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      新品 | 采用高性能DCB的Easy B系列CoolSiC™ 2kV SiC MOSFET模块

      英飞凌工业半导体 • 2025-06-03 17:34 • 次阅读
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      新品

      采用高性能DCB的Easy B系列

      CoolSiC 2kV SiC MOSFET模块

      f302faf2-405d-11f0-986f-92fbcf53809c.jpg


      英飞凌EasyDUAL和EasyPACK 2B 2kV、6mΩ半桥和三电平模块采用CoolSiC SiC MOSFET增强型1代M1H芯片，集成NTC温度传感器，PressFIT触点技术和氮化铝陶瓷DCB。目标应用直流-直流变换器，电动汽车充电，光伏和储能系统等。


      产品型号：

      ■FF6MR20W2M1HB70

      ■F3L6MR20W2M1HB70


      产品特点

      同类最佳封装，高度为12毫米

      先进的WBG材料

      模块杂散电感极低

      栅源电压范围宽

      开关和导同损耗低

      过载运行温度最高可达175°C

      应用价值


      提高系统效率

      降低冷却要求

      实现更高频率

      提高功率密度

      紧凑型设计

      与1500V直流母线完美匹配


      竞争优势


      扩展2kV产品组合，为客户提供可扩展的解决方案，满足更高的应用要求

      新模块配备了最新的高性能陶瓷(AlN)DCB，有助于延长系统使用寿命和/或支持更高的额定功率


      应用领域


      直流-直流变换器

      电动汽车充电

      光伏

      储能系统


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