Toshiba推出采用最新一代工艺技术[1]的100V N沟道功率MOSFET，以提升工业设备开关电源效率

Toshiba推出了“TPH2R70AR5”——一款采用Toshiba最新一代工艺U-MOS11-H[1]制造的100V N沟道功率MOSFET。该MOSFET的目标应用包括数据中心和通信基站所用工业设备的开关电源。产品发货自即日起开始。

100V U-MOS11-H系列在Toshiba现有U-MOSX-H系列工艺的基础上，优化了漏源导通电阻(RDS(ON))、总栅极电荷(Qg)及二者的权衡特性(RDS(ON) × Qg)，从而降低了传导损耗和开关损耗。

与U-MOSX-H系列产品TPH3R10AQM相比，TPH2R70AR5的RDS(ON)降低约8%，Qg降低37%，RDS(ON) × Qg改善42%。通过应用寿命控制技术[2]，该产品还实现了高速体二极管性能，减少了反向恢复电荷(Qrr)并抑制了尖峰电压。Qrr改善约38%，RDS(ON) × Qrr也改善约43%。这些行业领先的[3]权衡特性[4]（RDS(ON) × Qg和RDS(ON) × Qrrr）将功率损耗降至最低，有助于提升电源系统的效率和功率密度。此外，它采用SOP Advance (N)封装，与行业标准具有出色的安装兼容性。

Toshiba还提供电路设计支持工具：可快速验证电路功能的G0 SPICE模型，以及能精确再现瞬态特性的高精度G2 SPICE模型。所有工具现已全面可用。

Toshiba将继续扩展低损耗MOSFET产品线，助力打造更高效率的电源，为降低设备功耗做出贡献。

注：
[1] 截至2025年9月，Toshiba的低压功率MOSFET工艺技术之一。Toshiba调查。
[2] 寿命控制技术：通过利用离子束在半导体中引入缺陷，有意缩短载流子寿命，从而提高开关速度，改善二极管的恢复速度并降低噪声。
[3] 截至2025年9月，与其他用于工业设备的100V N沟道功率MOSFET相比。Toshiba调查。
[4] RDS(ON)×Qg : 120mΩ・nC（典型值），RDS(ON) ・Qrr : 127mΩ×nC（典型值）

应用领域

数据中心和通信基站所用工业设备的电源

开关电源（高效DC-DC转换器等）

产品特点

低漏源导通电阻：RDS(ON)＝2.7mΩ（最大值）(VGS=10V, ID=50A, Ta＝25°C)

低总栅极电荷：Qg=52nC（典型值）(VDD=50V, VGS=10V, ID=50A, Ta＝25°C)

低反向恢复电荷：Qrr=55nC（典型值）(IDR＝50A, VGS=0V, -dIDR /dt=100A/μs, Ta＝25°C)

主要规格

（除非另有说明，否则Ta=25°C）
部件编号				TPH2R70AR5
绝对 最大 额定值	漏源电压 VDSS (V)			100
	漏极电流（直流）ID (A)		Tc=25°C	190
	沟道温度 Tch (°C)			175
电气 特性	漏源导通 电阻 RDS(ON) (mΩ)	VGS=10V, ID=50A	最大值	2.7
		VGS=8V, ID＝50A	最大值	3.6
	总栅极电荷 Qg (nC)	VDD=50V, VGS=10V, ID=50A	典型值	52
	栅极开关 电荷 Qsw (nC)		典型值	17
	输出电荷 Qoss (nC)	VDD=50V, VGS=0V, f=1MHz	典型值	106
	输入电容 Ciss (pF)	VDS=50V, VGS=0V, f=1MHz	典型值	4105
	反向恢复 电荷 Qrr (nC)	IDR＝50A, VGS=0V, -dIDR /dt=100A/μs	典型值	55
封装	名称			SOP Advance(N)
	尺寸(mm)		典型值	5.15×6.1

审核编辑 黄宇