目前,光刻机主要分为EUV光刻机和DUV光刻机。DUV是深紫外线,EUV是非常深的紫外线。DUV使用的是极紫外光刻技术,EUV使用的是深紫外光刻技术。EUV为先进工艺芯片光刻的发展方向。那么duv光刻机和euv光刻机区别是是什么呢?
duv光刻机和euv光刻机区别
1.基本上duv只能做到25nm,而euv能够做到10nm以下晶圆的生产。
2. duv主要使用的是光的折射原理,而euv使用的光的反射原理,内部必须是真空操作。
以上就是duv光刻机和euv光刻机区别了,现在基本都是euv光刻机。
文章综合php中文网、科创板日报、百度百科
编辑:何安
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
光刻机
+关注
关注
31文章
1201浏览量
49032 -
EUV
+关注
关注
8文章
615浏览量
88966 -
DUV
+关注
关注
1文章
56浏览量
4468
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
中国打造自己的EUV光刻胶标准!
其他工艺器件的参与才能保障芯片的高良率。 以光刻胶为例,这是决定芯片 图案能否被精准 刻下来的“感光神经膜”。并且随着芯片步入 7nm及以下先进制程芯片 时代,不仅需要EUV光刻机,更需要
俄罗斯亮剑:公布EUV光刻机路线图,挑战ASML霸主地位?
电子发烧友网报道(文/吴子鹏) 在全球半导体产业格局中,光刻机被誉为 “半导体工业皇冠上的明珠”,而极紫外(EUV)光刻技术更是先进制程芯片制造的核心。长期以来,荷兰 ASML 公司几乎垄断
AI需求飙升!ASML新光刻机直击2nm芯片制造,尼康新品获重大突破
*1(L/S*2)高分辨率。扇出型面板级封装(FOPLP)技术为何会获得台积电、三星等代工大厂的青睐?比较传统的光刻机设备,尼康DSP-100的技术原理有何不同?能解决AI芯片生产当中的哪些痛点问题? 针对2nm、3nm芯片制造难题,光刻机龙头企业ASML新款
垄断 EUV 光刻机之后,阿斯麦剑指先进封装
电子发烧友网综合报道 当全球半导体产业陷入 “先进制程竞赛” 的白热化阶段,极紫外(EUV)光刻机作为高端芯片制造的 “皇冠上的明珠”,成为决定产业格局的核心力量。荷兰阿斯麦(ASML)作为全球唯一
泽攸科技 | EBL和EUV光刻机有何区别?如何影响半导体行业?
从技术路径上看,电子束光刻和大家熟悉的EUV光刻并不是同一类问题的解法。电子束光刻本质上是一种直接写入技术,利用聚焦电子束在抗蚀剂上逐点曝光,通过电磁控制精确描绘图形。这种方式不依赖掩
光刻机的“精度锚点”:石英压力传感器如何守护纳米级工艺
在7纳米、3纳米等先进芯片制造中,光刻机0.1纳米级的曝光精度离不开高精度石英压力传感器的支撑,其作为“隐形功臣”,是保障工艺稳定、设备安全与产品良率的核心部件。本文聚焦石英压力传感器在光刻机中
国产高精度步进式光刻机顺利出厂
近日,深圳稳顶聚芯技术有限公司(简称“稳顶聚芯”)宣布,其自主研发的首台国产高精度步进式光刻机已成功出厂,标志着我国在半导体核心装备领域取得新进展。 此次稳顶聚芯出厂的步进式光刻机属于WS180i
今日看点丨全国首台国产商业电子束光刻机问世;智元机器人发布行业首个机器人世界模型开源平台
全国首台国产商业电子束光刻机问世,精度比肩国际主流 近日,全国首台国产商业电子束光刻机"羲之"在浙大余杭量子研究院完成研发并进入应用测试阶段。该设备精度达到0.6nm,线宽
发表于 08-15 10:15
•3210次阅读
全球市占率35%,国内90%!芯上微装第500台步进光刻机交付
电子发烧友网综合报道,近日,上海芯上微装科技股份有限公司(简称:芯上微装,英文简称:AMIES)第500台步进光刻机成功交付,并举办了第500台 步进光刻机 交付仪式。 光刻是半导体器件
发表于 08-13 09:41
•2585次阅读
佳能9月启用新光刻机工厂,主要面向成熟制程及封装应用
7 月 31 日消息,据《日经新闻》报道,日本相机、打印机、光刻机大厂佳能 (Canon) 位于日本宇都宫市的新光刻机制造工厂将于 9 月正式投入量产,主攻成熟制程及后段封装应用设备,为全球芯片封装
改善光刻图形线宽变化的方法及白光干涉仪在光刻图形的测量
的应用。 改善光刻图形线宽变化的方法 优化曝光工艺参数 曝光是决定光刻图形线宽的关键步骤。精确控制曝光剂量,可避免因曝光过度导致光刻胶过度反应,使线宽变宽;或曝光不足造成线宽变窄。采用先进的曝光设备,如极紫外(
ASML官宣:更先进的Hyper NA光刻机开发已经启动
电子发烧友网综合报道,日前,ASML 技术高级副总裁 Jos Benschop 表示,ASML 已携手光学组件独家合作伙伴蔡司,启动了 5nm 分辨率的 Hyper NA 光刻机开发。这一举措标志着
发表于 06-29 06:39
•2159次阅读
电子直写光刻机驻极体圆筒聚焦电极
电子直写光刻机驻极体圆筒聚焦电极
随着科技进步,对电子显微镜的精度要求越来越高。电子直写光刻机的精度与电子波长和电子束聚焦后的焦点直径有关,电子波长可通过增加加速电极电压来减小波长,而电子束聚焦后
发表于 05-07 06:03
duv光刻机和euv光刻机区别是什么
评论