电子发烧友App
硅中的各向异性湿法蚀刻工艺课堂4（下）
- 蚀刻(15030)
相关推荐
XeF2和SF6可以相互替换吗？XeF2和SF6对硅腐蚀的区别？
我们知道含F的XeF2和SF6都被当做腐蚀硅的气体，XeF2常被作为各向同性腐蚀硅的气体，而SF6常和CF4搭配作为硅各向异性腐蚀的气体，那么XeF2和SF6可以相互替换吗？
2024-03-21 15:06:41
55
55
基于3D打印的各向异性压阻式压力传感器，实现方向力感知
各向异性压力传感器由于在识别不同方向力方面的敏感性，在下一代可穿戴电子设备和智能基础设施中越来越受到关注。
2024-03-20 09:25:48223
223
高度排列石墨烯气凝胶，用于多功能复合材料最新进展！
石墨烯源于独特的面内蜂窝状晶格结构和sp2杂化碳原子，通过异常强的碳-碳键键合，表现出显著的各向异性电学、机械学和热学性能。
2024-03-12 11:44:09363
363
微型MOKE磁性测量仪的特点 微型MOKE磁性测量仪的功能及应用
利用磁光克尔效应测量磁滞回线，具有速度快、精度高、非接触、无损伤（不需要对样品进行加工或切片等额外的操作）等优点，可以获得磁性材料的矫顽力、相对磁化强度以及磁各向异性等信息。
2024-02-22 13:55:47267
267
东京电子新型蚀刻机研发挑战泛林集团市场领导地位
根据已公开的研究报告，东京电子的新式蚀刻机具备在极低温环境下进行高速蚀刻的能力。据悉，该机器可在33分钟内完成10微米的蚀刻工作。此外，设备使用了新开发的激光气体，搭配氩气和氟化碳气体以提升工艺水平。
2024-02-18 15:00:22109
109
各向异性导电胶原理 各向异性导电胶的工艺步骤
能和机械性能，且能够适应更高的工作温度和湿度环境。本文将详细介绍各向异性导电胶的工作原理和制备工艺步骤。 各向异性导电胶的工作原理是基于导电粒子的连接行为。导电粒子通常由金属或碳微粒组成。当导电胶受到压力或温度的作用时，导电粒子会在胶层内形成电子通路，从而实现
2024-01-24 11:11:56466
466无线射频接口的宽范围柔性各向异性热敏电阻
除了正温度系数（PTC）热敏电阻，柔性温度传感材料及传感器的灵敏度相对较低，电阻温度系数（TCR）通常低于100% °C⁻¹。
2024-01-22 09:48:27279
279
墨睿科技成功制备双功能石墨烯气凝胶 兼具柔性压力传感和高效油水分离功能
在本研究中，GSA被进一步加工成三明治结构，并深入研究了其作为柔性可穿戴压力传感器的可能性。从研究结果看，由于GSA高度有序的各向异性结构，其可以通过压阻效应快速、准确地将刺激信号转化为电信号。
2024-01-19 16:16:04164
164
为什么深硅刻蚀中C4F8能起到钝化作用？
对DRIE刻蚀，是基于氟基气体的高深宽比硅刻蚀技术。与RIE刻蚀原理相同，利用硅的各向异性，通过化学作用和物理作用进行刻蚀。不同之处在于，两个射频源：将等离子的产生和自偏压的产生分离
2024-01-14 14:11:59511
511
智程半导体完成股权融资，专注半导体湿法工艺设备研发
智程半导体自2009年起致力于半导体湿法工艺设备研究、生产与销售事业，10余载研发历程，使得其已成为全球顶尖的半导体湿法设备供应商。业务范围包括清洗、去胶、湿法刻蚀、电镀、涂胶显影、金属剥离等多种设备，广泛应用于各种高尖端产品领域。
2024-01-12 14:55:23636
636至纯科技：下半年订单飙升，湿法设备市场领跑
至纯科技旗下的至微科技是国内湿法设备市场主流供应商之一，在28纳米节点实现了全覆盖，全工艺机台亦均有订单。在更为尖端的制程中，至微科技已有部分工艺获得订单。
2024-01-12 09:29:45234
234详解硅的晶面及应用
研究人员利用硅(100)、(110)和(111)晶面的不同特性对其进行各向异性湿法腐蚀，从而制备出不同的结构，这是半导体工艺中常用的加工方法。
2024-01-11 10:16:303206
3206
RFID各向异性导电胶类型和可靠性
各向异性导电胶能够实现单方向导电，即垂直导电而水平不导电。各向异性导电胶的固体成分是多样的，可以是Ag颗粒，聚合物和合金焊粉。固化温度范围很广，涵盖100到200多摄氏度。RFID芯片在与基板键合时
2024-01-05 09:01:41232
232
单向碳纤维强化的柔性压电纳米复合材料的原理、结构设计及应用
碳纤维（UDCF，单向碳纤维是一种仅在纤维方向上提供强度的各向异性材料）相结合，设计了一种新型高强度柔性器件。
2024-01-02 16:50:31573
573
液晶空间光调制器原理及公式
的物质，具有流动性和光学各向异性。在一定温度范围内，液晶既具有液体的流动性，又具有晶体的各向异性。液晶的分子排列方式会随着温度的变化而变化，从而呈现出不同的光学性质。 空间光调制器的工作原理 空间光调制器是一种能
2023-12-19 11:21:55429
429光刻工艺的基本步骤 ***的整体结构图
光照条件的设置、掩模版设计以及光刻胶工艺等因素对分辨率的影响都反映在k₁因子中，k₁因子也常被用于评估光刻工艺的难度，ASML认为其物理极限在0.25，k₁体现了各家晶圆厂运用光刻技术的水平。
2023-12-18 10:53:05326
326
SDTR一种薄膜面内各向异性热导率的测量方法
SDTR一种薄膜面内各向异性热导率的测量方法近年来，随着半导体行业的迅猛发展，半导体元件的体积急剧减小，对芯片或薄膜材料的热物性探究至关重要，这样给予针对超小尺寸的热物性探测技术提供了发展需求，而其
2023-12-14 08:15:52180
180
针对氧气（O2）和三氯化硼（BCl3）等离子体进行原子层蚀刻的研究
技术提供了典型应用。蚀刻工艺对器件特性有着较大的影响，尤其是在精确控制蚀刻深度和较小化等离子体损伤的情况下影响较大。
2023-12-13 09:51:24294
294
基于深氮化镓蚀刻的微米尺寸光子器件的研制
GaN和相关合金由于其优异的特性以及大的带隙、高的击穿电场和高的电子饱和速度而成为有吸引力的材料之一，与优化工艺过程相关的成熟材料是有源/无源射频光电子器件近期发展的关键问题。专用于三元结构的干法蚀刻工艺特别重要，因为这种器件通常包括异质结构。因此，GaN基光电器件的制造部分或全部依赖于干法刻蚀。
2023-12-11 15:04:20188
188
半导体工艺中的蚀刻工艺的选择性
刻蚀的机制，按发生顺序可概分为「反应物接近表面」、「表面氧化」、「表面反应」、「生成物离开表面」等过程。所以整个刻蚀，包含反应物接近、生成物离开的扩散效应，以及化学反应两部分。
2023-12-11 10:24:18250
250
关于PCB印制电路板复合材料微小孔加工技术之机械钻削
复合材料电路板脆性大、硬度高，纤维强度高、韧性大、层间剪切强度低、各向异性，导热性差且纤维和树脂的热膨胀系数相差很大，当切削温度较高时，易于在切削区周围的纤维与基体界面产生热应力；当温度过高时，树脂熔化粘在切削刃上，导致加工和排屑困难。
2023-12-08 15:29:32223
223PCB的蚀刻工艺及过程控制
另外一种工艺方法是整个板子上都镀铜，感光膜以外的部分仅仅是锡或铅锡抗蚀层。这种工艺称为“全板镀铜工艺“。与图形电镀相比，全板镀铜的缺点是板面各处都要镀两次铜而且蚀刻时还必须都把它们腐蚀掉。
2023-12-06 15:03:45263
263基于电感耦合反应离子刻蚀的氮化镓干蚀研究
GaN和InGaN基化合物半导体和其他III族氮化物已经成功地用于实现蓝-绿光发光二极管和蓝光激光二极管。由于它们优异的化学和热稳定性，在没有其它辅助的情况下，在GaN和InGaN基材料上的湿法蚀刻是困难的，并且导致低的蚀刻速率和各向同性的蚀刻轮廓。
2023-12-05 14:00:22220
220
半导体制造之光刻工艺讲解
光刻工艺就是把芯片制作所需要的线路与功能做出来。利用光刻机发出的光通过具有图形的光罩对涂有光刻胶的薄片曝光，光刻胶见光后会发生性质变化，从而使光罩上得图形复印到薄片上，从而使薄片具有电子线路图的作用
2023-12-04 09:17:241335
1335
什么是四探针测量技术？ 什么是涡流测量技术？
在半导体芯片等器件工艺中，后道制程中的金属连接是经过金属薄膜沉积，图形化和蚀刻工艺，最后在器件元件之间得到导电连接。
2023-11-29 09:15:31434
434
氮化镓的晶体学湿式化学蚀刻法
目前，大多数III族氮化物的加工都是通过干法等离子体蚀刻完成的。干法蚀刻有几个缺点，包括产生离子诱导损伤和难以获得激光器所需的光滑蚀刻侧壁。干法蚀刻产生的侧壁典型均方根(rms)粗糙度约为50纳米
2023-11-24 14:10:30241
241
脊型GaAs基LD激光芯片工艺过程简述
但是里面也有几个关键的工艺参数需要控制的。同样Etch GaAs也可以用ICP干法刻蚀的工艺，比湿法工艺效果要好些，侧壁也垂直很多。
2023-11-14 09:31:29406
406等离子体基铜蚀刻工艺及可靠性
近年来，铜(Cu)作为互连材料越来越受欢迎，因为它具有低电阻率、不会形成小丘以及对电迁移(EM)故障的高抵抗力。传统上，化学机械抛光(CMP)方法用于制备铜细线。除了复杂的工艺步骤之外，该方法的一个显著缺点是需要许多对环境不友好的化学品，例如表面活性剂和强氧化剂。
2023-11-08 09:46:21188
188
Bumping工艺流程工作原理 光刻工艺原理和流程
Bumping工艺是一种先进的封装工艺，而Sputter是Bumping工艺的第一道工序，其重要程度可想而知。Sputter的膜厚直接影响Bumping的质量，所以必须控制好Sputter的膜厚及均匀性是非常关键。
2023-10-23 11:18:18475
475
等离子刻蚀工艺技术基本介绍
干法蚀刻（dry etch）工艺通常由四个基本状态构成：蚀刻前（before etch），部分蚀刻（partial etch），蚀刻到位（just etch），过度蚀刻（over etch），主要表征有蚀刻速率，选择比，关键尺寸，均匀性，终点探测。
2023-10-18 09:53:19788
788
PCB印制电路中影响蚀刻液特性的因素
蚀刻液的化学成分的组成：蚀刻液的化学组分不同，其蚀刻速率就不相同，蚀刻系数也不同。如普遍使用的酸性氯化铜蚀刻液的蚀刻系数通常是&；碱性氯化铜蚀刻液系数可达3.5-4。而正处在开发阶段的以硝酸为主的蚀刻液可以达到几乎没有侧蚀问题，蚀刻后的导线侧壁接近垂直。
2023-10-16 15:04:35553
553基于Cl2/BCl3电感偶联等离子体的氮化镓干蚀特性
蚀刻技术相比，干法蚀刻技术可以提供各向异性的轮廓、快速的蚀刻速率，并且已经被用于限定具有受控轮廓和蚀刻深度的器件特征。
2023-10-12 14:11:32244
244
关于氮化镓的干蚀刻综述
GaN及相关合金可用于制造蓝色/绿色/紫外线发射器以及高温、高功率电子器件。由于 III 族氮化物的湿法化学蚀刻结果有限，因此人们投入了大量精力来开发干法蚀刻工艺。干法蚀刻开发一开始集中于台面结构，其中需要高蚀刻速率、各向异性轮廓、光滑侧壁和不同材料的同等蚀刻。
2023-10-07 15:43:56319
319
降低半导体金属线电阻的沉积和蚀刻技术
铜的电阻率取决于其晶体结构、空隙体积、晶界和材料界面失配，这在较小的尺度上变得更加重要。传统上，铜(Cu)线的形成是通过使用沟槽蚀刻工艺在低k二氧化硅中蚀刻沟槽图案，然后通过镶嵌流用Cu填充沟槽来完成的。
2023-09-22 09:57:23281
281
PCB线路板的蚀刻工艺需要注意哪些细节问题
一站式PCBA智造厂家今天为大家讲讲pcb打样蚀刻工艺注意事项有哪些?PCB打样蚀刻工艺注意事项。PCB打样中，在铜箔部分预镀一层铅锡防腐层，保留在板外层，即电路的图形部分，然后是其余的铜箔被化学方法腐蚀，称为蚀刻。
2023-09-18 11:06:30670
670GB/T 41967-2022 各向异性钕铁硼永磁粉
2023-09-15 09:43:52
0
0浅谈PCB蚀刻质量及先期存在的问题
要注意的是，蚀刻时的板子上面有两层铜。在外层蚀刻工艺中仅仅有一层铜是必须被全部蚀刻掉的，其余的将形成最终所需要的电路。这种类型的图形电镀,其特点是镀铜层仅存在于铅锡抗蚀层的下面。
2023-09-07 14:41:12474
474
低能量电子束曝光技术
直接蚀刻和剥离是两种比较流行的图案转移工艺。在直接蚀刻工艺中，首先使用光刻技术对聚合物抗蚀剂进行构图，然后通过干法蚀刻技术用抗蚀剂作为掩模将图案转移到衬底或子层上。
2023-09-07 09:57:14292
292
pcb蚀刻是什么意思
在印制板外层电路的加工工艺中，还有另外一种方法，就是用感光膜代替金属镀层做抗蚀层。这种方法非常近似于内层蚀刻工艺，可以参阅内层制作工艺中的蚀刻。
2023-09-06 09:36:57811
811
SD2315高精度磁编码器
SD2315是 基于各向异性磁阻（AMR）技术高精度磁编码器芯片。相比于传统霍尔传感器，AMR角度传感器由于工作在饱和区，降低了对磁场的要求，安装要求简单易操作。SD2315广泛适用于各类电机
2023-09-05 14:29:58
什么是各向异性刻蚀？
各向异性刻蚀是一种减材微加工技术，旨在优先去除特定方向的材料以获得复杂且通常平坦的形状。湿法技术利用结构的晶体特性在由晶体取向控制的方向上进行蚀刻。 然而，概述了一些定性方面用于解释各向异性的性质
2023-08-22 16:32:01407
407使用各向同性湿蚀刻和低损耗线波导制造与蚀刻材料对非晶硅进行纳米级厚度控制
我们华林科纳通过光学反射光谱半实时地原位监测用有机碱性溶液的湿法蚀刻，以实现用于线波导的氢化非晶硅（a-Si:H）膜的高分辨率厚度控制。由a-Si:H的本征各向同性结构产生的各向同性蚀刻导致表面
2023-08-22 16:06:56239
239
可持续湿法工艺解决方案
来源：《半导体芯科技》杂志 绿色目标。黄色解决方案。 凭借二十年在批量喷涂及其硬件方面的经验，Siconnex已成长为可持续湿法工艺设备的领先供应商。可持续发展和环境健康是我们的基因
2023-08-18 17:56:34320
320
有关超声波晶片测温中的薄膜效应实验报告
一层或多层薄膜。从理论和实验上研究了这些薄膜对温度灵敏度的影响。使用表面阻抗方法建立了兰姆波在一般多层板中传播的理论模型。该模型用于计算各向异性和薄膜对半导体晶片温度系数的影响。计算预测，各向异性为23%的10cm（100）硅
2023-08-18 17:05:57595
595
如何实现PCB蚀刻工艺中的均匀性呢？有哪些方法？
PCB蚀刻工艺中的“水池效应”现象，通常发生在顶部，这种现象会导致大尺寸PCB整个板面具有不同的蚀刻质量。
2023-08-10 18:25:431013
1013
高性能超高镍层状正极的多尺度晶体场效应
通常认为，超高镍正极的性能劣化与源自次级颗粒内随机取向的初级晶粒的晶间裂纹密切相关，这主要是由于c轴从H2到H3相变的急剧晶格收缩引起的各向异性机械应变的积累引起的。
2023-07-30 09:35:111023
1023
刻蚀工艺流程和步骤 酸性蚀刻和碱性蚀刻的区别
刻蚀和蚀刻实质上是同一过程的不同称呼，常常用来描述在材料表面上进行化学或物理腐蚀以去除或改变材料的特定部分的过程。在半导体制造中，这个过程常常用于雕刻芯片上的细微结构。
2023-07-28 15:16:594140
4140
ADA4570是一款调节器
ADA4570 是一款各向异性磁阻 (AMR) 传感器，具有集成信号调理放大器和模数转换器 (ADC) 驱动器。ADA4570 产生两个差分模拟输出，指示周围磁场的角位置。ADA4570 由一个封装
2023-07-21 13:53:42
磁光克尔效应测量系统
磁光克尔效应装置是一种基于磁光效应原理设计的超高灵敏度磁强计，是研究磁性薄膜、磁性微结构的理想测量工具。旋转磁光克尔效应（RotMOKE）是在磁光克尔效应测量基础上的一种类似于转矩测量各向异性的实验
2023-07-19 13:11:19383
383深度解读硅微纳技术之的蚀刻技术
蚀刻是一种从材料上去除的过程。基片表面上的一种薄膜基片。当掩码层用于保护特定区域时在晶片表面，蚀刻的目的是“精确”移除未覆盖的材料戴着面具。
2023-07-14 11:13:32183
183
介绍一种电机速度传感器—磁阻角度传感器
某些铁磁合金（例如坡莫合金）的电阻大小容易受到外部磁场的影响。这种固态磁阻效应或各向异性磁阻（AMR）可以在薄膜技术中轻松实现，从而可以生产出精密但又具有成本效益的传感器，为磁阻角度传感器的系统设计提供了理论基础。
2023-07-11 11:35:54862
862
浅谈半导体制造中的光刻工艺
在之前的文章里，我们介绍了晶圆制造、氧化过程和集成电路的部分发展史。现在，让我们继续了解光刻工艺，通过该过程将电子电路图形转移到晶圆上。光刻过程与使用胶片相机拍照非常相似。但是具体是怎么实现的呢？
2023-06-28 10:07:472427
2427
锗、硅、SiNx薄膜的各向同性等离子体蚀刻
CMOS和MEMS制造技术，允许相对于其他薄膜选择性地去除薄膜，在器件集成中一直具有很高的实用性。这种化学性质非常有用，但是当存在其他材料并且也已知在HF中蚀刻时，这就成了问题。由于器件的静摩擦、缓慢的蚀刻速率以及横向或分层膜的蚀刻速率降低，湿法化学也会有问题。
2023-06-26 13:32:441053
1053
使用X射线微层析技术显示的昆虫气囊各向异性收缩
所用相机： Flash4.0 (C11440-22CU) 成像方法： X射线成像 相关设置： 能量14keV, 样品-芯片距离50cm，ROI 2048×700，曝光 时间2ms,转速360°每秒 # 详细描述 来自摆动源的白光束通过由液氮冷却的Si(111)或Si(311)双晶单色器而单色化。输出X射线的能量范围为8-72.5keV，具有的能量分辨率小于0.5%。安装复合狭缝以限制单色光束的尺寸。一个电离室设置在下游，以监测实验过程中的通量。单色光束具有45mm(H)×5mm(V)的全视场。动态X射线显微技术(SR-μCT)系统的关键要素是基于
2023-06-26 06:49:38160
160
结构参数对各向异性磁电阻（AMR）磁场传感器性能的影响
镍铁（NiFe）合金具有较强的各向异性磁电阻效应、较高的居里温度、易于实现与电路集成以及较低的制作成本等优点，成为开发磁电阻传感器的首选材料。
2023-06-21 09:29:50377
377
半导体八大工艺之刻蚀工艺-干法刻蚀
离子束蚀刻 (Ion beam etch) 是一种物理干法蚀刻工艺。由此，氩离子以约1至3keV的离子束辐射到表面上。由于离子的能量，它们会撞击表面的材料。晶圆垂直或倾斜入离子束，蚀刻过程是绝对
2023-06-20 09:48:563989
3989
利用氧化和“转化-蚀刻”机制对富锗SiGe的热原子层蚀刻 引言
器件尺寸的不断缩小促使半导体工业开发先进的工艺技术。近年来，原子层沉积(ALD)和原子层蚀刻(ALE)已经成为小型化的重要加工技术。ALD是一种沉积技术，它基于连续的、自限性的表面反应。ALE是一种蚀刻技术，允许以逐层的方式从表面去除材料。ALE可以基于利用表面改性和去除步骤的等离子体或热连续反应。
2023-06-15 11:05:05526
526
远程等离子体选择性蚀刻的新途径
为了提供更优良的静电完整性，三维(3D)设计（如全围栅(GAA)场电子晶体管(FET )）预计将在互补金属氧化物半导体技术中被采用。3D MOS架构为蚀刻应用带来了一系列挑战。虽然平面设备更多地依赖于各向异性蚀刻，但是3D设备在不同材料之间具有高选择性，需要更多的各向异性蚀刻能力。
2023-06-14 11:03:531779
1779
关于KMA36位置传感器的应用描述
KMA36位置传感器将其连接到使用可配置IC通信的Grove兼容扩展端口的系统。 将磁阻元件同模数转换器和信号处理功能一起置于一个标准的小型封装内。传感器以5V的外部电压工作。通过使用各向异性磁阻 (AMR) ，KMA36 能够以非接触方式确定外部磁铁360°范围内的磁场角度。
2023-06-08 15:44:10261
261
KMXP5000磁栅尺传感器在石油石化的应用
KMXP5000磁栅尺传感器测量原理基于各向异性磁阻效应（AMR 效应）。这些传感器提供两种不同的DFN封装，可用于多个定位选项。这些封装可以轻松集成到自动装配过程中。
2023-06-03 10:16:34249
249
ELAF-100L-T30009力传感器的技术应用
ELAF-100L-T30009力传感器由晶体制成，晶体是各向异性的，非晶是各向同性的。 当某些晶体介质在一定方向受到机械力的作用时，会发生极化效应； 当除去机械力时，它又会恢复到不带电状态，即受到拉力或压力时。 有些晶体可能会产生电效应，也就是所谓的极化效应。
2023-06-02 10:50:06190
190
浅谈蚀刻工艺开发的三个阶段
纳米片工艺流程中最关键的蚀刻步骤包括虚拟栅极蚀刻、各向异性柱蚀刻、各向同性间隔蚀刻和通道释放步骤。通过硅和 SiGe 交替层的剖面蚀刻是各向异性的，并使用氟化化学。优化内部间隔蚀刻（压痕）和通道释放步骤，以极低的硅损失去除 SiGe。
2023-05-30 15:14:111071
1071
半导体工艺装备现状及发展趋势
集成电路前道工艺及对应设备主要分八大类，包括光刻（光刻机）、刻蚀（刻蚀机）、薄膜生长（PVD-物理气相沉积、CVD-化学气相沉积等薄膜设备）、扩散（扩散炉）、离子注入（离子注入机）、平坦化（CMP设备）、金属化（ECD设备）、湿法工艺（湿法工艺设备）等。
2023-05-30 10:47:121131
1131
硅在氢氧化钠和四甲基氢氧化铵中的温度依赖性蚀刻
过去利用碱氢氧化物水溶液研究了硅的取向依赖蚀刻，这是制造硅中微结构的一种非常有用的技术。以10M氢氧化钾（KOH）为蚀刻剂，研究了单晶硅球和晶片的各向异性蚀刻过程，测量了沿多个矢量方向的蚀刻速率，用单晶球发现了最慢的蚀刻面。英思特利用这些数据，提出了一种预测不同方向表面的倾角的方法
2023-05-29 09:42:40618
618
如何在蚀刻工艺中实施控制？
蚀刻可能是湿制程阶段最复杂的工艺，因为有很多因素会影响蚀刻速率。如果不保持这些因素的稳定，蚀刻率就会变化，因而影响产品质量。如果希望利用一种自动化方法来维护蚀刻化学，以下是你需要理解的基本概念。
2023-05-19 10:27:31575
575
热环境中结晶硅的蚀刻工艺研究
微电子机械系统（MEMS）是将机械元件和电子电路集成在一个共同的基板上，通过使用微量制造技术来实现尺寸从小于一微米到几微米的高性能器件。由于现有的表面加工技术，目前大多数的MEMS器件都是基于硅的。
2023-05-19 10:19:26352
352G-MRCO-052位移传感器原理
，KMXP 传感器提供比常用的霍尔传感器更高的精度，设计为在包括高温在内的严苛环境中提供可靠和准确的测量。G-MRCO-050传感器测量原理基于各向异性磁阻效应（AMR
2023-05-18 17:25:04314
314
高速硅湿式各向异性蚀刻技术在批量微加工中的应用
蚀刻是微结构制造中采用的主要工艺之一。它分为两类：湿法蚀刻和干法蚀刻，湿法蚀刻进一步细分为两部分，即各向异性和各向同性蚀刻。硅湿法各向异性蚀刻广泛用于制造微机电系统(MEMS)的硅体微加工和太阳能电池应用的表面纹理化。
2023-05-18 09:13:12700
700
G-MRCO-016磁阻角位移传感器
G-MRCO-016磁性角度传感器是基于各向异性磁阻效应的磁场传感器。例如，G-MRCO-016磁性角度传感器可以在磁场强度大于25kA/m的应用中独立感测磁场方向。G-MRCO-016磁性角度传感器包含两个平行的惠斯通电桥，每个电桥可以测量45度。
2023-05-16 16:00:380
0G-MRCO-015磁阻传感器
G-MRCO-015磁性角度传感器是基于各向异性磁阻效应的磁场传感器。例如，KMT32B磁性角度传感器可以在磁场强度大于25kA/m的应用中独立感测磁场方向。G-MRCO-015磁性角度传感器包含两个平行的惠斯通电桥，每个电桥可以测量45度。
2023-05-16 16:00:040
0硅晶片的酸基蚀刻：传质和动力学效应
抛光硅晶片是通过各种机械和化学工艺制备的。首先，硅单晶锭被切成圆盘（晶片），然后是一个称为拍打的扁平过程，包括使用磨料清洗晶片。通过蚀刻消除了以往成形过程中引起的机械损伤，蚀刻之后是各种单元操作，如抛光和清洗之前，它已经准备好为设备制造。
2023-05-16 10:03:00584
584
PCB主板不同颜色代表什么意思？
其实不同颜色的PCB，它们的制造的材料、制造工序都是一样的，包括敷铜层的位置也是一样的，经过蚀刻工艺后就在PCB上留下了最终的布线，例如下图这块刚经过蚀刻工艺的PCB，敷铜走线就是原本的铜色，而PCB基板略显微黄色。
2023-05-09 10:02:431699
1699
《炬丰科技-半导体工艺》单晶的湿法蚀刻和红外吸收
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：单晶的湿法蚀刻和红外吸收 编号：JFKJ-21-206 作者：炬丰科技 摘要 采用湿法腐蚀、x射线衍射和红外吸收等方法研究了物理气相色谱法生长AlN单晶的缺陷
2023-04-23 11:15:00118
118工业泵在半导体湿法腐蚀清洗设备中的应用
【摘要】 在半导体湿法工艺中，后道清洗因使用有机药液而与前道有着明显区别。本文主要将以湿法清洗后道工艺几种常用药液及设备进行对比研究，论述不同药液与机台的清洗原理，清洗特点与清洗局限性。【关键词
2023-04-20 11:45:00823
823
首次MoS₂层间原位构建静电排斥实现超快锂离子传输
高理论容量和独特的层状结构使MoS₂成为一种很有前途的锂离子电池负极材料。然而MoS₂层状结构的各向异性离子输运和其较差的本征导电性，导致差的离子传输能力。
2023-04-13 09:23:09684
684干法蚀刻与湿法蚀刻-差异和应用
干法蚀刻与湿法蚀刻之间的争论是微电子制造商在项目开始时必须解决的首要问题之一。必须考虑许多因素来决定应在晶圆上使用哪种类型的蚀刻剂来制作电子芯片，是液体（湿法蚀刻）还是气体（干法蚀刻）
2023-04-12 14:54:331004
1004湿式半导体工艺中的案例研究
半导体行业的许多工艺步骤都会排放有害废气。对于使用非常活泼的气体的化学气相沉积或干法蚀刻，所谓的靠近源头的废气使用点处理是常见的做法。相比之下，对于湿法化学工艺，使用中央湿式洗涤器处理废气是一种公认
2023-04-06 09:26:48408
408多晶硅蚀刻工艺讲解
了革命性的变化，这种布局完全不同于90nm节点。从45nm节点后，双重图形化技术已经应用在栅图形化工艺中。随着技术节点的继续缩小，MOSFET栅极关键尺寸CD继续缩小遇到了困难，IC设计人员开始减少栅极之间的间距。
2023-04-03 09:39:402452
2452PCB加工的蚀刻工艺
印刷线路板从光板到显出线路图形的过程是一个比较复杂的物理和化学反应的过程，本文就对其最后的一步--蚀刻进行解析。目前,印刷电路板(PCB)加工的典型工艺采用"图形电镀法"。即先在
2023-03-29 10:04:07886
886步进电机的技术要点之永久磁铁
2) Nd-Fe-B磁铁 3) 铝镍钴磁铁 4)粘接钕铁硼磁铁3 . 各向同性与各向异性磁铁 4. PM型与HB型转子使用磁铁的差异 前言 基本信息 名称 描述说明 教材名称 步进电机应用技术 作者 坂
2023-03-23 10:42:580
0
工商网监
评论