扇出型晶圆级封装(FOWLP)的概念最早由德国英飞凌提出,自2016 年以来,业界一直致力于FOWLP 技术的发展。
2026-01-04 14:40:30
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大尺寸硅晶圆槽式清洗机的参数化设计是一个复杂而精细的过程,它涉及多个关键参数的优化与协同工作,以确保清洗效果、设备稳定性及生产效率。以下是对这一设计过程的详细阐述:清洗对象适配性晶圆尺寸与厚度兼容性
2025-12-17 11:25:31
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到目前为止,我们已经了解了如何将芯片翻转焊接到具有 FR4 核心和有机介电薄膜的封装基板上,也看过基于 RDL的晶圆级封装技术。所谓2.1D/2.3D 封装技术,是将 Flip-Chip 与类似
2025-11-27 09:38:00
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本文聚焦晶圆级封装 Bump 制作中锡膏与助焊剂的核心应用,以焊料印刷法、植球法为重点展开。印刷法中,锡膏是凸点主体,需依凸点尺寸选 6/7 号超细粉,助焊剂融入其中实现氧化清除与润湿;植球法里锡膏
2025-11-22 17:00:02
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在半导体芯片的精密制造流程中,晶圆从一片薄薄的硅片成长为百亿晶体管的载体,需要经历数百道工序。在半导体芯片的微米级制造流程中,晶圆的每一次转移和清洗都可能影响最终产品良率。特氟龙(聚四氟乙烯)材质
2025-11-18 15:22:31
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在半导体制造的精密工艺链条中,芯片切割作为晶圆级封装的关键环节,其技术演进与设备精度直接关系到芯片良率与性能表现;框架内贴片作为连接芯片与封装体的核心环节,其技术实施直接影响器件的电性能、热管理及可靠性表现。
2025-11-05 17:06:29
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专业车载系统半导体无晶圆企业Telechips正式推出集成半导体芯片与内存的系统级封装(SIP,System-in-Package)模块产品,加速车载半导体市场的革新。Telechips计划超越单一芯片供应模式,通过提供软硬件结合的高附加值解决方案,同时为客户实现成本降低、开发周期缩短与品质提升。
2025-11-05 16:05:23
324 越来越薄、晶圆尺寸越来越大、芯片之间的线宽、切割槽以及芯片尺寸逐渐微缩,这对划切技术提出更加苛刻的要求。高稳定性、高精度、高效率与智能化已成为划片机的核心标杆。对
2025-10-30 17:01:15
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及方案,构建了商机璀璨的照明采购平台。杭州数智光科技“小龙”罗莱迪思重磅亮相,以光科技解决方案为全球照明市场注入澎湃活力。现场,来自意大利、瑞士等欧洲国家,美国、加拿
2025-10-28 11:24:20
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在晶圆级封装(WLP)中,Bump 凸点是芯片与基板互连的关键,主流实现方式有电镀法、焊料印刷法、蒸发 / 溅射法、球放置法四类,差异显著。选型需结合凸点密度、成本预算与应用特性,平衡性能与经济性。
2025-10-23 14:49:14
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的长期合作代理商,浮思特科技今天将与大家介绍,它如何通过技术创新,将专业热成像能力装入你的口袋。晶圆级封装:微型化背后的核心技术迈瑞迪Xpro最引人注目的特点莫过于
2025-10-23 09:39:06
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在功率半导体封装领域,晶圆级芯片规模封装技术正引领着分立功率器件向更高集成度、更低损耗及更优热性能方向演进。
2025-10-21 17:24:13
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一、引言
12 英寸及以上的大尺寸玻璃晶圆在半导体制造、显示面板、微机电系统等领域扮演着关键角色 。总厚度偏差(TTV)的均匀性直接影响晶圆后续光刻、键合、封装等工艺的精度与良率 。然而,随着晶圆
2025-10-17 13:40:01
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关于晶圆和芯片哪个更难制造的问题,实际上两者都涉及极高的技术门槛和复杂的工艺流程,但它们的难点侧重不同。以下是具体分析:晶圆制造的难度核心材料提纯与单晶生长超高纯度要求:电子级硅需达到
2025-10-15 14:04:54
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一、引言
随着半导体技术向小型化、高性能化发展,3D 集成封装技术凭借其能有效提高芯片集成度、缩短信号传输距离等优势,成为行业发展的重要方向 。玻璃晶圆因其良好的光学透明性、化学稳定性及机械强度
2025-10-14 15:24:56
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晶圆级封装(WLP)与多芯片组件(MCM)作为先进封装的“双引擎”,前者在晶圆未切割时即完成再布线与凸点制作,以“封装即制造”实现芯片级尺寸、70 μm以下超细间距与电热性能跃升;后者把多颗已验证
2025-10-13 10:36:41
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近日,广立微自主研发的首台专为碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率器件设计的晶圆级老化测试系统——WLBI B5260M正式出厂。该设备的成功推出,将为产业链提供了高效、精准的晶圆级可靠性筛选解决方案,助推化合物半导体产业的成熟与发展。
2025-09-17 11:51:44
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在半导体制造中,不同尺寸的晶圆对甩干机的转速需求存在差异,但通常遵循以下规律:小尺寸晶圆(如≤8英寸)这类晶圆由于质量较轻、结构相对简单,可采用较高的转速进行离心甩干。常见范围为3000–10000
2025-09-17 10:55:54
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等核心运算进行硬件加速优化,在图像识别、自然语言处理等任务中展现出卓越的实时性。然而,传统FPGA在功耗、尺寸和系统集成度上的局限性,使其难以满足边缘计算、工业机器人等对能效和紧凑性要求严苛的场景。 莱迪思推出的Lattice NexusT
2025-09-16 14:35:17
5435 本文主要讲述什么是晶圆级芯粒封装中的分立式功率器件。 分立式功率器件作为电源管理系统的核心单元,涵盖二极管、MOSFET、IGBT等关键产品,在个人计算机、服务器等终端设备功率密度需求攀升的当下,其封装技术正加速向晶圆级芯片级封装演进——通过缩小体积、提升集成效率,满足设备小型化与高性能的双重需求。
2025-09-05 09:45:40
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MEMS晶圆级电镀是一种在微机电系统制造过程中,整个硅晶圆表面通过电化学方法选择性沉积金属微结构的关键工艺。该技术的核心在于其晶圆级和图形化特性:它能在同一时间对晶圆上的成千上万个器件结构进行批量加工,极大地提高了生产效率和一致性,是实现MEMS器件低成本、批量化制造的核心技术之一。
2025-09-01 16:07:28
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晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)因其“裸片即封装”的极致尺寸与成本优势,已成为移动、可穿戴及 IoT 终端中低 I/O(< 400 bump)、小面积(≤ 6 mm × 6 mm)器件的首选
2025-08-28 13:46:34
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在存储芯片(DRAM/NAND)制造中,晶圆划片是将整片晶圆分割成单个芯片(Die)的关键后道工序。随着芯片尺寸不断缩小、密度持续增加、晶圆日益变薄(尤其对于高容量3DNAND),传统划片工艺带来
2025-08-08 15:38:06
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电子发烧友网为你提供()0.6 至 3.0 GHz 双通道 SPST (2xSPST) 并联开关(两位控制),采用 WLCSP 封装相关产品参数、数据手册,更有0.6 至 3.0 GHz 双通道
2025-08-04 18:33:38

在芯片制造的最后环节,裸片(Die)需要穿上“防护铠甲”——既要抵抗物理损伤和化学腐蚀,又要连接外部电路,还要解决散热问题。封装工艺的进化核心,是如何更高效地将硅片转化为功能芯片。
2025-08-01 09:22:20
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电子发烧友网为你提供()采用 WLCSP 封装的 3P4T 发射/接收 LTE 交换机相关产品参数、数据手册,更有采用 WLCSP 封装的 3P4T 发射/接收 LTE 交换机的引脚图、接线图、封装
2025-07-31 18:34:48

格罗方德(GlobalFoundries)推出GlobalShuttle多项目晶圆(multi-project wafer, MPW),计划通过将多个芯片设计项目集成于同一片晶圆上,助力客户将差异化芯片设计转化为实际产品,同时无需承担测试硅片的成本限制。
2025-07-26 15:27:04
946 晶圆清洗机中的晶圆夹持是确保晶圆在清洗过程中保持稳定、避免污染或损伤的关键环节。以下是晶圆夹持的设计原理、技术要点及实现方式: 1. 夹持方式分类 根据晶圆尺寸(如2英寸到12英寸)和工艺需求,夹持
2025-07-23 14:25:43
928 不同晶圆尺寸的清洗工艺存在显著差异,主要源于其表面积、厚度、机械强度、污染特性及应用场景的不同。以下是针对不同晶圆尺寸(如2英寸、4英寸、6英寸、8英寸、12英寸等)的清洗区别及关键要点:一、晶圆
2025-07-22 16:51:19
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▲“光·X”2025罗莱迪思路演上海站活动现场7月8日,以“光·X”为主题的2025罗莱迪思路演在上海圆满举行。罗莱迪思董事长王忠泉携国内各领域营销事业部总经理、智慧城市架构师与相关领导、业内专家
2025-07-14 10:24:31
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锡膏在晶圆级封装中易遇印刷桥连 空洞、回流焊焊点失控、氧化、设备精度不足等问题。解决问题需平衡工艺参数,同时设备也需要做精细调准。
2025-07-03 09:35:00
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晶圆级封装含扇入型、扇出型、倒装芯片、TSV 等工艺。锡膏在植球、凸点制作、芯片互连等环节关键:扇入 / 扇出型植球用锡膏固定锡球;倒装芯片用其制作凸点;TSV 堆叠靠其实现垂直连接。应用依赖钢网
2025-07-02 11:53:58
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晶圆级封装中,锡膏是实现电气连接与机械固定的核心材料,广泛应用于凸点制作、植球工艺及芯片 - 基板互连等关键环节。主流采用 SAC 系、Sn-Cu 系、Sn-Bi 系等无铅锡膏,需满足高精度印刷、优异润湿性、高可靠性及低残留等严苛要求。
2025-07-02 11:16:52
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了解晶圆级封装如何进一步提高芯片的连接密度,为后续技术发展奠定基础。
2025-06-27 16:51:51
614 LFE5U-25F-7BG256I,LATTICE(莱迪思),FPGA器件 LFE5U-25F-7BG256I,LATTICE(莱迪思),危芯练戏:依叭溜溜寺山寺依武叭武ECP5
2025-06-26 10:43:51
LFE5U-45F-6BG554C ,LATTICE(莱迪思),FPGA器件 2025-06-26 10:231. 总体描述ECP5™/ECP5-5G™ 系列 FPGA 器件经过优化,能够
2025-06-26 10:28:47
在半导体制造的精密流程中,晶圆载具清洗机是确保芯片良率与性能的关键设备。它专门用于清洁承载晶圆的载具(如载具、花篮、托盘等),避免污染物通过载具转移至晶圆表面,从而保障芯片制造的洁净度与稳定性。本文
2025-06-25 10:47:33
Analog Devices Inc AD8235 40 μA微功耗仪表放大器采用1.5mm × 2.2mm晶圆级芯片尺寸封装 (WLCSP)。 AD8235消耗的最大静态电流为40μA。此外,它在关断模式下消耗500nA的最大电流。这使该器件成为电池供电的便携式应用理想的仪表放大器。
2025-06-22 17:35:40
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摘要:本文探讨晶圆边缘 TTV 测量在半导体制造中的重要意义,分析其对芯片制造工艺、器件性能和生产良品率的影响,同时研究测量方法、测量设备精度等因素对测量结果的作用,为提升半导体制造质量提供理论依据
2025-06-14 09:42:58
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晶圆检测是指在晶圆制造完成后,对晶圆进行的一系列物理和电学性能的测试与分析,以确保其质量和性能符合设计要求。这一过程是半导体制造中的关键环节,直接影响后续封装和芯片的良品率。 随着图形化和几何结构
2025-06-06 17:15:28
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晶圆级扇出封装(FO-WLP)通过环氧树脂模塑料(EMC)扩展芯片有效面积,突破了扇入型封装的I/O密度限制,但其技术复杂度呈指数级增长。
2025-06-05 16:25:57
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在微电子行业飞速发展的背景下,封装技术已成为连接芯片创新与系统应用的核心纽带。其核心价值不仅体现于物理防护与电气/光学互联等基础功能,更在于应对多元化市场需求的适应性突破,本文着力介绍晶圆级扇入封装,分述如下。
2025-06-03 18:22:20
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“减薄”,也叫 Back Grinding(BG),是将晶圆(Wafer)背面研磨至目标厚度的工艺步骤。这个过程通常发生在芯片完成前端电路制造、被切割前(即晶圆仍然整体时),是连接芯片制造和封装之间的桥梁。
2025-05-30 10:38:52
1656 测量。
(2)系统覆盖衬底切磨抛,光刻/蚀刻后翘曲度检测,背面减薄厚度监测等关键工艺环节。
晶圆作为半导体工业的“地基”,其高纯度、单晶结构和大尺寸等特点,支撑了芯片的高性能与低成本制造。其战略价值不仅
2025-05-28 16:12:46
半导体行业是现代制造业的核心基石,被誉为“工业的粮食”,而晶圆是半导体制造的核心基板,其质量直接决定芯片的性能、良率和可靠性。晶圆隐裂检测是保障半导体良率和可靠性的关键环节。晶圆检测通过合理搭配工业
2025-05-23 16:03:17
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摘要:本文针对湿法腐蚀工艺后晶圆总厚度偏差(TTV)的管控问题,探讨从工艺参数优化、设备改进及检测反馈机制完善等方面入手,提出一系列优化方法,以有效降低湿法腐蚀后晶圆 TTV,提升晶圆制造质量
2025-05-22 10:05:57
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圆;TTV;磨片加工;研磨;抛光 一、引言 在半导体制造领域,晶圆的总厚度偏差(TTV)对芯片性能、良品率有着直接影响。高精度的 TTV 控制是实现高性能芯片制造的关键前提。随着半导体技术不断向更高精度发展,传统磨片加工方法在 TTV 控制上
2025-05-20 17:51:39
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前言在半导体制造的前段制程中,晶圆需要具备足够的厚度,以确保其在流片过程中的结构稳定性。尽管芯片功能层的制备仅涉及晶圆表面几微米范围,但完整厚度的晶圆更有利于保障复杂工艺的顺利进行,直至芯片前制程
2025-05-16 16:58:44
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上 。这种创新的封装方式自苹果A10处理器采用后,在节约主板表面面积方面成效显著。根据线路和焊脚与芯片尺寸的关系,WLP分为Fanin WLP(线路和焊脚限定在芯片尺寸以内)和Fanout WLP(可扩展至芯片尺寸之外,甚至实现芯片叠层) 。
2025-05-14 11:08:16
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我们看下一个先进封装的关键概念——晶圆级封装(Wafer Level Package,WLP)。
2025-05-14 10:32:30
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英寸晶圆厚度约为670微米,8英寸晶圆厚度约为725微米,12英寸晶圆厚度约为775微米。尽管芯片功能层的制备仅涉及晶圆表面几微米范围,但完整厚度的晶圆更有利于保障复杂工艺的顺利进行。直至芯片前制程完成后,晶圆才会进入封装环节进行减薄处理。
2025-05-09 13:55:51
1975 圆片级封装(WLP),也称为晶圆级封装,是一种直接在晶圆上完成大部分或全部封装测试程序,再进行切割制成单颗组件的先进封装技术 。WLP自2000年左右问世以来,已逐渐成为半导体封装领域的主流技术,深刻改变了传统封装的流程与模式。
2025-05-08 15:09:36
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随着半导体工艺复杂度提升,可靠性要求与测试成本及时间之间的矛盾日益凸显。晶圆级可靠性(Wafer Level Reliability, WLR)技术通过直接在未封装晶圆上施加加速应力,实现快速
2025-05-07 20:34:21
项目背景晶圆作为半导体芯片的核心载体,其表面平整度直接影响芯片性能、封装良率及产品可靠性。传统接触式测量容易导致晶圆划伤或污染,而常规光学传感器受镜面反射干扰难以实现高精度检测。深视智能SCI系列点
2025-04-21 08:18:31
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汉思新材料HS711是一种专为板卡级芯片底部填充封装设计的胶水。HS711填充胶主要用于电子封装领域,特别是在半导体封装中,以提供机械支撑、应力缓冲和保护芯片与基板之间的连接免受环境因素的影响。汉思
2025-04-11 14:24:01
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在之前文章如何计算芯片(Die)尺寸?中,讨论了Die尺寸的计算方法,在本文中,将讨论如何预估一个晶圆中有多少Die,也就是DPW(Die per Wafer)。
2025-04-02 10:32:38
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随着半导体工艺复杂度提升,可靠性要求与测试成本及时间之间的矛盾日益凸显。晶圆级可靠性(Wafer Level Reliability, WLR)技术通过直接在未封装晶圆上施加加速应力,实现快速、低成本的可靠性评估,成为工艺开发的关键工具。
2025-03-26 09:50:16
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芯片制造的画布 芯片制造的画布:晶圆的奥秘与使命 在芯片制造的宏大舞台上,晶圆(Wafer)扮演着至关重要的角色。它如同一张洁白的画布,承载着无数工程师的智慧与梦想,见证着从砂砾到智能的奇迹之旅。晶
2025-03-10 17:04:25
1542 nRF54L15 是 nRF54L 系列的首款系统级芯片 (SoC)。它是一款超低功耗蓝牙 5.4 SoC,具有同类最佳的新型多协议无线电和先进的安全功能。nRF54L 系列以更紧凑的封装将广受欢迎
2025-03-05 18:17:29
红外探测器作为红外热像仪的核心部件,广泛应用于工业、安防、医疗等多个领域。随着技术的不断进步,红外探测器的封装形式也在不断发展和完善。其中,晶圆级、陶瓷级和金属级封装是三种最常见的封装形式,它们各自具有独特的特点和优势,适用于不同的场景。
2025-03-05 16:43:22
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封装领域的一次技术革命。普莱信同时在和某全球最领先的封装厂,某全球领先的功率器件公司就XBonder Pro在晶圆级封装的应用开展合作。 芯片的转移是晶圆级封装和板级封装的核心工序,由于高端的板级封装和晶圆级封装需要在贴片完成后,进行RDL等工艺,
2025-03-04 11:28:05
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实现芯片与外部电路电气连接的关键结构。本文将深入解析晶圆级封装Bump工艺的关键点,探讨其技术原理、工艺流程、关键参数以及面临的挑战和解决方案。
2025-03-04 10:52:57
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近日,经国际权威机构评估,罗莱迪思通过全球软件领域高级别CMMI成熟度5级评估认证,并荣获CMMI5级证书。这一里程碑式的成就,不仅彰显了罗莱迪思在软件研发领域的实力,也标志着公司在项目管理
2025-02-26 15:33:52
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随着半导体器件的复杂性不断提高,对精确可靠的晶圆测试解决方案的需求也从未像现在这样高。从5G、物联网和人工智能应用,到先进封装和高带宽存储器(HBM),在晶圆级确保设备性能和产量是半导体制造过程中的关键步骤。
2025-02-17 13:51:16
1331 近日,莱迪思半导体公司(LSCC)发布了其202X年四季度的财务报告。报告显示,公司在该季度的调整后每股收益(EPS)为0.15美元,略低于分析师预期的0.19美元。然而,在营收方面,莱迪思半导体
2025-02-11 16:06:49
738 Dicing 是指将制造完成的晶圆(Wafer)切割成单个 Die 的工艺步骤,是从晶圆到独立芯片生产的重要环节之一。每个 Die 都是一个功能单元,Dicing 的精准性直接影响芯片的良率和性能。
2025-02-11 14:28:49
2943 电子发烧友网站提供《WLCSP22 SOT8086晶片级芯片尺寸封装.pdf》资料免费下载
2025-02-11 14:17:26
0 电子发烧友网站提供《SOT1381-2晶圆级芯片尺寸封装.pdf》资料免费下载
2025-02-08 17:30:43
0 在半导体制造的复杂流程中,晶圆历经前道工序完成芯片制备后,划片工艺成为将芯片从晶圆上分离的关键环节,为后续封装奠定基础。由于不同厚度的晶圆具有各异的物理特性,因此需匹配不同的切割工艺,以确保切割效果与芯片质量。
2025-02-07 09:41:00
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在半导体技术飞速发展的今天,大尺寸晶圆的高效制备成为推动行业进步的关键因素。而在众多半导体材料中,金刚石凭借其超宽禁带、高击穿电场、高热导率等优异电学性质,被视为 “终极半导体”,在电真空器件、高频
2025-02-07 09:16:06
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晶圆,作为芯片制造的基础载体,其表面平整度对于后续芯片制造工艺的成功与否起着决定性作用。
2025-01-24 10:06:02
2134 电子发烧友网站提供《N32G401系列芯片关键特性,定货型号及资源,封装尺寸等信息.pdf》资料免费下载
2025-01-22 15:41:51
0 电子发烧友网站提供《N32G4FR系列芯片关键特性,定货型号及资源,封装尺寸等信息.pdf》资料免费下载
2025-01-22 15:15:10
1 电子发烧友网站提供《N32G455系列芯片关键特性定货型号及资源,封装尺寸等信息.pdf》资料免费下载
2025-01-22 15:09:39
0 电子发烧友网站提供《N32WB03x系列芯片关键特性,定货型号及资源,封装尺寸等信息.pdf》资料免费下载
2025-01-22 15:04:53
0 扇出型晶圆级中介层封装( FOWLP)以及封装堆叠(Package-on-Package, PoP)设计在移动应用中具有许多优势,例如低功耗、短信号路径、小外形尺寸以及多功能的异构集成。此外,它还
2025-01-22 14:57:52
4507 
在半导体制造领域,晶圆作为芯片的基础母材,其质量把控的关键环节之一便是对 BOW(弯曲度)的精确测量。而在测量过程中,特氟龙夹具的晶圆夹持方式与传统的真空吸附方式有着截然不同的特性,这些差异深刻影响
2025-01-21 09:36:24
520 
变硬件的情况下,通过软件编程来改变其功能。这种灵活性使得PLD芯片在快速原型开发、小批量生产和现场升级等方面具有显著优势。 2. PLD芯片的基本结构 PLD芯片的基本结构包括以下几个部分: 可编程逻辑单元(Logic Elements, LEs) :这些是PLD芯片中的基本构建
2025-01-20 09:36:46
1532 本文介绍了封装工艺简介及元器件级封装设备有哪些。 概述 电子产品制造流程涵盖半导体元件制造及整机系统集成,以晶圆切割成芯片为分界,大致分为前期工序与后期工序,如图所示。后期工序主要包含芯片封装
2025-01-17 10:43:06
1999 
过光刻、蚀刻、掺杂等一系列前端复杂工序后,在其表面形成了众多微小且功能完整的芯片单元。划片机通过精确控制的切割刀具,沿着芯片之间预先设计好的切割道进行切割,将晶圆分割
2025-01-14 19:02:25
1053 
本文主要介绍功率器件晶圆测试及封装成品测试。 晶圆测试(CP) 如图所示为典型的碳化硅晶圆和分立器件电学测试的系统,主要由三部分组成,左边为电学检测探针台阿波罗
2025-01-14 09:29:13
2358 
第一个工艺过程:晶圆及其制造过程。 为什么晶圆制造如此重要 随着技术进步,晶圆的需求量持续增长。目前国内市场硅片尺寸主流为100mm、150mm和200mm,硅片直径的增大会导致降低单个芯片制造成本的降低,所以目前300mm硅片的需求量也在
2025-01-09 09:59:26
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? 1、不同型号的8寸晶圆清洗机,其清洗槽的尺寸可能会有所不同。例如,某些设备可能具有较大的清洗槽以容纳更多的晶圆或提供更复杂的清洗工艺。 2、不同的制造商在设计8寸晶圆清洗机时,可能会根据其技术特点、市场需求和客户反
2025-01-07 16:08:37
569 随着半导体技术的飞速发展,晶圆级封装(Wafer Level Packaging, WLP)作为一种先进的封装技术,正逐渐在集成电路封装领域占据主导地位。晶圆级封装技术以其高密度、高可靠性、小尺寸
2025-01-07 11:21:59
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近期,莱迪思成功举办了其年度开发者大会,吸引了全球超过6000名行业精英、技术专家和技术爱好者共襄盛举。此次盛会聚焦于低功耗FPGA解决方案的最新进展,旨在探索可编程技术的无限可能。 为期两天
2025-01-07 11:08:42
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