MDD辰达半导体推出全新SGT系列MOSFET

在服务器电源、工业驱动及新能源领域，MOSFET的性能直接决定系统的能效与可靠性。为满足高密度、高效率需求，MDD辰达半导体推出全新SGT系列MOSFET，其中MDDG03R04Q(30V N沟道增强型MOS)凭借3.5mΩ低导通电阻与屏蔽栅优化技术，为同步整流、电机驱动等场景提供高效解决方案。

01极低导通电阻Trench MOS

MDDG03R04Q采用MDD的Trench工艺，结合屏蔽栅结构，通过优化载流子迁移路径与电场分布，实现：

1、极低导通电阻:RDS(on)低至3.5mΩ(VGS=10VID=20A)，显著降低导通损耗。

2、快速开关性能：优化栅极电荷(Qg)与软恢复体二极管，支持高频应用。

3、工业级可靠性：100% UIS测试认证，确保雪崩能量耐受能力。

02核心性能与关键参数

超低导通电阻

RDS(on)@10V=3.5mΩ：MDDG03R04Q相比传统MOSFET，导通损耗降低，提升电源转换效率。

低反向恢复电荷(Qrr)：减少同步整流中的反向导通损耗，优化系统能效。

快速开关响应：开启/关断延迟时间优化，适配高频PWM控制。

可靠性认证与环保标准

100% UIS测试：单脉冲雪崩能量(EAS)通过严格验证，保障感性负载场景稳定性。

RoHS合规：无铅环保工艺，符合全球环保法规。

热性能与封装设计

PDFN3*3-8L封装：贴片式金属背板设计提升散热能力，支持持续高电流工况。

宽温工作范围：-55℃~150℃，适应严苛环境。

03测试电路和波形

04应用场景

1、同步整流(ATX/服务器/电信PSU)

MDDG03R04Q的低RDS(on)与Qrr特性：优化DC/DC转换效率，减少同步整流损耗，适用于钛金级电源设计。

高频开关能力：适配LLC谐振拓扑，提升功率密度。

2、工业电机驱动与不间断电源(UPS)

80A持续电流能力：支持伺服电机、AGV小车驱动需求。

高雪崩能量耐受：应对电机启停与电池切换瞬态冲击，系统可靠性提升25%。

3、微型太阳能逆变器(Micro Solar Inverter)

高效MPPT控制：低导通损耗提升光伏能量转换效率。

宽温工作范围：适应户外极端温度波动，保障长期稳定运行。

04选型推荐表

除MDDG03R04Q之外，MDD新推出的低压大电流系列MOS针对不同的应用场景，推出不同的型号，以满足各行业匹配需求。

关 于 我 们

深圳辰达半导体有限公司(简称MDD辰达半导体)是一家专注于半导体分立器件研发设计、封装测试及销售的国家高新技术企业。

公司深耕半导体领域17载，始终坚持以产品技术为驱动，以客户需求为核心，打造涵盖MOSFET、二极管、三极管、整流桥、SiC等全系列、高可靠、高性能的产品服务矩阵，产品广泛应用于新能源汽车、工业控制、消费电子、通信、家电、医疗、照明、安防、仪器仪表等多个领域，服务于全球40多个国家与地区。