上海贝岭IGBT与MOSFET高效能功率器件产品介绍

在工业自动化、新能源应用和高效电源系统蓬勃发展的今天，对功率半导体器件的性能、效率和可靠性提出了前所未有的高要求。上海贝岭作为国内领先的模拟及功率半导体供应商，始终致力于核心工艺技术的创新与突破，持续迭代升级IGBT和MOSFET技术平台，通过精密的芯片结构设计、优化的制造工艺和先进的封装方案，打造了一系列高性能、高可靠性的功率器件产品。这些产品旨在满足严苛应用环境下的高效率运行和长期稳定需求，为客户提供更具竞争力的系统级解决方案。以下是上海贝岭IGBT与MOSFET高效能功率器件产品介绍：

650V系列 IGBT产品：

• 10A~75A系列：基于贝岭第6代Trench FS IGBT工艺平台，采用3μm pitch微沟槽工艺。正面通过精密调控“Gate沟槽 + dummy沟槽”比例，背面应用优化的H FS工艺，实现优异的Vcesat-Eoff折衷性能与强大的短路能力。终端采用优化的“FLR+场板技术”，确保最高工作结温175℃下的可靠性，并通过HV-H3TRB加严测试。

• 80A~200A系列：升级至第7代Trench FS IGBT工艺平台，采用更精细的1.6μm pitch微沟槽工艺。正面通过优化“Gate沟槽 + E短接沟槽 + dummy沟槽”三种沟槽设计比例，结合优化的H FS工艺，实现足够低的Vcesat、良好的开关损耗及满足电机驱动需求的短路能力。终端采用优化的“VLD技术”，提升芯片利用率的同时，保障175℃结温工作能力及通过HV-H3TRB可靠性验证。

40V SGT MOS产品：

• 基于最新的低压SGT工艺平台，采用红磷衬底及HDP（高密度等离子体）工艺。红磷衬底电阻率显著低于传统材料，HDP工艺实现高密度元胞，有效降低沟道电阻与整体导通电阻(Rdson)。高密度设计下晶圆仍可安全减薄（非taiko），进一步降低衬底电阻。
• 封装 (PDFN5*6)：
  • 常规铝带键合：封装电阻优于铝丝，成本效益高。
  • 铜片Clip Bonding：大幅降低封装电阻，提升过流能力。

80~150V SGT MOS产品：

基于最新的中高压SGT工艺平台，采用双层外延(EPI)设计优化电场分布，在保持击穿电压(BV)的同时降低导通电阻(Rdson)。

• 80~100V系列：精密工艺实现高密度元胞与晶圆减薄（非taiko），降低衬底电阻。
• 150V系列：应用HDP工艺实现高密度元胞，有效降低沟道电阻与栅电荷(Qg)。

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