Toshiba推出高性能功率MOSFET TK系列

Toshiba推出高性能功率MOSFET TK系列

Toshiba推出新系列的功率MOSFET，这些功率MOSFET改善效率和具有快速开关速度，应用工作电压高达650V, 电流20A。新的TK系列器件适合用于各种新和新兴电源应用中，包括功率因数校正（PFC）设计和照明用镇流器。

Toshiba的TK系列MOSFET采用完全隔离的TO220SIS封装和普通的TO-3P(N)封装。两种封装的大小分别为10mmx15mmx4.5mm和15.9mmx20mmx5mm。所有TO220SIS器件具有Toshiba的‘Warp’封装，使用铜连接器而不是金属线连接。这就降低了内部连接的电阻，改善散热并支持处理更高电流。

新系列产品中提供的电压选择为450V，500V，525V，550V，600V和650V，漏极电流为2A~20A。RDS(ON)额定值为从5Ω低至仅0.27Ω。

公司网址：http://www.toshiba-europe.com/

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扬杰科技最新推出了一系列用于清洁能源的N60V MOSFET产品，产品采用特殊优化的SGT技术，具有较低的导通电阻Rdson和栅极电荷Qg，明显降低导通和开关损耗，同时提升了MOSFET抗冲击电流能力，非常适合应用于高功率密度和高效率电力电子变换系统。

2025-06-27 09:43:53

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BASiC基本公司SiC MOSFET碳化硅功率模块在商空热泵中的技术应用

随着全球对能源效率与低碳技术的需求日益增长，商空热泵(Commercial HVAC)作为大型建筑供暖、通风与空调系统的核心设备，亟需更高性能的功率器件以提升能效与可靠性。BASiC

2025-06-19 16:44:44

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290-00G发射配件连接器现货库存：高性能射频解决方案

290-00G发射配件连接器是SOUTHWEST西南微波推出的一款用作微波和射频技术应用的高性能连接器，主要用于射频微波元器件等领域，与同系列其他产品型号（如 290-01G、290-02G 等

2025-06-12 08:51:03

突破性能边界！捷捷微电车规MOSFET大揭秘！

引言随着汽车电子技术的飞速发展，捷捷微电推出了第二代车规MOSFET产品，致力于为汽车电源、电机驱动、锂电池管理等领域提供高性能解决方案。本文将带您深入了解捷捷微电车规MOSFET的技术优势、产品系列

2025-06-11 14:20:15

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新洁能推出第三代40V Gen.3 SGT MOSFET系列产品

作为国内MOSFET功率器件研发的先行者之一，新洁能始终致力于功率半导体核心技术的突破，其研发团队持续创新，正式推出第三代SGT产品Gen.3 SGT MOSFET，电压涵盖25-150V系列

2025-06-11 08:59:59

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高性能隔离型门极驱动器 BTD5350x：开启高效功率控制新维度

高性能隔离型门极驱动器 BTD5350x：开启高效功率控制新维度在新能源与电力电子领域快速发展的今天，功率器件的高效驱动与可靠隔离成为系统设计的核心挑战。基本半导体推出的BTD5350x 单通道

2025-06-10 09:00:57

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新品 | 采用高性能DCB的Easy B系列CoolSiC™ 2kV SiC MOSFET模块

新品采用高性能DCB的EasyB系列CoolSiC2kVSiCMOSFET模块英飞凌EasyDUAL和EasyPACK2B2kV、6mΩ半桥和三电平模块采用CoolSiCSiCMOSFET增强型1代

2025-06-03 17:34:31

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使用 N-MOSFET 作为功率吸收路径有哪些优点？

CCG8 使用 GPIO 来控制 FET 栅极驱动器的功率吸收路径，我可以使用 P-MOSFET 作为电源接收路径吗？使用 N-MOSFET 作为功率吸收路径有哪些优点？

2025-05-28 06:51:33

MDD辰达半导体推出全新SGT系列MOSFET

在服务器电源、工业驱动及新能源领域，MOSFET的性能直接决定系统的能效与可靠性。为满足高密度、高效率需求，MDD辰达半导体推出全新SGT系列MOSFET，其中MDDG03R04Q(30V N沟道增强型MOS)凭借3.5mΩ低导通电阻与屏蔽栅优化技术，为同步整流、电机驱动等场景提供高效解决方案。

2025-05-21 14:04:38

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圣邦微电子推出30V单N沟道功率MOSFET SGMNQ36430

圣邦微电子推出 SGMNQ36430，一款 30V 单 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件可应用于 CPU 电源传输、DC/DC 转换器、功率负载开关以及笔记本电池管理等领域。

2025-05-09 16:57:26

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基本半导体推出新一代碳化硅MOSFET

近日，基本半导体正式推出新一代碳化硅MOSFET系列新品，产品性能进一步提升，封装形式更加丰富。首发规格包括面向车用主驱等领域的1200V/13.5mΩ、750V/10.5mΩ系列，面向光伏、储能等

2025-05-09 11:45:40

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TurMass™ TK8620 开发平台使用体验报告

TurMass™ TK8620 开发平台使用体验报告一、引言**** TurMass™ TK8620开发平台是上海道生物联技术有限公司推出的物联网无线通信解决方案，基于TK8620终端芯片

2025-04-24 02:18:57

TPA3255高性能D类功率放大器英文手册

电子发烧友网站提供《TPA3255高性能D类功率放大器英文手册.pdf》资料免费下载

2025-04-16 17:20:01

金升阳推出高性能第三代插件式单路驱动电源

随着新能源电动汽车行业的蓬勃发展，其动力系统的关键组件：IGBT及SiC MOSFET驱动件需求量十分可观;为更好地迎合上述市场的需求，金升阳推出了高性能的第三代插件式单路驱动电源QA_(T)-R3S系列(“T”为贴片式封装)。

2025-04-09 17:25:26

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ZS616AL高性能PWM+MOSFET控制器中文手册

ZS616AL内置专用电流模式脉宽调制（PWM）控制器与高电压功率管（MOSFET）。它针对27W以下的高性能。低待机功率以及经济高效的反激式转换器应用进行了优化。提供全面的的保护覆盖。包括

2025-04-08 15:19:01

ZS614XL高性能PWM+MOSFET控制器中文手册

ZS614SL内置专用电流模式脉宽调制（PWM）控制器与高电压功率管（MOSFET）。它针对27W以下的高性能。低待机功率以及经济高效的反激式转换器应用进行了优化。提供全面的的保护覆盖。包括

2025-04-08 15:17:56

Vishay推出第4.5代650V E系列高效能电源MOSFET

VishayIntertechnology,Inc.近日宣布推出其最新的电源半导体技术创新——第4.5代650VE系列电源MOSFET，型号为SiHK050N65E。该产品的推出旨在提升电信、工业

2025-03-27 11:49:46

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MOSFET与IGBT的区别

的主要因素，讨论二极管恢复性能对于硬开关拓扑的影响。 SMPS的进展一直以来，离线式SMPS产业由功率半导体产业的功率元件发展所推动。作为主要的功率开关器件IGBT、功率MOSFET和功率二极管正不断

2025-03-25 13:43:17

LTS7428TE/LTS7428TK N沟道增强型功率MOSFET规格书

电子发烧友网站提供《LTS7428TE/LTS7428TK N沟道增强型功率MOSFET规格书.pdf》资料免费下载

2025-03-24 11:17:55

Nexperia推出采用X.PAK封装的1200V SiC MOSFET

Nexperia（安世半导体）正式推出一系列性能高效、稳定可靠的工业级1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。

2025-03-21 10:11:00

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TK1040高速低功率CAN总线收发器性能简介

TK1040高速低功耗CAN总线收发器，性能卓越，12KV ESD保护，完美替代TJA1040

2025-03-20 15:48:24

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ROHM推出超低导通电阻和超宽SOA范围的Nch功率MOSFET

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向企业级高性能服务器和AI服务器电源，开发出实现了业界超低导通电阻*1和超宽SOA范围*2的Nch功率MOSFET*3。

2025-03-13 15:08:04

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DP2701德普高性能恒流恒压原边控制功率开关

DP2701X 是一款高性能、低成本的原边控制功率开关，内置高压功率三极管，可提供高精度恒压和恒流输出性能，尤其适合于小功率离线式充电器应用。采用 DP2701X 可以工作无异音，同时可保证优异

2025-03-10 09:28:25

EVASH推出高性能Ultra EEPROM芯片，助力智能设备创新

EVASH推出高性能Ultra EEPROM芯片，助力智能设备创新

2025-03-09 15:30:46

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新洁能推出HO系列MOSFET产品

随着市场对高性能功率半导体器件宽SOA MOSFET需求的日益增长，新洁能（NCE）产品研发部门推出HO系列MOSFET产品，优化了SOA工作区间，可满足热插拔、缓启动、电子保险丝、电机驱动、BMS

2025-03-04 14:40:34

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LTS4008TE/LTS4008TK N沟道增强型功率MOSFET数据表

电子发烧友网站提供《LTS4008TE/LTS4008TK N沟道增强型功率MOSFET数据表.pdf》资料免费下载

2025-03-01 17:13:19

英飞凌发布全新高性能PSOC Control微控制器系列

英飞凌推出基于Arm Cortex-M33的最新高性能微控制器(MCU)系列PSOC Control。在ModusToolbox系统设计工具和软件的支持下，这款综合全面的解决方案使开发人员能够轻松创建高性能、高效率且安全的电机控制和功率转换系统。

2025-02-20 09:22:20

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矽磊芯品SV17功率放大器系列新增8款高性能芯片

近期，矽磊芯品在功率放大器领域取得了重要进展，其SV17功率放大器系列产品迎来了全新升级。此次更新，公司一次性推出了8款全新高性能芯片，以满足市场对高性能、多频段功率放大器的迫切需求。这8款全新

2025-02-12 10:28:58

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康佳特推出高性能COM-HPC模块conga-HPC/cBLS

德国康佳特，作为嵌入式和边缘计算技术的领先供应商，近日宣布扩展其高性能COM-HPC计算机模块产品线，推出了全新的conga-HPC/cBLS模块。这款模块专为需要强大计算性能的边缘与基础设施

2025-02-08 16:49:16

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英飞凌推出PSOC™ Control MCU，提升电机控制与功率转换效能

全球功率系统及物联网半导体领导者英飞凌科技股份公司，近期推出了基于Arm®Cortex®-M33的高性能微控制器(MCU)系列——PSOC™ Control。这款MCU系列专为电机控制和功率转换

2025-02-06 11:16:38

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高压护航，性能领先！纳芯微推出智能隔离驱动NSI67X0系列

纳芯微正式推出具有隔离模拟采样功能的智能隔离驱动 NSI67X0 系列，该系列适用于驱动 SiC、IGBT 和 MOSFET 等功率器件，兼具车规等级（满足 AEC-Q100 标准）和工规等级，可广泛适用于新能源汽车、空调、电源、光伏等应用场景。

2025-01-24 15:44:06

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先楫半导体发布高性能HPM6E8Y系列MCU

近日，上海先楫半导体科技有限公司，国内领先的高性能微控制器及嵌入式解决方案提供商，推出了专为机器人运动与控制设计的高性能MCU产品——HPM6E8Y系列。这一创新产品为当前蓬勃发展的机器人市场带来了全新的活力。

2025-01-23 15:40:56

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瑞萨电子推出全新100V大功率MOSFET

全球领先的半导体解决方案提供商瑞萨电子，近日宣布了一项重要技术创新——基于其全新的MOSFET晶圆制造工艺REXFET-1，成功推出了两款100V大功率N沟道MOSFET：RBA300N10EANS

2025-01-22 17:04:06

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SemiQ推出1700 V SiC MOSFET系列，助力中压大功率转换领域

近日，全球知名碳化硅(SiC)功率半导体制造商SemiQ正式发布了一款1700 V SiC MOSFET系列新品，专为中压大功率转换应用设计。

2025-01-22 11:03:22

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瑞萨电子推出新型 100V 高功率 MOSFET，助力多领域应用

近日，瑞萨电子公司宣布推出新型100V高功率N沟道MOSFET。这款产品专为电机控制、电池管理系统、电源管理及充电应用而设计，以其卓越的高电流开关性能和行业领先的技术表现成为市场焦点。新型

2025-01-13 11:41:38

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Toshiba推出高性能功率MOSFET TK系列

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