50:591943 据国外媒体报道，半导体行业光刻系统供应商ASML（阿斯麦）去年交付了26台极紫外光刻机（EUV），调查公司Omdia表示，其中约一半面向大客户台积电。ASML此前公布，2019年，共向客户交付了26
2020-04-09 11:20:062310 对于芯片制造厂商来说，光刻机的重要性不言而喻，尤其是目前芯片制造工艺已经提升至5nm和3nm之后，极紫外光刻机就显得更为重要。而ASML作为全球唯一有能力制造极紫外光刻机的厂商，他的一举一动，牵动着所有相关产业上下游厂商的心。
2020-04-15 15:44:364093 4月17日消息，据国外媒体报道，在智能手机等高端设备芯片的工艺提升到5nm之后，能生产5nm芯片的极紫外光刻机就显得异常重要，而作为目前全球唯一能生产极紫外光刻机的厂商，阿斯麦的供应量直接决定了各大芯片制造商5nm芯片的产能。
2020-04-18 09:09:433544 光刻胶按应用领域分类，大致分为LCD光刻胶、PCB光刻胶（感光油墨）与半导体光刻胶等。按照下游应用来看，目前LCD光刻胶占比26．6%，刻胶占比24．5%，半导体光刻胶占比24．1%，PCB光其他类光刻胶占比24．8%。
2020-06-12 17:13:395380 等光刻工序将所需要的微细图形从光罩（掩模版）转移到待加工基片上。依据使用场景，这里的待加工基片可以是集成电路材料，显示面板材料或者印刷电路板。 据第三方机构智研咨询统计，2019年全球光刻胶市场规模预计近90亿美元，
2020-09-15 14:00:1416535 技术水平与国际先进水平仍存在较大差距，自给率仅10%，主要集中于技术含量相对较低的PCB领域，6英寸硅片的g/i线光刻胶的自给率约为20%，8英寸硅片的KrF光刻胶的自给率不足5%，12寸硅片的ArF光刻胶目前尚没有国内企业可以大规模生产。 基于此，新材料在线特推出【2020年光
2020-10-10 17:40:252958 光刻胶是由感光树脂、增感剂和溶剂三种主要成份组成的、对光敏感的混合液体。利用光化学反应，经曝光、显影、刻蚀等工艺将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工基片上的图形转移介质，其中曝光是通过紫外光
2022-12-06 14:53:541238 》中明确提出，要加快新材料产业强弱项，加快在光刻胶、高强高导耐热材料、耐腐蚀材料等领域实现突破。 成立于1996年的深圳市容大感光科技股份有限公司，作为我国首批PCB感光油墨生产制造商之一，多年来始终坚持自主创新，致力于高
2020-10-22 15:20:153201 将先完成，预计2021年2月开始量产，届时信越化学将得以在中国台湾地区生产可与极紫外光（EUV）光刻技术兼容的光刻胶，以满足台积电等台厂客户的需求。 日本的工厂将建在新泻县，预计2022年开始运作。届时中国台湾地区的光刻胶将增产50%，日本
2020-10-22 17:25:323413 日前三星电子副董事长李在镕前往荷兰拜访光刻机大厂ASML，其目的就是希望ASML 的高层能答应提早交付三星已经同意购买的极紫外光光刻设备（EUV）。
2020-10-24 09:39:061509 根据报道，信越化学将会在日本和台湾地区兴建工厂，位于台湾地区云林工厂将先完成，预计2020年2月开始量产，届时信越化学将得以在台湾地区生产可与极紫外光（EUV）光刻技术兼容的光刻胶，以满足台积电等台厂客户的需求。
2020-11-05 09:31:382014 数百道工艺的层层打磨，一颗崭新的芯片才正式诞生。 而芯片制造所需的关键设备就是光刻机，但是我们今天不谈光刻机，我们要来聊一聊光刻机中最重要的材料光刻胶。 光刻胶又称为光致抗蚀剂，它是一种对光敏感的有机化合物，受紫外光曝
2020-11-14 09:36:575407 
在5nm、6nm工艺大规模投产、第二代5nm工艺即将投产的情况下，芯片代工商台积电对极紫外光刻机的需求也明显增加。而外媒最新援引产业链消息人士的透露报道称，台积电已向阿斯麦下达了2021的极紫外光刻
2020-11-17 17:20:141640 光刻胶是微纳加工过程中非常关键的材料。有专家表示，中国要制造芯片，光有光刻机还不够，还得打破国外对“光刻胶”的垄断。
2020-12-08 10:53:564168 导 读 日前，南大光电公告称，由旗下控股子公司宁波南大光电材料自主研发的 ArF 光刻胶产品成功通过客户使用认证，线制程工艺可以满足 45nm-90nm光刻需求。 图：南大光电公告 公告
2020-12-25 18:24:096227 、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀等工序。Photolithography（光刻） 意思是用光来制作一个图形（工艺）；在硅片表面匀胶，然后将掩模版上的图形转移光刻胶上的过程将器件或电路结构临时“复制”到硅片上的过程。 光刻机一般根据操作的简便性分为三种，
2020-12-29 09:14:542095 对于阿斯麦（ASML）来说，他们正在研发更先进的光刻机，这也是推动芯片工艺继续前行的重要动力。 ASML是全球目前唯一能制造极紫外光刻机的厂商，其在推出TWINSCAN NXE:3400B和NXE
2020-12-29 11:06:572287 12月29日消息，据国外媒体报道，ASML正在研发更先进、效率更高的高数值孔径极紫外光刻机：NXE:5000系列，设计已经基本完成，预计在2022年开始商用。
2020-12-30 10:29:302159 据国外媒体报道，台积电和三星电子的芯片制程工艺，均已提升到了 5nm，更先进的工艺研发也在推进，并在谋划量产事宜。 在制程工艺提升到 5nm 之后，也就意味着台积电、三星等厂商，对极紫外光刻机的需求
2021-01-25 17:10:181352 ，对极紫外光刻机的需求会不断增加，而全球目前唯一能生产极紫外光刻机厂商的阿斯麦，也就大量供应极紫外光刻机。 英文媒体在最新的报道中表示，在芯片制程工艺方面走在行业前列的台积电，在今年预计可获得 18 台极紫外光刻机，三星和英特尔也将
2021-01-25 17:21:543321 对于台积电来说，他们今年依然会狂购极紫外光刻，用最先进的工艺来确保自己处于竞争的最有力地位。
2021-01-26 11:21:511137 近日，荷兰的光刻机制造商阿斯麦（ASML）发布2020年度财报，全年净销售额达到140亿欧元，毛利率达到48.6%。ASML同时宣布实现第100套极紫外光刻（EUV）系统的出货，至2020年年底已有
2021-02-01 09:30:232588 2月2日消息，据国外媒体报道，台积电和三星电子，从阿斯麦购买了大量的极紫外光刻机，用于为苹果、高通等客户代工最新的智能手机处理器。 而从外媒的报道来看，除了台积电和三星，存储芯片制造商SK海力士
2021-02-02 18:08:482632 2月25日消息，据国外媒体报道，芯片制程工艺提升至5nm的台积电和三星，已从阿斯麦购买了大量的极紫外光刻机，并且还在大量购买。
2021-02-26 09:22:011530 5月27日，半导体光刻胶概念股开盘即走强，截至收盘，A股光刻胶板块涨幅达6.48%。其中晶瑞股份、广信材料直线拉升大涨20%封涨停，容大感光大涨13.28%，扬帆新材大涨11.37%，南大光电
2021-05-28 10:34:152624 光刻胶是光刻机研发的重要材料，换句话说光刻机就是利用特殊光线将集成电路映射到硅片的表面，如果想要硅片的表面不留下痕迹，就需要网硅片上涂一层光刻胶。
2022-02-05 16:11:0011281 ，必须：1）保证光刻胶粘附，防止图案被蚀刻；2）防止蚀刻剂渗透到光致抗蚀剂/材料界面。为了避免后一种现象，了解蚀刻剂是否穿透光刻胶以及其扩散速率是至关重要的。 蚀刻垂直渗透的界面修饰已经在之前的工作中得到了证明。我
2022-01-18 15:20:01410 
待加工基片上。其被广泛应用于光电信息产业的微细图形线路的加工制作，是微细加工技术的关键性材料。 一言以蔽之，光刻胶是光刻工艺最重要的耗材，其性能决定了加工成品的精密程度和良品率，而光刻工艺又是精密电子元器件制造
2022-01-20 21:02:461208 
本文提出了一种新型的双层光阻剂方法来减少负光阻剂浮渣。选择正光刻胶作为底层抗蚀剂，选择负光刻胶作为顶层抗蚀胶。研究了底层抗蚀剂的粘度和厚度对浮渣平均数量的影响。实验表明，低粘度正光刻胶AZ703
2022-03-24 16:04:23758 
光刻机是制作芯片的关键设备，利用光刻机发出的紫外光源通过具有图形的光罩对涂有光刻胶的硅片曝光，使光刻胶性质变化、达到图形刻印在硅片上形成电子线路图。我国目前还是采用什深紫外光的193nm制程工艺，如上海微电子装备公司（CMEE）制程90nm工艺的光刻机，那么90nm光刻机能生产什么芯片呢？
2022-06-30 09:46:2131257 目前，光刻机主要分为EUV光刻机和DUV光刻机。DUV是深紫外线，EUV是非常深的紫外线。DUV使用的是极紫外光刻技术，EUV使用的是深紫外光刻技术。EUV为先进工艺芯片光刻的发展方向。那么duv
2022-07-10 14:53:1078127 灰化，简单的理解就是用氧气把光刻胶燃烧掉，光刻胶的基本成分是碳氢有机物，在射频或微波作用下，氧气电离成氧原子并与光刻胶发生化学反应，生成一氧化碳，二氧化碳和水等，再通过泵被真空抽走，完成光刻胶的去除。
2022-07-21 11:20:174871 光刻胶产品说明英文版资料分享。
2022-08-12 16:17:252 南大光电最新消息显示，国产193nm（ArF）光刻胶研发成功，这家公司成为通过国家“02专项”验收的ArF光刻胶项目实施主体；徐州博康宣布，该公司已开发出数十种高端光刻胶产品系列，包括
2022-08-31 09:47:141285 光刻胶的组成：树脂（resin/polymer），光刻胶中不同材料的粘合剂，给与光刻胶的机械与化学性质（如粘附性、胶膜厚度、热稳定性等）；感光剂，感光剂对光能发生光化学反应；溶剂（Solvent
2022-10-21 16:40:0415833 半导体光刻胶用光敏材料仍属于“卡脖子”产品，海外进口依赖较重，不同品质之间价 格差异大。以国内 PAG 对应的化学放大型光刻胶（主要是 KrF、ArF 光刻胶）来看，树脂在 光刻胶中的固含量
2022-11-18 10:07:432574 热点新闻 1、 ASML 阿斯麦 CEO 透露高数值孔径极紫外光刻机 2024 年开始出货 据国外媒体报道，光刻机制造商阿斯麦的 CEO 兼总裁彼得・维尼克 (Peter Wennink)，在本周
2022-11-18 19:00:033971 科学家利用选择性紫外光刻实现复合纤维材料的光纤微图案化
2022-12-22 14:58:13194 
新的High NA EUV 光刻胶不能在封闭的研究环境中开发，必须通过精心设计的底层、新型硬掩模和高选择性蚀刻工艺进行优化以获得最佳性能。为了迎接这一挑战，imec 最近开发了一个新的工具箱来匹配光刻胶和底层的属性。
2023-04-13 11:52:121165 极紫外光刻的制约因素
耗电量高极紫外线波长更短，但易被吸收，可利用率极低，需要光源提供足够大的功率。如ASML 3400B光刻机，250W的功率，每天耗电达到三万度。
生产效率仍不
2023-06-08 15:56:42283 
UVPhotoresistforg-lineandi-line撰稿人：北京科华微电子材料有限公司陈昕审稿人：复旦大学邓海9.5光掩模和光刻胶材料第9章集成电路专用材料《集成电路产业全书》下册ADT12寸全自动双轴晶圆切割机详情：切割机(划片机).ADT.823012寸全自动
2022-02-14 09:41:46280 
://www.fudan.edu.cn9.5光掩模和光刻胶材料第9章集成电路专用材料《集成电路产业全书》下册ADT12寸全自动双轴晶圆切割机详情：切割机(划片机).ADT.823012寸
2022-02-15 11:23:37280 MODEL：XT-01-UVlitho-手动版一、产品简介光刻技术是现代半导体、微电子、信息产业的基础，是集成电路最重要的加工工艺。光刻胶在紫外光的照射下发生化学变化，通过曝光、显影、刻蚀等工艺过程
2022-12-20 09:24:261212 
紫外光刻和曝光 是半导体行业生产各种高端芯片、微观电路结构的核心技术。在紫外光刻过程中，光源发射的紫外线通过掩模上的微小透镜或光栅，然后投射到光刻胶层上，形成所需的微细图案。 长期以来
2023-07-05 10:11:241026 
光刻胶在未曝光之前是一种黏性流体，不同种类的光刻胶具有不同的黏度。黏度是光刻胶的一项重要指标。那么光刻胶的黏度为什么重要？黏度用什么表征？哪些光刻胶算高黏度，哪些算低黏度呢？
2023-11-13 18:14:11571 
匀胶是光刻中比较重要的一步，而旋涂速度是匀胶中至关重要的参数，那么我们在匀胶时，是如何确定匀胶速度呢？它影响光刻胶的哪些性质？
2023-12-15 09:35:56442 
所谓的“光刻胶”，即是在紫外线、电子束等辐射下，其溶解度会产生变化的耐腐蚀薄膜材料。作为光刻工艺中的关键要素，广泛应用于晶圆和分立器件的精细图案制作中。其品种繁多，此次涨价涉及的KrF 光刻胶则属高级别光刻胶，将成为各厂商关注的焦点。
2023-12-28 11:14:34381 光刻胶主要下游应用包括：显示屏制造、印刷电路板生产、半导体制造等，其中显示屏是光刻胶最大的下游应用，占比30%。光刻胶在半导体制造应用占比24%，是第三达应用场景。
2024-01-03 18:12:21346 
光刻胶又称光致抗蚀剂，是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料，是半导体制造中使用的核心电子材料之一。伴随着晶圆制造规模持续提升，中国有望承接半导体
2024-01-19 08:31:24340 
光刻胶是一种涂覆在半导体器件表面的特殊液体材料，可以通过光刻机上的模板或掩模来进行曝光。
2024-03-04 17:19:18402 与正光刻胶相比，电子束负光刻胶会形成相反的图案。基于聚合物的负型光刻胶会在聚合物链之间产生键或交联。未曝光的光刻胶在显影过程中溶解，而曝光的光刻胶则保留下来，从而形成负像。
2024-03-20 11:36:50200 
电子发烧友App
工商网监
评论