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哈工大的史诗级成果:DPP-EUV光源

poa0_zhenjingsh 来源:半导体界 作者:半导体界 2021-02-01 10:41 次阅读
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哈工大在国家急需时刻从不缺席,现在国家急需光刻机。哈工大的DPP-EUV光源出来,真的是史诗级成果,一流大学就应该有世界顶尖水平,这是哈工大在超精密加工,超精密测量领域几十年积累的结果! 中科院长春光机所在光刻机所需的透镜及曝光系统上早已有突破,而最新的消息也显示,长春光机所在实验室已经搭建出了一套EUV光源设备。 而长春光机所正基于哈工大DPP-EUV光源研制EUV曝光机,预计两年内可推出。光刻机的两大核心部件为双工件台和曝光系统。

EUV光刻的全称为极紫外光刻(Extreme Ultra-violet),其光源主要有2种: 1、一种是DPP-EUV极紫外光源。放电激发等离子体EUV极紫外光源 荷兰ASML光刻机公司,哈工大研究的都是这一种。 DPP EUV光源利用放电使负载(Xe或Sn)形成等离子体,辐射出紫外线,利用多层膜反射镜多次反射净化能谱,获得1EUV光。

DPP EUV光源的优点是产生EUV的能量转换效率高,造价低;缺点是电极热负载高,产生碎片多,机制复杂,光学器件易于受损,光收集角小。

2、激光等离子体光源(LPP) LPP EUV系统主要包括激光器、汇聚透镜、负载、光收集器、掩膜、投影光学系统和芯片。 其原理是利用高功率激光加热负载(Xe或Sn)形成等离子体,等离子体辐射出紫外线,利用多层膜反射镜多次反射净化能谱,获得1EUV光。 LPP EUV光源的优点是光源尺寸小,产生碎片或粒子的种类少,光收集效率高以及较容易放大EUV输出功率。当然它也有缺点,主要是系统设计复杂,价格昂贵。 这2种光源。哈工大都在15年前就研究了!

中国研究EUV极紫外光源的2个主要单位: 1、哈工大气体可调谐激光技术国家级重点实验室 。 2、中国科学院上海光机所(哈工大毕业的研究员负责的项目、副所长。神光2的负责人之一)。 哈工大取的重大突破的是: 放电激发等离子体EUV极紫外光源。与荷兰ASML光刻机公司的是同一种EUV极紫外光源。但是要把它做成为光刻机,还需要2年时间! 荷兰光刻机,目前极紫外光源是美国产,还有一些主要部件是德国等国生产,清洗部件是蓝英装备生产。如果3-5纳米光刻机两年内国产,则华为有救!哈工大功劳举世无双! 下面这个全球领先的成果。也来自哈工大这个实验室。

哈工大在祖国需要的时候能冲上去,这就是军工大学的担当! 其实 中国在1977年就成功研究了光刻机。 那个时候,还没有荷兰ASML光刻机公司这个公司。 可惜中国80年代,都是造不如买去了。 以前日本人走的是激光等离子体光源。 荷兰ASML光刻机公司走的是气体放电激发等离子体EUV极紫外光源 (哈工大气体可调谐激光技术国家级重点实验室 研究的东西与他们一样)。

原文标题:光刻机研发:哈工大在国家急需时刻从不缺席

文章出处:【微信公众号:半导体界】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

责任编辑:haq

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原文标题:光刻机研发:哈工大在国家急需时刻从不缺席

文章出处:【微信号:zhenjingshe,微信公众号:华尔街】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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