美光科技开始提速EUV DRAM开发速度

美国美光科技开始提速EUV DRAM。加入到三星电子、SK海力士等全球第一、第二EUV厂商选择的EUV阵营后，后续EUV竞争或将更为激烈。

根据韩媒etnews报道，美光科技通过多个网站开始招聘EUV设备开发负责工程师。美光的公告显示：招聘负责美光EUV设备Scaner技术开发，管理EUV系统和与ASML的沟通的人才。工作地点为美光总部美国爱达荷州（Idaho）的博伊西（Boise）。

美光是继三星电子和SK海力士之后，以20%的全球市占率排第三的DRAM厂商。本月初时美光台湾DRAM工厂还因停电一小时导致工厂停产。截止到3季度时较好业绩备受业界瞩目。且在Nand Flash领域，也率先发布了全球首款176层产品。

公司与其他DRAM厂商一样，投产10纳米级3代（1z）产品作为新品。计划明年上半年量产4代（1a）DRAM。

但与三星电子、SK海力士不同，并无计划在1a DRAM产品上使用EUV技术。

最近EUV制程备受被称之为IT设备大脑的集成芯片领域的青睐，短期内有望渗透至DRAM其他层。但相比ArF制程，技术难度仍高、且设备运营费用也相对更高。

而根据美光公开的资讯显示，考虑到费用和成本、技术限制等原因，次次时代DRAM ‘1-β’产品前并无计划采用EUV制程。

美光副总裁Scott DeBoer表示过：会分析多方面因素后，从1-δ （10纳米7代）产品开始导入EUV制程。

本次的招聘公告显示出公司将通过招聘精通于EUV技术的专家累计技术，以确保在最佳时机导入EUV制程的战略。

未来美光正式跨入EUV DRAM量产市场后，Memory市场中3家竞争将更为激烈。

在DRAM市场占比40%，排名第一的三星已经通过1z产品上导入EUV技术宣示技术领先差距，且计划在明年上市的1a产品EUV制程比重也是业界关注的焦点。

而SK海力士也正忙于明年导入1a DRAM的EUV制程。SK海力士计划明年在京畿道黎川新DRAM工厂M16中搬入新EUV系统，为EUV技术量产而努力。
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