探索 onsemi NVBLS1D5N10MC：高性能 N 沟道 MOSFET 的卓越之选

在电子工程领域，MOSFET 作为关键的功率开关器件，其性能直接影响到整个电路系统的效率与稳定性。今天，我们就来深入探讨 onsemi 推出的 NVBLS1D5N10MC 这款 100V、1.5mΩ、300A 的单 N 沟道 MOSFET，看看它有哪些独特的魅力。

文件下载：onsemi NVBLS1D5N10MC N沟道PowerTrench® MOSFET.pdf

特性亮点

低损耗设计

NVBLS1D5N10MC 具有极低的导通电阻 $R{DS(on)}$，这一特性能够最大程度地减少导通损耗，提高电路的效率。同时，它的低栅极电荷 $Q{G}$ 和电容，可有效降低驱动损耗，为工程师在设计高效电源电路时提供了有力支持。大家在实际设计中，是否有遇到过因导通损耗过大而影响电路性能的情况呢？

汽车级标准

该器件通过了 AEC - Q101 认证，并且具备 PPAP 能力，这意味着它能够满足汽车电子等对可靠性要求极高的应用场景。在汽车电子日益发展的今天，这样的特性无疑为其在汽车领域的应用打开了广阔的市场。

低噪声与环保

它能够降低开关噪声和 EMI，有助于减少电磁干扰对其他电路的影响。而且，该器件是无铅产品，符合 RoHS 标准，体现了环保理念，顺应了电子行业绿色发展的趋势。

典型应用

极限参数

电压与电流参数

参数	符号	数值	单位
漏源电压	$V_{DSS}$	100	V
栅源电压	$V_{GS}$	±20	V
连续漏极电流（$T_{C}=25^{\circ}C$）	$I_{D}$	300	A
脉冲漏极电流（$T{A}=25^{\circ}C$，$t{p}=10\mu s$）	$I_{DM}$	900	A

这些参数为我们在设计电路时提供了明确的边界，确保器件在安全的工作范围内运行。当我们需要设计大电流、高电压的电路时，就需要特别关注这些极限参数，避免因超出范围而损坏器件。

功率与温度参数

参数	符号	数值	单位
功率耗散（$T_{C}=25^{\circ}C$）	$P_{D}$	331	W
工作结温和存储温度范围	$T{J}$，$T{stg}$	-55 至 +175	$^{\circ}C$

需要注意的是，整个应用环境会对热阻产生影响，热阻并非恒定值，仅在特定条件下有效。在实际应用中，我们要充分考虑环境温度对器件性能的影响，合理设计散热方案。

电气特性

关断特性

• 漏源击穿电压：$V{(BR)DSS}$ 在 $V{GS}=0V$，$I_{D}=250\mu A$ 时为 100V，并且具有 60mV/$^{\circ}C$ 的温度系数。这表明在不同的温度环境下，击穿电压会有所变化，我们在设计时需要考虑温度因素对其的影响。
• 零栅压漏极电流：$I{DSS}$ 在 $V{DS}=100V$，$V{GS}=0V$，$T{J}=125^{\circ}C$ 时为 100μA，体现了器件在关断状态下的漏电情况。

导通特性

• 栅极阈值电压：$V{GS(TH)}$ 在 $V{GS}=V{DS}$，$I{D}=799\mu A$ 时为 2.0 - 4.0V，其阈值温度系数为 -9.3mV/$^{\circ}C$。这意味着随着温度的升高，阈值电压会降低，我们在设计驱动电路时要考虑这一特性。
• 漏源导通电阻：$R{DS(on)}$ 在 $V{GS}=10V$，$I_{D}=80A$ 时为 1.2 - 1.5mΩ，低导通电阻有助于降低导通损耗。

电荷与电容特性

输入电容 $C{ISS}$、输出电容 $C{OSS}$ 和反向传输电容 $C_{RSS}$ 等参数，对于理解器件的动态特性至关重要。例如，低电容值可以减少开关过程中的能量损耗，提高开关速度。大家在设计高速开关电路时，是否会特别关注这些电容参数呢？

开关特性

开关特性包括开启延迟时间 $t{d(ON)}$、上升时间 $t{r}$、关断延迟时间 $t{d(OFF)}$ 和下降时间 $t{f}$ 等。这些参数在 $V{GS}=10V$，$V{DS}=50V$，$I{D}=80A$，$R{G}=6\Omega$ 的条件下给出，并且开关特性与工作结温无关。这为我们在不同温度环境下设计开关电路提供了便利。

漏源二极管特性

• 正向二极管电压：$V{SD}$ 在 $V{GS}=0V$，$I{S}=80A$，$T{J}=25^{\circ}C$ 时为 0.81 - 1.3V，$T_{J}=125^{\circ}C$ 时为 0.68V。
• 反向恢复时间：$t{RR}$ 为 110ns，反向恢复电荷 $Q{RR}$ 为 143nC。这些参数对于理解二极管的反向恢复特性，以及在设计包含二极管的电路时非常重要。

典型特性曲线

文档中提供了一系列典型特性曲线，如导通区域特性、传输特性、导通电阻与栅源电压关系、导通电阻与漏极电流和栅极电压关系等。这些曲线直观地展示了器件在不同工作条件下的性能变化，帮助我们更好地理解器件的特性，为电路设计提供参考。例如，通过导通电阻与温度的关系曲线，我们可以预测在不同温度下器件的导通损耗情况。

封装与订购信息

NVBLS1D5N10MC 采用 H - PSOF8L 封装，文档详细给出了封装尺寸的具体参数。同时，提供了器件的订购信息，如 NVBLS1D5N10MCTXG 型号采用 2000/Tape& Reel 的包装方式。在选择器件时，封装尺寸和包装方式也是我们需要考虑的重要因素。

总的来说，onsemi 的 NVBLS1D5N10MC 是一款性能卓越的 N 沟道 MOSFET，在降低损耗、提高效率、满足汽车级标准等方面表现出色。电子工程师们在设计功率电路、汽车电子等相关应用时，可以充分考虑这款器件的优势，为自己的设计带来更好的性能和可靠性。大家在使用类似 MOSFET 器件时，有没有遇到过一些独特的设计挑战呢？欢迎在评论区分享你的经验和见解。