0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

探索 NTMFS7D5N15MC:高性能N沟道屏蔽栅 PowerTrench MOSFET 的卓越表现

h1654155282.3538 来源:未知 作者:陈翠 2025-12-02 14:31 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

探索 NTMFS7D5N15MC:高性能 N 沟道屏蔽栅 PowerTrench MOSFET 的卓越表现

在电子工程领域,MOSFET 作为关键的功率器件,其性能直接影响着各类电源和电路的效率与稳定性。今天,我们就来深入了解一款由 onsemi 推出的 N 沟道屏蔽栅 PowerTrench MOSFET——NTMFS7D5N15MC,看看它在实际应用中能为我们带来哪些惊喜。

文件下载:onsemi NTMFS7D5N15MC屏蔽栅极PowerTrench® MOSFET.pdf

产品概述

NTMFS7D5N15MC 是一款耐压 150V、导通电阻低至 7.9mΩ、连续漏极电流可达 95.6A 的 MOSFET。它采用了先进的屏蔽栅 PowerTrench 技术,具有诸多出色的特性,适用于同步整流AC - DC 和 DC - DC 电源供应、AC - DC 适配器(USB PD)SR 负载开关等典型应用场景。

产品特性亮点

紧凑设计与低损耗优势

NTMFS7D5N15MC 采用了 5 x 6 mm 的小尺寸封装,这对于追求紧凑设计的电子设备来说无疑是一个福音。在如今电子产品不断向小型化、集成化发展的趋势下,其小巧的体积能够有效节省 PCB 空间,为其他元件的布局提供更多的可能性。

同时,该 MOSFET 具有低导通电阻($R_{DS(on)}$)的特性,能够最大程度地减少传导损耗。低导通电阻意味着在导通状态下,MOSFET 自身的功率损耗更小,从而提高了整个电路的效率。这对于需要长时间工作的电源设备来说,不仅可以降低能耗,还能减少发热,提高系统的稳定性和可靠性。

低栅极电荷与电容,降低驱动损耗

低栅极电荷($Q_G$)和电容是 NTMFS7D5N15MC 的另一大优势。栅极电荷和电容的大小直接影响着 MOSFET 的开关速度和驱动损耗。较低的 $Q_G$ 和电容能够使 MOSFET 在开关过程中更快地响应,减少开关时间,从而降低驱动损耗。这对于高频开关应用来说尤为重要,能够有效提高电源的转换效率和性能。

严格测试与环保特性

该器件经过了 100% 的 UIL(非钳位感性负载)测试,这表明它在面对感性负载时具有良好的可靠性和稳定性。UIL 测试能够模拟实际应用中可能遇到的感性负载情况,确保 MOSFET 在各种复杂环境下都能正常工作,减少故障发生的概率。

此外,NTMFS7D5N15MC 是无铅、无卤/无溴化阻燃剂(BFR)的,并且符合 RoHS 标准。这不仅符合环保要求,也为电子设备制造商提供了更环保的选择,有助于产品满足相关的环保法规和市场需求。

关键参数解读

最大额定值

文档中给出了 NTMFS7D5N15MC 在不同条件下的最大额定值,这些参数是我们在设计电路时必须要考虑的重要因素。例如,其漏源电压($V_{DSS}$)最大为 150V,这意味着在实际应用中,我们需要确保施加在漏源极之间的电压不超过这个值,否则可能会导致器件损坏。

连续漏极电流($I_D$)在不同条件下有不同的值,稳态时为 95.6A($T_c = 25℃$),而在 $T_A = 25℃$ 时为 13.5A。这表明环境温度和散热条件对器件的电流承载能力有很大的影响。在设计电路时,我们需要根据实际的工作环境和散热情况来合理选择器件的工作电流,以确保其安全可靠地运行。

热阻参数

热阻是衡量器件散热性能的重要指标。NTMFS7D5N15MC 的结到壳稳态热阻($R{\theta JC}$)为 0.9℃/W,结到环境稳态热阻($R{\theta JA}$)在不同条件下有所不同。热阻越小,说明器件的散热性能越好,能够更快地将热量散发出去,从而降低结温,提高器件的可靠性和寿命。在实际应用中,我们可以通过合理的散热设计,如使用散热片、风扇等,来降低器件的热阻,确保其在安全的温度范围内工作。

电气特性

文档中详细列出了该 MOSFET 的各种电气特性参数,包括关断特性、导通特性、电荷与电容特性、开关特性以及漏源二极管特性等。这些参数能够帮助我们更全面地了解器件的性能,为电路设计提供准确的依据。

例如,栅极阈值电压($V_{GS(TH)}$)在 2.5V 到 4.5V 之间,这意味着当栅源电压超过这个范围时,MOSFET 才会导通。在设计驱动电路时,我们需要确保提供的栅源电压能够满足这个要求,以保证 MOSFET 正常工作。

再如,导通电阻($R_{DS(on)}$)在不同的栅源电压和漏极电流下有不同的值。在实际应用中,我们可以根据具体的工作条件选择合适的栅源电压,以获得较低的导通电阻,从而降低传导损耗。

典型应用场景

同步整流

在同步整流应用中,NTMFS7D5N15MC 的低导通电阻和低开关损耗特性能够显著提高电源的效率。同步整流是一种利用 MOSFET 代替传统二极管进行整流的技术,它可以减少整流过程中的损耗,提高电源的转换效率。NTMFS7D5N15MC 的高性能特点使其非常适合用于同步整流电路中,能够有效提高电源的性能和可靠性。

AC - DC 和 DC - DC 电源供应

在 AC - DC 和 DC - DC 电源供应电路中,NTMFS7D5N15MC 可以作为开关元件使用。其高耐压、大电流承载能力和低损耗特性能够满足电源电路的要求,确保电源的稳定输出。同时,其快速的开关速度和低驱动损耗也有助于提高电源的效率和动态响应性能。

AC - DC 适配器(USB PD)SR 负载开关

随着 USB PD 技术的广泛应用,对适配器的性能和效率提出了更高的要求。NTMFS7D5N15MC 可以作为 AC - DC 适配器(USB PD)SR 负载开关使用,其低导通电阻和快速开关特性能够有效提高适配器的效率和充电速度,为用户提供更好的使用体验。

总结与建议

NTMFS7D5N15MC 是一款性能卓越的 N 沟道屏蔽栅 PowerTrench MOSFET,具有紧凑设计、低损耗、高可靠性和环保等诸多优点。在实际应用中,我们需要根据具体的电路要求和工作环境,合理选择器件的参数和工作条件,确保其安全可靠地运行。

同时,在设计电路时,我们还需要注意散热设计,以降低器件的热阻,提高其散热性能。此外,对于器件的电气特性参数,我们需要进行充分的验证和测试,确保其满足实际应用的要求。

大家在使用 NTMFS7D5N15MC 或者其他 MOSFET 器件时,有没有遇到过什么问题或者有什么独特的设计经验呢?欢迎在评论区分享交流。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • MOSFET
    +关注

    关注

    150

    文章

    9411

    浏览量

    229582
  • N沟道
    +关注

    关注

    1

    文章

    501

    浏览量

    19849
  • 高性能
    +关注

    关注

    0

    文章

    392

    浏览量

    21294
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    P沟道N沟道MOSFET在开关电源中的应用

    D)和源极(S)端子的方向。极性和MOSFET工作特性极性决定了MOSFET的工作特性。 对N沟道器件为正的电流和电压对P
    发表于 03-03 13:58

    开关电源设计之:P沟道N沟道MOSFET比较

    重要作用。MOSFET既可工作在第一象限,也可工作在第三象限。没有施加-源极电压时,寄生体二极管导通。当栅极没有电压时,流入漏极的电流类似于典型的二极管曲线。图5:未
    发表于 04-09 09:20

    探索 NTMFS3D0N08X:高性能 N 沟道功率 MOSFET卓越之选

    在电子工程领域,功率 MOSFET 作为关键元件,其性能直接影响着各类电子设备的效率和稳定性。今天,我们将深入探讨安森美(onsemi)的 NTMFS3D0N08X 这款 N
    的头像 发表于 11-28 09:35 195次阅读

    探索 NTMFS0D7N04XM:高性能 N 沟道 MOSFET卓越之旅

    在电子工程师的日常设计中,MOSFET 作为关键的功率开关器件,其性能优劣直接关系到整个电路的效率和稳定性。今天,我们就来深入剖析 onsemi 推出的 NTMFS0D7N04XM 这款 N
    的头像 发表于 11-28 10:23 209次阅读

    探索NTMFS005P03P8Z:高性能P沟道MOSFET卓越表现

    作为电子工程师,我们在设计电路时,常常需要精心挑选合适的电子元件,以确保系统的高效稳定运行。今天,我要和大家分享一款来自安森美半导体(onsemi)的高性能P沟道MOSFET——NTMFS
    的头像 发表于 11-28 15:13 196次阅读

    探索 onsemi NVMFS5C604N 单通道 N沟道 MOSFET卓越性能

    在电子设备的设计领域,MOSFET 作为关键的功率开关元件,其性能的优劣直接影响着整个系统的效率和稳定性。今天,我们将深入探讨 onsemi 推出的 NVMFS5C604N 单通道 N
    的头像 发表于 11-28 15:32 249次阅读
    <b class='flag-5'>探索</b> onsemi NVMFS<b class='flag-5'>5C604N</b> 单通道 <b class='flag-5'>N</b><b class='flag-5'>沟道</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> 的<b class='flag-5'>卓越性能</b>

    探索NVTYS014N08HL:高性能N沟道MOSFET卓越之选

    在电子设计领域,MOSFET(金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)作为关键的功率器件,其性能表现对整个电路的性能起着至关重要的作用。今天,我们就来深入了解一款由onsemi推出的
    的头像 发表于 12-01 09:42 154次阅读
    <b class='flag-5'>探索</b>NVTYS014<b class='flag-5'>N</b>08HL:<b class='flag-5'>高性能</b>单<b class='flag-5'>N</b><b class='flag-5'>沟道</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>的<b class='flag-5'>卓越</b>之选

    探索onsemi NVBLS0D8N08X:高性能N沟道MOSFET卓越之选

    在电子工程师的设计世界里,选择合适的MOSFET至关重要,它直接影响着电路的性能和稳定性。今天,我们就来深入了解一下onsemi推出的NVBLS0D8N08X这款80V、0.79mΩ、457A的单
    的头像 发表于 12-01 14:35 159次阅读
    <b class='flag-5'>探索</b>onsemi NVBLS0<b class='flag-5'>D8N</b>08X:<b class='flag-5'>高性能</b><b class='flag-5'>N</b><b class='flag-5'>沟道</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>的<b class='flag-5'>卓越</b>之选

    探索 onsemi NVBLS1D5N10MC高性能N沟道MOSFET卓越之选

    在电子工程领域,MOSFET 作为关键的功率开关器件,其性能直接影响到整个电路系统的效率与稳定性。今天,我们就来深入探讨 onsemi 推出的 NVBLS1D5N10MC 这款 100V、1.5mΩ、300A 的单
    的头像 发表于 12-01 14:53 180次阅读
    <b class='flag-5'>探索</b> onsemi NVBLS1<b class='flag-5'>D5N10MC</b>:<b class='flag-5'>高性能</b><b class='flag-5'>N</b><b class='flag-5'>沟道</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>的<b class='flag-5'>卓越</b>之选

    深入解析 onsemi NTBLS1D7N10MC MOSFET性能与应用的完美融合

    在电子设备的海洋中,MOSFET 作为关键的功率开关器件,其性能优劣直接影响着整个系统的效率和稳定性。今天,我们就来深入剖析 onsemi 推出的 NTBLS1D7N10MC 这款 N
    的头像 发表于 12-02 09:57 164次阅读
    深入解析 onsemi NTBLS1<b class='flag-5'>D7N10MC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>:<b class='flag-5'>性能</b>与应用的完美融合

    深度解析 NTMFS0D5N04XM:高性能 N沟道 MOSFET卓越之选

    在电子工程师的设计世界里,MOSFET 作为关键的功率器件,其性能优劣直接影响着整个电路的表现。今天,我们要深入剖析 onsemi 推出的 NTMFS0D5N04XM 这款
    的头像 发表于 12-02 14:12 169次阅读
    深度解析 <b class='flag-5'>NTMFS0D5N</b>04XM:<b class='flag-5'>高性能</b> <b class='flag-5'>N</b><b class='flag-5'>沟道</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> 的<b class='flag-5'>卓越</b>之选

    深入解析 NTMFWS1D5N08X:高性能N沟道功率MOSFET卓越之选

    在电子工程师的日常设计工作中,功率 MOSFET 是不可或缺的关键元件。今天,我们将深入探讨安森美(onsemi)的 NTMFWS1D5N08X 这款高性能 N
    的头像 发表于 12-03 11:30 226次阅读
    深入解析 NTMFWS1<b class='flag-5'>D5N</b>08X:<b class='flag-5'>高性能</b><b class='flag-5'>N</b><b class='flag-5'>沟道</b>功率<b class='flag-5'>MOSFET</b>的<b class='flag-5'>卓越</b>之选

    深入解析 NTBLS1D5N10MC高性能N沟道MOSFET卓越之选

    在电子工程师的日常设计工作中,MOSFET 作为关键的功率器件,其性能直接影响着整个电路的效率和稳定性。今天,我们就来详细探讨 onsemi 推出的一款高性能 N
    的头像 发表于 12-03 11:52 252次阅读
    深入解析 NTBLS1<b class='flag-5'>D5N10MC</b>:<b class='flag-5'>高性能</b><b class='flag-5'>N</b><b class='flag-5'>沟道</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>的<b class='flag-5'>卓越</b>之选

    探索NVMJD010N10MCL:高性能N沟道MOSFET卓越表现

    在电子设计领域,MOSFET作为关键的功率器件,其性能直接影响着整个系统的效率和稳定性。今天,我们将深入探讨安森美(onsemi)的NVMJD010N10MCL双N
    的头像 发表于 12-05 09:32 199次阅读
    <b class='flag-5'>探索</b>NVMJD010<b class='flag-5'>N</b>10MCL:<b class='flag-5'>高性能</b>双<b class='flag-5'>N</b><b class='flag-5'>沟道</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>的<b class='flag-5'>卓越</b><b class='flag-5'>表现</b>

    探索 onsemi NVMJST1D3N04C:高性能N沟道 MOSFET卓越之选

    在电子设计领域,MOSFET 作为关键的功率开关器件,其性能对整个系统的效率和稳定性起着至关重要的作用。今天,我们将深入探讨 onsemi 推出的 NVMJST1D3N04C 这款 N
    的头像 发表于 12-05 14:56 95次阅读
    <b class='flag-5'>探索</b> onsemi NVMJST1<b class='flag-5'>D3N</b>04C:<b class='flag-5'>高性能</b><b class='flag-5'>N</b><b class='flag-5'>沟道</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> 的<b class='flag-5'>卓越</b>之选