Nexperia推出新款汽车级SiC MOSFET，具备卓越效率与热稳定性

近日，Nexperia宣布推出一系列高效且坚固的汽车级碳化硅(金属氧化物半导体场效应晶体管，SiC MOSFET)，这些新产品在RDS(on)额定值方面分别为30、40和60 mΩ。这些产品在性能指标(FoM)上处于行业领先水平，之前仅提供工业级版本。随着获得AEC-Q101汽车标准认证，这些MOSFET现已适合用于多种应用场景，包括车载充电器(OBC)、电动车(EV)的牵引逆变器、直流-直流转换器以及供暖、通风和空调(HVAC)系统。

新款SiC MOSFET采用了表面贴装D2PAK-7封装，相较于传统的穿孔设备，这种封装形式在自动化装配过程中具备更高的兼容性，能提升生产效率。这一系列器件的推出，旨在满足汽车市场对高效能和高可靠性的迫切需求，特别是在电动车和可再生能源相关应用中。

在SiC MOSFET的性能中，RDS(on)参数是一个关键的性能指标，它直接影响到导电损耗。然而，单纯关注名义值并不全面，因为在工作温度升高的情况下，RDS(on)的值可能会显著上升，增加幅度通常超过100%，这将对导电效率造成重大影响。尤其是在使用表面贴装设备(SMD)封装的情况下，温度稳定性变得尤为重要，因为这类设备依赖于印刷电路板(PCB)进行热管理。

为了应对这一挑战，Nexperia通过其先进的工艺技术，开发出具有优异温度稳定性的SiC MOSFET。新产品在25°C到175°C的广泛工作温度范围内，RDS(on)仅增加38%。这种卓越的稳定性使得设计师能够在不影响性能的条件下，使用Nexperia提供的更高25°C RDS(on)额定值，进而实现更高的输出功率。

此外，Nexperia在未来的发展规划中，将进一步扩展其汽车级SiC MOSFET产品线，计划于2025年推出17 mΩ和80 mΩ RDS(on)变体。这一扩展将为下一代汽车动力应用提供更多选择，推动更高效的电力管理解决方案。

总体而言，Nexperia的新款汽车级SiC MOSFET通过在效率、热稳定性和兼容性方面的创新，为电动车和其他汽车应用提供了强有力的支持。随着全球汽车市场向电气化和智能化转型，Nexperia将继续致力于提供高性能的半导体解决方案，以满足不断增长的市场需求。