三星宣布全球首座专门为EUV极紫外光刻工艺打造的代工厂开始量产
三星宣布，位于韩国京畿道华城市的V1工厂已经开始量产7nm 7LPP、6nm 6LPP工艺，这也是全球第一座专门为EUV极紫外光刻工艺打造的代工厂。
据介绍，三星7LPP、6LPP工艺主要生产先进的移动SoC芯片，本季度内陆续出货，具体客户均未披露，不过看起来7LPP会是对外代工主力，6LPP则可能是三星自用，或者仅限特定客户。
按照三星的说法，6LPP相比于7LPP可将晶体管密度增加约10％，并降低功耗，但彼此互相兼容，针对7LPP工艺设计的IP可以直接复用，从而大大降低成本。
在路线图上，三星还规划了5LPE、4LPE、3GAE、3GAP等更先进的工艺，都会使用EUV极紫外光刻，其中5nm、4nm都可以算作7nm工艺的深度升级，3nm则是全新设计。
高通刚刚发布的第三代5G基带骁龙X60就采用三星5nm工艺制造，3nm则会在今年完成开发，放弃使用多年的FinFET晶体管架构。
三星V1工厂2018年2月开工建设，2019年下半年开始试产，未来将迅速扩大产能，到今年底7LPP EUV和更新工艺的总产能将是去年底的三倍，累计投资也将达60亿美元。
责任编辑：wv
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
三星电子
+关注
关注
34文章
15604浏览量
180124 -
EUV
+关注
关注
8文章
577浏览量
85579
发布评论请先 登录
相关推荐
英特尔率先推出业界高数值孔径 EUV 光刻系统
来源：Yole Group 英特尔代工已接收并组装了业界首个高数值孔径（高NA）极紫外（EUV）光刻系统。 新设备能够大大提高下一代处理器的分辨率和功能扩展，使英特尔
2024年最新全球EMS代工厂50强（TOP 50）
在科技产业中，EMS（ElectronicManufacturingServices，电子制造服务）代工厂扮演着至关重要的角色。它们为全球各地的品牌商提供从设计到生产、组装、测试到最终出货的全方位
三星泰勒市新晶圆厂量产推迟至2025年
早在2022年5月，三星就表达了在美国得克萨斯州泰勒市建芯片代工厂的意愿，初始投资设定为170亿美元，后追加至250亿美元。该工厂将配备极紫外光刻机，瞄准5nm制程芯片生产；而如今在奥
什么是EUV光刻？EUV与DUV光刻的区别
EUV 光是指用于微芯片光刻的极紫外光，涉及在微芯片晶圆上涂上感光材料并小心地将其曝光。这会将图案打印到晶圆上，用于微芯片设计过程中的后续步骤。
发表于 10-30 12:22
•837次阅读
英特尔宣布Intel 4已大规模量产，“四年五个制程节点”计划又进一步
近日，英特尔宣布已开始采用极紫外光刻（EUV）技术大规模量产（HVM）Intel 4制程节点。Intel 4大规模
英特尔宣布Intel 4已大规模量产，“四年五个制程节点”计划又进一步
近日，英特尔宣布已开始采用极紫外光刻（EUV）技术大规模量产（HVM）Intel 4制程节点。Intel 4大规模
刚刚！中国第一MEMS代工厂宣布，其首款国产BAW滤波器正式量产！手机国产5G通信有望实现？
刚刚，中国及全球最大的MEMS代工厂赛微电子官宣，其首款基于MEMS技术的国产BAW滤波器实现量产，将会带来哪些影响？中国手机有望用上国产5G、6G射频芯片实现5/6G通信功能？ 刚刚，中国
虹科案例 | 用于低成本改造光刻设备的UV紫外光源
紫外光刻和曝光 是半导体行业生产各种高端芯片、微观电路结构的核心技术。在紫外光刻过程中，光源发射的紫外线通过掩模上的微小透镜或光栅，然后投射到光刻胶层上，形成所需的微细图案。
晶圆代工厂如何突破物理极限提升光刻技术？
EUV微影技术的落实延续了摩尔定律的寿命，这里的EUV指的其实是一种紫外光源，跟过去光刻技术所采用的光源比起来，EUV的波长更短，因此有助于
发表于 06-27 10:11
•293次阅读
全球主要晶圆代工厂商名录
晶圆代工是芯片制造极为重要的一环，有着高资本壁垒和技术壁垒，庞大的资金投入使得中小行业玩家望而却步，越来越高的工艺和技术成为行业固有护城河。 行业呈现明显的马太效应，先进的代工厂不断追寻更先进的芯片
极紫外光刻随机效应的表现及产生原因
够高同样以3400B来说，该EUV光刻机的生产效率是每小时125片晶圆，还不到DUV光刻机生产效率的一半。
随机效应严重DUV时代就存在，但对芯片制造影响不大，因此被芯片代工厂
发表于 06-08 15:56
•317次阅读
工商网监
评论