SemiQ推出1700 V SiC MOSFET系列，助力中压大功率转换领域

近日，全球知名碳化硅(SiC)功率半导体制造商SemiQ正式发布了一款1700 V SiC MOSFET系列新品，专为中压大功率转换应用设计。这些产品广泛适用于光伏和风能逆变器、储能系统、电动汽车及充电设施、不间断电源(UPS)以及感应加热和焊接系统等场景。

本次推出的QSiC™ 1700 V高速平面型D-MOSFET系列具备高功率密度和紧凑的系统设计优势，显著降低了整体系统成本。这一系列产品采用了高可靠性设计，内置的体二极管能够在高达175°C的环境下稳定运行。此外，所有器件均经过超过1900 V的高电压测试和600 mJ的UIL雪崩测试，确保在长时间使用中的稳定性和安全性。

该系列产品提供多种封装形式，包括裸片(GP2T030A170X)和带有4引脚的TO-247-4L封装(GP2T030A170H)，支持用户根据实际需求灵活选择。此外，SemiQ还推出了符合汽车级AEC-Q101认证的型号(AS2T030A170X和AS2T030A170H)，进一步满足汽车电子领域的高可靠性要求。

QSiC 1700 V SiC MOSFET系列凭借低开关损耗、低导通损耗和低电容特性，在行业内树立了新的性能标杆。每个器件还通过了晶圆级老化测试(WLBI)，从而有效筛除可能存在潜在缺陷的器件，提升产品整体质量。

具体而言，裸片和TO-247-4L封装的产品具备564 W的功率耗散能力，连续漏极电流在25°C下为83 A(100°C下为61 A)，脉冲漏极电流在25°C下可达250 A。其导通电阻(RDSON)在25°C时为31 mΩ(125°C时为57 mΩ)，反向恢复时间(tRR)仅为17 ns，充分满足高效能场景的应用需求。

为了进一步简化系统设计，SemiQ还推出了三款模块化产品，包括采用S3封装(标准62 mm半桥模块)的模块，以及两款SOT-227封装的功率模块。这些模块化设计不仅支持更高的功率密度，还具有便捷的安装方式，可直接固定于散热器上。

其中，62 mm半桥模块的功率耗散能力高达2113 W，其连续漏极电流为397 A，脉冲漏极电流可达700 A，结壳热阻仅为0.06°C/W，这使其成为高性能应用中的理想选择。而SOT-227模块则兼具高功率输出和低热阻性能，最大功率耗散能力达到652 W，适用于要求高效散热的应用环境。

随着碳化硅技术在电力电子领域的快速发展，SemiQ的1700 V SiC MOSFET系列为中压大功率转换领域提供了强有力的技术支持。凭借其高功率密度、高可靠性和多样化选择，该系列产品有望在光伏、储能、充电设施等多个行业中发挥重要作用，助力我国新能源和电力电子产业的持续升级。

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