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叠层电感的工艺

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2025-05-19 14:04:44543

钙钛矿/硅电池技术新进展:低压化学气相沉积(LP-CVD)技术实现高效稳定

钙钛矿太阳能电池(PSCs)因其高效率(单结>26%、钙钛矿/硅>34%)和低成本潜力,成为光伏领域的研究焦点。但溶液法制备的钙钛矿薄膜在大面积规模化生产中面临均匀性差、稳定性不足等
2025-05-19 09:05:351712

基于组装和双腔体结构的高密度集成技术

产品集成11颗芯片,58个无源元件,采用双面陶瓷管壳作为载体,进行双层芯片装和组装,实现高密度集成。壳体工艺采用高温多层陶瓷共烧工艺,可以最大限度地增加布线密度和缩短互连线长度,从而提高组件密度
2025-05-14 10:49:47921

详解原子沉积薄膜制备技术

CVD 技术是一种在真空环境中通过衬底表面化学反应来进行薄膜生长的过程,较短的工艺时间以及所制备薄膜的高致密性,使 CVD 技术被越来越多地应用于薄膜封装工艺中无机阻挡的制备。
2025-05-14 10:18:571205

一文看懂晶硅/钙钛矿电池:从两端到四端的结构类型、设计原理与未来展望

突破26%。然而,这一数值仍低于单结器件的肖克利-奎塞尔(Shockley-Queisser,SQ)理论极限(33.15%)。电池通过结合不同带隙材料实现光谱
2025-05-14 09:05:165756

迈向40%效率:新兴四端钙钛矿电池从结构优化到性能提升的技术探索

四端(4T)钙钛矿太阳能电池(TSCs)通过独立优化子电池的能带隙和光吸收范围,显著提升了光能转化效率(PCE)。随着传统钙钛矿/硅(PVK/Si)和钙钛矿/铜铟镓硒(PVK/CIGS)结构
2025-05-12 09:01:482272

捷多邦专家解读:如何选择最优PCB方案?

在PCB设计中,多层板的设计直接影响信号完整性、电源分配和EMC性能。合理的结构不仅能提升电路板的可靠性,还能优化生产成本。作为行业领先的PCB制造商,捷多邦凭借丰富的生产经验,为工程师提供
2025-05-11 10:58:33629

四端钙钛矿效率突破30.3%,从PVK/Si到全钙钛矿四种主流结构及性能分析

四端(4T)钙钛矿太阳能电池(TSCs)通过独立优化子电池并规避电流匹配限制,展现出显著效率优势。其模块化设计支持灵活的材料选择与制备工艺,成为突破单结器件效率极限的重要途径。本文聚焦四端
2025-05-09 09:07:022949

提供半导体工艺可靠性测试-WLR晶圆可靠性测试

验证的通用方法。WLR技术的核心目标与应用场景 本质目标:评估工艺稳健性,削弱本征磨损机理(如电迁移、氧化击穿),降低量产风险,并为工艺优化提供早期预警。 应用场景:新工艺或新技术开发阶段,快速识别
2025-05-07 20:34:21

HDMI2.0滤波保护共模滤波器介绍

文章详细介绍了HDMI2.0滤波保护共模滤波器的应用背景和技术细节。HDMI2.0作为高清多媒体接口标准,带宽能力显著提升至18 Gbps,但也带来了电磁辐射风险增加的问题。文中分析了
2025-05-07 17:25:430

钙钛矿/硅电池效率达30.74%,梯度折射率IZrO/IZO多层透明电极的应用突破

钙钛矿/硅太阳能电池因其理论效率超40%而成为光伏领域的研究热点。然而,透明电极的光学损失(如反射与寄生吸收)严重限制了短路电流密度JSC的提升。传统单层透明导电氧化物(TCO)如IZO(锌掺杂
2025-05-07 09:03:422795

芯片制造中的阻挡沉积技术介绍

本文介绍了在芯片铜互连工艺中需要阻挡的原因以及关键工艺流程。
2025-05-03 12:56:002884

隆基再次刷新晶硅-钙钛矿电池转换效率世界纪录

近日,经美国国家可再生能源实验室(NREL)认证,隆基自主研发的晶硅-钙钛矿两端电池转换效率达到34.85%,再次刷新晶硅-钙钛矿电池转换效率世界纪录。消息一出,关于隆基“量产一代、研发一代、储备一代”的产品研发体系再次引发行业关注和讨论。
2025-04-27 14:01:01872

效率超30%!双面钙钛矿/晶硅电池的IBC光栅设计与性能优化

全球正致力于提升钙钛矿光伏电池的效率,其中太阳能电池(TSCs)因其高效率、低热损耗和易于集成成为研究热点。本研究采用美能绒面反射仪RTIS等先进表征手段,系统分析了双面钙钛矿/硅电池的优化
2025-04-16 09:05:531216

求助,关于ADXL382混和ODR=32Khz时的输出噪声问题求解

1、ODR=16KHz参数配置。 当振动台频率为8100Hz时,发生混,频率混为7900Hz。如何解决混问题? 2.ODR=16KHz时,输出噪声峰值20mg,ODR=32KHz时,输出噪声峰值150mg,噪声看上去都有点偏大,请问如何优化噪声?
2025-04-16 08:10:12

天合光能钙钛矿晶体硅技术再破世界纪录

今日,位于天合光能的光伏科学与技术全国重点实验室宣布钙钛矿晶体硅技术再破纪录,其自主研发的210mm大面积钙钛矿/晶体硅两端太阳电池,经德国夫琅禾费太阳能研究所下属的检测实验室
2025-04-11 15:50:32789

全球首块808W组件诞生,天合光能开启钙钛矿/晶体硅电池组件产业化新时代

常州2025年3月28日 /美通社/ -- 近日,位于天合光能的光伏科学与技术全国重点实验室再次宣布,其研发的210大尺寸钙钛矿/晶体硅两端电池组件(面积3.1 m2),经过TÜV南德意志集团
2025-03-30 10:58:31688

天合光能开启钙钛矿/晶体硅电池组件产业化新时代

今日,位于天合光能的光伏科学与技术全国重点实验室再次宣布,其研发的210大尺寸钙钛矿/晶体硅两端电池组件(面积3.1 m2),经过TÜV南德意志集团(TÜV SÜD)测试实验室认证,峰值功率达
2025-03-24 17:14:28943

TRCX应用:显示面板工艺裕量分析

制造显示面板的主要挑战之一是研究由工艺余量引起的主要因素,如CD余量,掩膜错位和厚度变化。TRCX提供批量模拟和综合结果,包括分布式计算环境中的寄生电容分析,以改善显示器的电光特性并最大限度地减少缺陷。 (a)参照物 (b)膜未对准
2025-03-06 08:53:21

芯片制造的关键一环:介质制备工艺全解析

在芯片这一高度集成化和精密化的电子元件中,介质扮演着至关重要的角色。它不仅在芯片中提供了必要的电气隔离,还在多层互连结构中实现了信号的高效传输。随着芯片技术的不断发展,介质材料的选择、性能以及制备工艺都成为了影响芯片性能的关键因素。本文将深入探讨芯片里的介质及其性能,为读者揭示这一领域的奥秘。
2025-02-18 11:39:092068

接触孔工艺简介

(Back End of Line,BEOL)。前段工艺主要用于制作晶体管,而后段工艺则专注于实现晶体管之间的金属布线互连。其中,接触孔工艺作为前后段工艺衔接的关键环节,其作用是连接晶体管有源区与第一金属。在大规模生产的成套工艺流程里,接触孔工艺一旦出现缺陷,常常会成为影响
2025-02-17 09:43:282173

集成电路工艺中的金属介绍

本文介绍了集成电路工艺中的金属。 集成电路工艺中的金属 概述 在芯片制造领域,金属化这一关键环节指的是在芯片表面覆盖一金属。除了部分起到辅助作用的阻挡和种子金属之外,在集成电路工艺里,金属主要
2025-02-12 09:31:512695

背金工艺是什么_背金工艺的作用

背金工艺是什么? 背金,又叫做背面金属化。晶圆经过减薄后,用PVD的方法(溅射和蒸镀)在晶圆的背面镀上金属。 背金的金属组成? 一般有三金属。一是黏附,一是阻挡,一是防氧化。 黏附
2025-02-10 12:31:412835

ALD和ALE核心工艺技术对比

技术革新。   核心概念与原理 ALD(Atomic Layer Deposition): 原子沉积是一种逐生长薄膜的工艺。 每个循环通过“自限性反应”,将化学前体逐吸附并反应,沉积一个原子的材料。 目标:构建具有高均匀性、无缺陷、埃级厚度精度的薄膜。
2025-01-23 09:59:542208

效率突破30.22%,通过优化HTL和采用SHJ底部电池实现钙钛矿/硅太阳能电池性能提升

在钙钛矿/硅太阳能电池中,使用硅异质结(SHJ)太阳能电池作为底部电池是实现高效率的最有前景的方法之一。目前,大多数高效太阳能电池使用厚的浮区(FZ)底部电池,这在工业大规模生产中并不
2025-01-17 09:03:381802

关于变压器/电感线圈设计问题?

关于变压器/电感线圈设计(漆包线/三绝缘线)问题,新领导对变压器要求提出2个问题点要求能否实现设计标准化,各位大神能否合理解答下,谢谢 1、是否能规定线一线径大小: 2、是否能规定/统一线圈匝数:
2025-01-10 10:39:24

Z-planner Enterprise 2409新功能解析

新发布的Z-planner Enterprise 2409是西门子设计与阻抗规划应用的一次重要更新,本次更新涉及整个设计流程的各个关键节点。
2025-01-08 14:37:141224

PCB为什么要做沉锡工艺

PCB在制造过程中,常常需要进行表面处理,以提高其可靠性和功能性。沉锡工艺就是其中一种重要的表面处理方法。 以下是PCB进行沉锡工艺的主要目的: 提高可焊性 沉锡工艺能够在PCB的铜面上沉积一锡金
2025-01-06 19:13:211903

晶科能源钙钛矿/TOPCon电池效率破纪录

近日,晶科能源宣布其研制的钙钛矿/TOPCon电池取得重大突破。经权威第三方机构中科院上海微系统与信息技术研究所检测,其转化效率高达33.84%。在不到一年的时间内,再次刷新了晶科研发团队此前
2025-01-06 18:07:071395

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