全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）宣布，适用于主驱逆变器控制电路、电动泵、LED前照灯等应用的车载低耐压（40V/60V）MOSFET产品阵容中，又新增HPLF5060（4.9mm×6.0mm）封装产品。
2026-01-04 15:10:42
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深入探讨一下国际整流器公司（International Rectifier）推出的IR21592和IR21593这两款调光镇流器控制IC。 文件下载： IR21592PBF.pdf 一、产品概述
2025-12-30 17:25:19422 随着新能源汽车电驱系统与电池管理（BMS）对高效率、高可靠性功率器件需求的不断攀升，功率半导体技术正面临新一轮革新。为应对市场对更低损耗、更高功率密度解决方案的迫切需求，龙腾半导体正式推出新
2025-12-29 10:18:56617 
威兆半导体推出的VS8068AD是一款面向80V中压场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-262封装，适配中压中功率电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率
2025-12-26 11:50:1393 
依托超过1200项专利的技术积淀与全链路AI智造实力，国星光电正式推出DIP6封装可控硅光耦新品，以自主核心技术为智能控制注入安全新动能，为工业控制、智能家电、电机驱动等领域提供高端国产化解决方案。
2025-12-23 16:22:37202 
士兰微电子推出新一代组串电站逆变模块解决方案，采用与国际TOP友商最先进芯片技术对标的FS5+ IGBT芯片技术，最大化光伏电能转换效率；搭配士兰自主开发的D6封装，全面支持2000V系统应用需求。
2025-12-22 14:04:52762 
长晶科技重磅推出新一代 SGT Gen2.0工艺。在30V电压平台，与Gen1.0相比，Fom值可降低50%，超同期欧美系水平12.5%；相比上一代，Rsp值可降低41.6%，超同期欧美系水平
2025-12-18 10:08:23271 
：LFUS）是一家多元化的工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司今日宣布推出 MMIX1T500N20X4 X4级超级结功率MOSFET。这款200 V、480 A
2025-12-12 11:40:40376 
安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)宣布推出采用行业标准T2PAK顶部冷却封装的EliteSiC MOSFET，为汽车和工业应用的电源封装技术带来突破。这款新品为电动汽车、太阳能基础设施及储能系统等市场的高功率、高电压应用提供增强的散热性能、可靠性和设计灵活性。
2025-12-11 17:48:49736 使用L031封装是20pin的，是不是不需要外置晶振就可以用？如果想用外置晶振有参考配置吗？
2025-12-08 08:27:06
Melexis推出全新产品MLX91299。这是一款新型硅基RC缓冲器，专为提升碳化硅（SiC）功率模块的性能而设计。迈来芯依托在电机控制与电流传感领域的技术积累，精心打造了这款缓冲器，使其能够
2025-12-03 18:18:531231 
在电子电路设计中，肖特基二极管作为高频、低功耗应用的理想选择，其选型至关重要。德昌推出的SOD-123封装肖特基二极管系列，凭借其低正向压降、快速反向恢复时间和高可靠性，广泛应用于电源管理、高频
2025-11-25 16:55:43689 
作为工业自动化、信息化和数字化转型领域的全球领先企业之一，罗克韦尔自动化近日推出新型 Allen-Bradley Micro820 L20E 控制器。该控制器体积小巧，具备更出色的性能和更强的连接能力。其设计旨在简化集成并加快调试过程，帮助机器制造商提高运营效率并加速进入市场。
2025-11-24 17:44:59625 现代汽车技术的飞速发展浪潮中，车用照明系统正逐渐从传统的功能性组件转变为提升车辆安全、舒适与科技感的关键要素。作为全球领先的LED光电解决方案提供商，亿光电子凭借其深厚的技术底蕴与创新精神，推出新
2025-11-24 16:58:361141 
EPSON目前可以使用在卫星定位上的常规方案用TCXO：26mhz
EPSON目前主推2016封装的，不过很多板子2520与2016封装是可以共lay的
2025-11-21 15:37:541732 
Wolfspeed 宣布推出采用其第四代 (Gen 4) 技术的新型车规级塑封碳化硅功率模块（TM4），专为电动汽车牵引逆变系统设计，可根据具体需求灵活优化系统性能。
2025-11-20 09:13:161271 TDK株式会社重磅推出新型TMR传感器作为TDK广泛一系列面向玩家及游戏设备厂商的定制传感解决方案，赋予游戏键盘、手柄、鼠标、摄像头、AR/VR设备、方向盘及踏板极致性能和非凡游戏体验。这套传感
2025-11-14 11:04:04886 /11.5V欠压保护
双输入设计，灵活配置同相或反相驱动
工业级温度范围（-40°C~140°C），SOT23-5小封装
优势解析：
-之前用NPN+PNP搭驱动电路，光是匹配器件、布局布线就烦恼了
2025-11-12 08:27:29
在开关电源、UPS系统、工业自动化控制器等电力电子设备中，功率电阻器扮演着不可或缺的角色。光颉科技推出的TR50-RF系列厚膜功率电阻，凭借TO-220封装的优良散热特性和高达50W的功率处理能力
2025-11-11 11:57:54240 
及TO-247-3和TO-247-4封装扩展其CoolSiC™ 400V G2 MOSFET产品组合。此外，英飞凌还推出了三款额定电压为440V（连续）和455V（瞬态）的TOLL封装新产品
2025-10-31 11:00:59297 在汽车电子的中低压功率控制领域，从电动助力转向（EPS）到智能水泵、风机系统，对器件的可靠性、效率与电流承载能力提出了严苛要求。中科微电推出的车规级N沟道MOSFET——ZK60G270G，凭借
2025-10-27 14:18:15262 
一、产品概述MOT6586T是仁懋电子（MOT）推出的N沟道增强型MOSFET，采用TOLL-8L表面贴装封装，基于超级沟槽（SuperTrench）工艺设计，聚焦大功率系统逆变器、轻型电动车
2025-10-27 10:49:20222 
TO-220封装，既延续了TO-220封装在散热与装配上的普适性，又凭借SGT工艺突破传统MOSFET的损耗瓶颈，在工业控制、消费电子、备用电源等中小型功率场景中实
2025-10-21 11:38:20301 
工业通信核心组件：1×9封装TTL串口光纤模块深度解析 在工业自动化和智能制造领域，高效可靠的通信系统是连接各个环节的神经网络。1×9封装TTL串口光纤模块作为工业通信的核心组件，在这一生态中扮演着
2025-10-20 16:28:33490 ，Wolfspeed 面向汽车和工业市场发布商业化量产的顶部散热U2封装器件，来扩展系统设计选项。U2封装可作为对其他供应商生产的 MOSFET 的直接替代，为客户成熟的设计提供了采购灵活性，并改善了封装爬电距离，以支持 650 V 至 1200 V 系统的设计。符合车
2025-10-13 05:17:006242 近日，国内功率半导体领域迎来突破性进展——微碧半导体（VBsemi）正式推出新品VBGQTA1101，采用创新TOLT-16封装。这不仅是中国首款采用顶部散热技术的功率MOSFET，更以"热传导
2025-10-11 19:43:0019688 
Melexis推出新型嵌入式电机驱动芯片MLX81339。该芯片配备PWM/串行接口，专为工业应用设计，支持高达40W的三相无刷直流电机（BLDC）和步进电机控制，适用于风扇、泵及定位系统等紧凑型设备。其内置可编程闪存支持应用的全功能定制。
2025-10-10 10:45:50679 Nexperia(安世半导体)近日宣布推出符合AEC-Q101标准的新款100 V MOSFET，采用紧凑型CCPAK1212(12 x 12毫米)铜夹封装。此款器件具有超低导通损耗，导通电
2025-09-18 18:19:141109 Nexperia（安世半导体）近日推出40-100 V汽车MOSFET产品组合，该系列采用行业标准微引脚封装，专为车身控制、信息娱乐、电池防反保护及LED照明应用设计。
2025-09-12 09:38:45630 三环贴片电容0805封装的尺寸为长2.0mm、宽1.2mm（或1.25mm），厚度通常为0.5mm至0.8mm 。具体分析如下： 1、长度与宽度 ： 0805封装的命名源于其英制尺寸，即长0.08
2025-09-08 15:25:371540 ### SS262-VB MOSFET 产品简介SS262-VB 是一款单 N 通道 MOSFET，采用 SOP8 封装，设计用于高效能电源管理、负载开关和电池保护等应用。该 MOSFET 具有
2025-09-08 14:51:44
### 产品简介**IRF3205ZLPBF-VB** 是一款单极N沟道MOSFET，采用TO262封装，基于Trench技术。这款MOSFET设计用于高电流和中等电压的应用，具有出色的导通性
2025-09-04 09:42:05
### IRF3205LPBF-VB 产品简介**IRF3205LPBF-VB** 是一款高性能 N 通道 MOSFET，封装形式为 TO262。采用先进的 Trench 技术，这款 MOSFET
2025-09-03 17:51:01
### 产品简介**IRF3007L-VB** 是一款高性能单极N沟道MOSFET，采用TO262封装并采用Trench技术。这款MOSFET设计用于处理高电压和高电流的应用，具有优秀的导通性
2025-09-03 17:33:55
### 产品简介**IRF1405LPBF-VB** 是一款高性能的单极N沟道MOSFET，采用TO262封装，具有优异的电气特性和高电流处理能力。该MOSFET采用Trench技术，设计用于高效
2025-09-03 14:25:08
### IRF1010NL-VB 产品简介IRF1010NL-VB是一款采用TO262封装的单N沟道MOSFET，专为高电流应用设计。这款MOSFET具有60V的漏源电压（VDS）和±20V的栅源
2025-09-02 17:11:23
]第3代SiC MOSFET芯片，并采用表面贴装TOLL封装，适用于开关电源、光伏发电机功率调节器等工业设备。三款器件于今日开始支持批量出货。
2025-09-01 16:33:492081 
### 产品简介 - IPI80N03S4L-03-VBIPI80N03S4L-03-VB 是一款高性能单N沟道MOSFET，采用TO262封装，专为要求高电流和高效能的应用设计。其主要特性包括
2025-08-27 17:56:29
等。
PFR20200CT 封装：TO-220AB
PFR20200CTF 封装：TO-220F
PFR20200CTI 封装：TO-262
PFR20200CTB 封装 ：T0-263
PFR20200CTF肖特基二极管TO-220F封装200V20A 产品供应
2025-08-20 14:53:50
碳化硅（SiC）功率半导体技术引领者森国科，推出了采用SOT227封装的SiC MOSFET及JBS功率模块系列。这一突破性封装方案结合了高功率密度与系统级可靠性，为新能源发电、工业电源及电动汽车等领域提供高效能解决方案。
2025-08-16 13:50:093154 
在工业级USB传输应用中，随时能够完成接口转接十分必要。为了进一步提升USB转接的轻便度和耐用度，L-com诺通推出了一系列新型工业级USB 3.0转接头。
2025-08-13 16:00:55941 合科泰HKT系列产品推出新品N沟道增强型MOSFET，采用SGT屏蔽栅技术，其中HKTS80N06采用新款TOLL4封装优化散热，产品均符合RoHS环保标准，以低导通电阻和高电流承载，可适配封闭环境应用，如储能电池包BMS和车载OBC应用。
2025-08-12 16:54:001608 
Wolfspeed 推出第四代 (Gen 4) 1200 V 车规级碳化硅 (SiC) 裸芯片 MOSFET 系列，专为严苛的汽车环境设计。Wolfspeed 第四代高性能碳化硅 MOSFET，可在 185°C 下持续工作，助力动力总成系统实现最大性能。
2025-08-11 16:54:232327 。故障保护包括逐周期限流保护和过温保护。MP2359 采用 TSOT23-6 和 SOT23-6封装，最大限度地减少了现有外部元器件的使用。
产品特性和优势
1.2A 峰值输出电流
0.35Ω 内部功率
2025-08-06 19:07:40
### 产品简介**BUK6E2R0-30C-VB** 是一款采用 Trench 技术的单极 N 通道 MOSFET，封装形式为 TO262。这款 MOSFET 具有极低的导通电阻和高电流承载能力
2025-08-04 15:27:11
基本半导体推出34mm封装的全碳化硅MOSFET半桥模块，该系列产品采用第三代碳化硅MOSFET芯片技术，在比导通电阻、开关损耗、可靠性等方面表现更出色。
2025-08-01 10:25:141293 
在D-Sub连接中，针对专属应用，许多客户需要自己进行装配。为了进一步降低安装难度，提升连接自由度，L-com诺通推出了一系列新型组装式D-Sub护罩套件。
2025-07-29 14:53:19703 随着以太网线缆的持续升级，一部分带有特别属性的线缆，更能够轻松应对严苛工业环境中的连接考验。 为了进一步完善应用环境的以太网络传输，L-com诺通推出了一系列新型超6类屏蔽型以太网线缆。这些新品可选多种护套和颜色，非常适合数据中心和企业通信。产品已备货在库，可随时发货。
2025-07-21 17:58:04844
引脚兼容性：SL3073采用ESOP-8封装，需注意SW、EN、FB等关键引脚功能与MP4560的一致性（参考规格书第2页引脚定义）。
外围电路调整：
输出分压电阻需按公式 VOUT
2025-07-18 15:41:14
。车规级VLMRGB6122..在3.5 mm x 2.8 mm x 1.4 mm PLCC-6小型表面贴装封装中集成红色、绿色和蓝色芯片，采用独立阳极和阴极连接，能够分别控制每颗芯片的颜色，通过混色，
2025-07-17 10:29:116440 
圣邦微电子推出 SGMNL12330，一款 30V、TDFN 封装、单 N 沟道功率 MOSFET。该器件可应用于 PWM 应用、电源负载开关、电池管理和无线充电器。
2025-07-10 17:21:522287 
以太网RJ45插座的用途十分广泛，需要特别适配不同的连接环境。为了进一步提升工业级以太网插座的专属优势，L-com诺通推出了一系列新型超6类RJ45 Keystone IDC插座。
2025-07-09 11:36:10838 Wolfspeed 推出新型顶部散热（TSC） 碳化硅 MOSFET 和肖特基二极管 优化热管理并节约能耗 Wolfspeed 正在扩展其行业领先的碳化硅（SiC）MOSFET 和肖特基二极管分立
2025-07-09 10:50:321361 
新品采用ThinTOLL8x8封装的CoolSiC650VG2SiCMOSFET新增26mΩ，33mΩ产品第二代CoolSiCMOSFET650VG2分立器件产品线现扩充ThinTOLL8x8封装
2025-07-08 17:08:311019 
电子发烧友网综合报道 最近Wolfspeed的破产消息给业界带来了不小的震撼，虽然在资本层面面临危机，不过Wolfspeed当前的业务还是在正常推进的。Wolfspeed本周推出了新型的顶部散热封装
2025-07-08 00:55:003493 
【 2025 年 7 月 1 日 , 德国慕尼黑讯】 全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出新型CoolSiC
2025-07-02 15:00:301604 
新品采用D2PAK-7封装的CoolSiC650VG2SiCMOSFET第二代CoolSiCMOSFET650VG2分立器件系列推出D2PAK-7引脚封装（TO-263-7），该系列导通电阻（RDS
2025-07-01 17:03:111321 随着工业数据传输应用的连接要求日益提升，USB线缆需要具备多种优势属性。为了带给客户更好的连接体验，L-com诺通推出了一系列新型USB 3.0屏蔽型线缆组件。
2025-05-26 15:14:44868 、高性能、高可靠性，同时也注重成本效益。因此，对于大部分电源、充电器、电池管理系统 (BMS) 和电机驱动器，关键在于以适当的小尺寸封装和合适的价格提供恰当的RDS(on)值。Nexperia新发布的MLPAK33封装的60 V MOSFET系列产品正好满足了这一市场需求。
2025-05-23 13:33:33779 ”。这些器件配备其最新的[1]第3代SiC MOSFET技术，并采用紧凑型DFN8×8封装，适用于开关电源、光伏发电机功率调节器等工业设备。四款器件于今日开始支持批量出货。
2025-05-22 14:51:22901 
纳微半导体 (纳斯达克股票代码: NVTS) 今日推出一种全新的可靠性标准，以满足最严苛汽车及工业应用的系统寿命要求。纳微最新一代650V与1200V“沟槽辅助平面栅”碳化硅MOSFET，搭配优化的HV-T2Pak顶部散热封装，实现行业最高6.45mm爬电距离，可满足1200V以下应用的IEC合规性。
2025-05-14 15:39:301341 基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia（安世半导体）近日宣布推出一系列高效耐用的车规级碳化硅(SiC) MOSFET，其RDS(on)值分别为30、40和60 mΩ。这些器件
2025-05-09 19:42:5351531 近日，基本半导体正式推出新一代碳化硅MOSFET系列新品，产品性能进一步提升，封装形式更加丰富。首发规格包括面向车用主驱等领域的1200V/13.5mΩ、750V/10.5mΩ系列，面向光伏、储能等
2025-05-09 11:45:401018 
(FoM)上处于行业领先水平，之前仅提供工业级版本。随着获得AEC-Q101汽车标准认证，这些MOSFET现已适合用于多种应用场景，包括车载充电器(OBC)、电动车
2025-05-08 11:09:50620 
索尼宣布推出新型dTOF激光雷达（LiDAR）深度传感器AS-DT1，作为SONY（中国）官方授权经销商*1，轩展科技始终致力于前沿技术的推广与应用，并第一时间将这一创新成果呈现给行业伙伴与用户，共同见证索尼在智能感知领域的又一里程碑式突破。
2025-05-08 11:08:24925 
为推动下一代固态配电系统的发展，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）正在扩展其碳化硅（SiC）产品组合，推出了新型CoolSiCJFET产品系列。新系列产品拥有
2025-05-07 17:03:14629 2N7002KDW 是一款采用 SOT363封装 的双N沟道MOSFET，集成了ESD保护功能，兼具低导通电阻（RDS(ON)）与高耐压（60V）特性。其超小封装和低阈值电压（VTH=1.6V）使其成为便携式设备、信号开关和ESD敏感电路的理想选择。
2025-04-29 18:14:34
0 2N7002KDW 是一款采用 SOT363封装 的双N沟道MOSFET，集成了ESD保护功能，兼具低导通电阻（RDS(ON)）与高耐压（60V）特性。其超小封装和低阈值电压（VTH=1.6V）使其
2025-04-27 16:59:26
和定制模块化电缆卷筒（手动和电动）。该公司近期宣布为其手动电缆卷筒产品线推出新的在线配置器
。这种用户友好型工具使设计工程师能够创建手动电缆卷筒的定制配置，大大简化了设计流程，节省了宝贵的工程时间
2025-04-18 15:41:46
LTM4681 输入和输出的电容，可以使用0805封装的吗？
2025-04-17 06:49:05
TXN 系列是 TRACO POWER 推出的新一代金属封装 AC/DC 电源，结构紧凑、坚固耐用，专为成本敏感型的工业应用场景设计。
2025-04-08 16:59:591076 和软启动功能•关闭并启用控制•内置UVLO和短路保护•过电流和过温度保护•TSOT23-5封装应用•工业用隔离电源，汽车、电信设备•暖通空调系统•通用反激、降压-升压、降压转换器•监控摄像头应用
2025-04-08 10:43:00
具备高柔和拖链级属性的USB线缆，一直是工业数据传输环境中的必备产品。为了更好提升客户的使用体验，L-com诺通推出了一系列新型USB 2.0高柔拖链级线缆组件。
2025-04-08 10:11:58832 Nexperia（安世半导体）正式推出一系列性能高效、稳定可靠的工业级1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。
2025-03-21 10:11:001232 近日，Nexperia宣布推出一系列新型的1200V碳化硅(SiC)MOSFET，专为满足工业应用中的高效能和耐用性需求而设计。这些新产品不仅具备卓越的温度稳定性，还采用了先进的表面贴装(SMD
2025-03-20 11:18:11963 
供电、执行器控制等多个方面。特别是在需要快速响应和高效率的场合，TO-252封装的N沟道MOSFET更是表现出色。
2025-03-14 14:14:082251 
Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS, 纳斯达克代码:AOSL）推出两款先进的表面贴片封装选项，扩展其行业领先的高功率MOSFET产品组合。全新的 GTPAK
2025-03-13 13:51:461305 
英飞凌(Infineon)近日宣布，扩大其辐射耐受功率MOSFET系列，新增P沟道功率MOSFET，以满足日益增长的低地球轨道(LEO)空间应用需求。这一新产品的推出，标志着英飞凌在为新一代“新空间
2025-03-11 11:39:53736 
随着市场对高性能功率半导体器件宽SOA MOSFET需求的日益增长，新洁能（NCE）产品研发部门推出HO系列MOSFET产品，优化了SOA工作区间，可满足热插拔、缓启动、电子保险丝、电机驱动、BMS
2025-03-04 14:40:341237 
密集型布线对线缆要求更高，L-com诺通为了更好完善客户高密度布线应用，推出了新型6类屏蔽型超薄以太网线缆。
2025-02-21 09:36:36719 电子发烧友网站提供《SOD1001-1塑料,表面贴装封装.pdf》资料免费下载
2025-02-20 13:53:250 谁有CS1262的封装库或者 DEMO 开发板的资料
2025-02-14 14:59:00
没有问题吧？该芯片使用28V转5V，5V最大输出电流3A，输入28V电流是多少？
SN74ALVC164245封装中，DL、DGG性能一致？市面上都容易毛到？我考虑使用DL封装
谢谢！
2025-02-14 06:55:48
电子发烧友网站提供《SOD1002-1塑料、表面贴装封装.pdf》资料免费下载
2025-02-13 14:43:260 电子发烧友网站提供《SOT8061-1塑料、表面贴装封装.pdf》资料免费下载
2025-02-10 16:20:330 电子发烧友网站提供《SOT8098-1塑料、表面贴装封装.pdf》资料免费下载
2025-02-10 15:52:341 设计 SO-8（Small Outline-8）芯片的 PCB 封装需要遵循一定的规范和步骤。SO-8 是一种常见的表面贴装封装，具有 8 个引脚，引脚间距通常为 1.27mm（50 mil）。以下是设计 SO-8 封装的详细步骤和注意事项：
2025-02-06 15:24:265108 
PRISEMI芯导科技推出新品–全面应对手机EOS问题
2025-02-05 15:53:53803 
黑芝麻智能与美光科技将合作推出新型ADAS（高级驾驶辅助系统）解决方案。 1月24日，黑芝麻智能与美光科技共同宣布将合作推出新型ADAS（高级驾驶辅助系统）解决方案。该方案采用黑芝麻智能的华山
2025-01-24 12:13:143320 
紧凑型网络布线环境，需要更高质量的以太网线缆。为了更好完善客户网络应用环境，L-com诺通推出了一系列新型超6类直角弯头线缆组件。
2025-01-16 17:15:12989 近日，瑞萨电子公司宣布推出新型100V高功率N沟道MOSFET。这款产品专为电机控制、电池管理系统、电源管理及充电应用而设计，以其卓越的高电流开关性能和行业领先的技术表现成为市场焦点。新型
2025-01-13 11:41:38957 
电源;PD快充、车充、无
线充电;锂电池保护、电池化成;直流无刷电机驱动和控制、光伏逆变及新能源等应用领域。
砹德曼MOS 在PD车充的重点推荐型号
◆DCDC用MOSFET
AD30N54D3: 30V
2025-01-10 17:45:43
工业级专业领域USB数据传输时，可能会受到持续振动环境的困扰。为了更牢固的进行USB连接，L-com诺通推出了一系列新型带翼形螺丝的USB 3.0线缆组件。
2025-01-10 09:37:38790 圣邦微电子推出 SGMNQ32430，一款 30V，功率型，3.1mΩ 超低导通电阻，单通道 N 型，采用 TDFN-2×2-6BL 及 PDFN-3.3×3.3-8L 超小封装的 MOSFET 器件。该器件可应用于 VBUS 过电压保护开关，电池充放电开关和直流-直流转换器。
2025-01-08 16:34:241182 ### 产品简介**B140NF55-VB** 是一款单极N沟道MOSFET，封装形式为TO262。采用Trench技术，具有极低的导通电阻和超高的电流承载能力。这款MOSFET设计用于要求高电流
2025-01-07 11:16:01
电子发烧友网站提供《EE-262：面向ADSP-BF533用户的ADSP-BF537 Blackfin亮点.pdf》资料免费下载
2025-01-06 14:39:490 ### 一、AUIRL3705ZL-VB 产品简介AUIRL3705ZL-VB 是一款高性能的单N沟道功率MOSFET，封装形式为TO-262，采用先进的Trench技术制造。这款MOSFET专为高
2025-01-06 14:24:01
TO-262封装，基于先进的沟槽技术，具有极低的导通电阻和高电流处理能力。AUIRL1404L-VB 专为高效能电力转换和管理设计，适合需要高电流和高效能的应用场合。##
2025-01-06 14:10:23
### 产品简介**AUIRFSL3607-VB** 是一款高效单通道 N 沟道 MOSFET，封装形式为 TO-262。采用 Trench 技术，提供高电流和低导通电阻的性能，适用于高功率和高效能
2025-01-06 11:25:46
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