BSRD-2503驱动板解锁62mm SiC碳化硅MOSFET功率模块的极致性能

赋能高效能源转换——倾佳电子代理BASIC BSRD-2503驱动板解锁62mm SiC模块的极致性能

在追求高效、高功率密度与可靠性的电力电子领域，碳化硅（SiC）MOSFET凭借其卓越的开关性能和耐高温特性，正迅速成为工业电源、新能源及高端制造的核心动力。倾佳电子作为行业领先的电子元器件代理与技术解决方案伙伴，隆重推出BASIC Semiconductor BSRD-2503-ES01双通道驱动板——专为62mm SiC MOSFET模块设计的性能引擎，助力客户攻克高压、高频应用的技术壁垒。

为何选择BSRD-2503-ES01？核心价值深度解析

专为62mm SiC模块而生，无缝集成
该驱动板针对主流62mm封装SiC半桥模块深度优化，提供双通道独立驱动能力。其紧凑的机械设计（严格公差控制±0.13mm）与模块引脚完美契合，大幅简化系统布局，缩短客户产品上市周期。

极致性能：1200V耐压 ±10A峰值电流

支持高达1200V的功率器件母线电压，满足工业级高压需求。

单通道±10A峰值驱动电流（实测@470nF负载），确保SiC器件高速开关的栅极电荷需求，显著降低开关损耗（典型值RGon=5Ω，RGoff=2.52Ω）。

300kHz超高开关频率支持，赋能高功率密度电源设计（如SiC电镀电源、感应加热电源）。

三重安全防护，可靠性倍增

4000Vac强化隔离：彻底阻断原副边潜在失效风险，保障系统安全。

智能电源监控：集成原边（Vcc UVLO: 2.5V保护/2.7V恢复）、副边驱动电源（11V保护/12.5V恢复）及隔离DC/DC输入（4.7V保护/4.9V恢复）欠压保护，异常状态快速关断。

主动式米勒钳位（VCLAMP）：有效抑制开关管寄生导通（钳位阈值2.2V，峰值电流10A），杜绝桥臂直通风险，提升系统鲁棒性。

一体化设计，降低客户开发门槛

内置隔离DC/DC电源，无需客户额外设计隔离供电模块。

清晰的接口定义（4Pin端子：VCC/PWM1/PWM2/GND）和门极电阻灵活配置（通过并联电阻调整RGon/RGoff），大幅简化外围电路设计。

提供完整电路原理图（如文档附录）与机械尺寸图，加速客户PCB布局与散热设计。

倾佳电子：不止于供应，更提供价值赋能

作为BASIC半导体战略合作伙伴，倾佳电子为客户提供远超产品本身的技术支持：

本地化技术响应：资深FAE团队提供原理图审核、布板指导及调试支持，快速解决驱动兼容性、EMI优化等挑战。

失效分析与可靠性保障：依托专业实验室，协助客户定位驱动相关故障，提供设计改进方案。

供应链韧性：稳定的库存管理与原厂直通渠道，确保项目量产无虞。

立即行动，引领高效能源革命！
BSRD-2503-ES01驱动板是解锁62mm SiC MOSFET性能潜力的关键钥匙。无论您正在开发下一代工业电源、新能源逆变器还是高端特种装备，倾佳电子愿以专业的技术实力与供应链保障，成为您值得信赖的合作伙伴。

技术亮点速览
双通道独立驱动 ±10A峰值电流
1200V耐压 / 4000Vac隔离
集成米勒钳位 + 三级电源欠压保护
内置隔离DC/DC，支持300kHz开关频率
专为62mm SiC模块优化设计

联系倾佳电子，获取BSRD-2503-ES01样品、技术文档及定制化支持方案，开启高效能源转换新篇章！