电子发烧友App

硬声App

创作

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦, 立即完善>

3天内不再提示

电子发烧友网>今日头条>关于湿法蚀刻工艺对铜及其合金蚀刻剂的评述

关于湿法蚀刻工艺对铜及其合金蚀刻剂的评述

  • 蚀刻(147)
  • 半导体(15704)
收藏

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容图片侵权或者其他问题,请联系本站作侵删。 侵权投诉

评论

查看更多

相关推荐

基于喷射条件的蚀刻特性和雾化特性研究

本研究根据蚀刻条件的变化,蚀刻特性——蚀刻率和蚀刻系数进行了球面分析,并使用速度、液滴大小、冲击力(PDA)系统分析了喷嘴、喷射压力、线短距离、工质物性值变化时的喷雾特性,并考察了与蚀刻特性的相互关系。
2022-04-07 16:16:396

用于硅片减薄的湿法蚀刻工艺控制

薄晶片已成为各种新型微电子产品的基本需求。 需要更薄的模具来适应更薄的包装。 使用最后的湿蚀刻工艺在背面变薄的晶圆与标准的机械背面磨削相比,应力更小。 硅的各向同性湿蚀刻通常是用硝酸和氢氟酸的混合物
2022-04-07 14:46:332

蚀刻技术基础知识介绍

关于在进行这种湿法或干法蚀刻过程中重要的表面反应机制,以Si为例,以基础现象为中心进行解说。蚀刻不仅是在基板上形成的薄膜材料的微细加工、厚膜材料的三维加工和基板贯通加工,而且是通过研磨和研磨等机械
2022-04-06 13:31:2510

通过光敏抗蚀的湿蚀刻渗透

的各向同性湿法蚀刻条件相比,由于非常高的各向异性,反应离子蚀刻工艺能够实现更好的蚀刻尺寸控制。尽管如此,当使用敏感材料(即栅极氧化物[1])或当尺寸放宽时,使用光敏抗蚀湿法图案化仍然是参考工艺。本文研究了整个湿法腐蚀过程中抗蚀保护的完整性。给出了确保这种保护的一些提示,以及评估这种保护的相关新方法。
2022-04-06 13:29:194

湿法蚀刻的GaAs表面研究

为了能够使用基于 GaAs 的器件作为化学传感器,它们的表面必须进行化学改性。GaAs 表面上液相中分子的可重复吸附需要受控的蚀刻程序。应用了几种分析方法,包括衰减全反射和多重内反射模式 (ATR
2022-03-31 14:57:0326

关于晶片背面的薄膜蚀刻法说明

,背面的膜会脱落,污染晶片正面。特别是Cu如果受到全面污染,就会成为严重的问题。 目前,在枯叶式设备中,冷却晶片背面膜的方法是翻转,翻转晶片进行蚀刻工艺的话,蚀刻均匀度最好在1%以下,但是,如果一面进行工程,工程时间将
2022-03-28 15:54:48260

KOH硅湿法蚀刻工艺设计研究

在本研究中,我们设计了一个150mm晶片的湿蚀刻槽来防止硅片的背面蚀刻,并演示了优化的工艺配方,使各向异性湿蚀刻的背面没有任何损伤,我们还提出了300mm晶圆处理用湿浴槽的设计,作为一种很有前途的工艺发展。
2022-03-28 11:01:49463

晶硅晶片表面组织工艺优化研究

本文章将对表面组织工艺优化进行研究,多晶硅晶片表面组织化工艺主要分为干法和湿法,其中利用酸或碱性溶液的湿法蚀刻工艺在时间和成本上都比较优秀,主要适用于太阳能电池量产工艺。本研究在多晶晶片表面组织化工艺
2022-03-25 16:33:4917

详解单晶硅的各向异性蚀刻特性

为了形成膜结构,单晶硅片已经用氢氧化钾和氢氧化钾-异丙醇溶液进行了各向异性蚀刻,观察到蚀刻速率强烈依赖于蚀刻温度和浓度,用于蚀刻实验的掩模图案在硅晶片的主平面上倾斜45°。根据图案方向和蚀刻浓度
2022-03-25 13:26:3426

半导体微器件刻蚀过程研究报告

在半导体微器件的制造中,必须通过蚀刻各种材料,从表面移除整个层或将抗蚀图案转移到下面的层中。在蚀刻工艺中可以分为两种工艺湿法和干法蚀刻,同时进一步分为各向同性和各向异性工艺(见下图)。
2022-03-17 13:36:2833

微细加工湿法蚀刻中不同蚀刻方法

微加工过程中有很多加工步骤。蚀刻是微制造过程中的一个重要步骤。术语蚀刻指的是在制造时从晶片表面去除层。这是一个非常重要的过程,每个晶片都要经历许多蚀刻过程。用于保护晶片免受蚀刻影响的材料被称为掩模
2022-03-16 16:31:5846

一种改进的各向异性湿法蚀刻工艺

我们开发了一种改进的各向异性湿法蚀刻工艺,通过在晶片上使用单个蚀刻掩模来制造各种硅微结构,这些微结构具有圆形凹角和尖锐凸角、用于芯片隔离的凹槽、蜿蜒的微流体通道、具有弯曲V形凹槽的台面结构以及具有
2022-03-14 10:51:4266

晶圆湿式用于硅蚀刻浴晶圆蚀刻

了解形成MEMS制造所需的三维结构,需要SILICON的各向异性蚀刻,此时使用的湿式蚀刻工艺考虑的事项包括蚀刻率、长宽比、成本、环境污染等[1]。用于硅各向异性湿式蚀刻
2022-03-11 13:57:4329

Cu杂质对Si(110)湿法蚀刻的影响

我们在蚀刻的硅(110)表面上实验观察到的梯形小丘的形成,描述它们的一般几何形状并分析关键表面位置的相对稳定性和(或)反应性。在我们的模型中,小丘被蚀刻中的杂质稳定,杂质吸附在表面上并作为钉扎
2022-03-10 16:15:568

各向同性和各向异性工艺如何用于改善硅湿蚀刻

通过使用各向同性和各向异性工艺,可以高精度地创建由硅湿法蚀刻产生的微观结构。各向同性蚀刻速度更快,但可能会在掩模下蚀刻以形成圆形。可以更精确地控制各向异性蚀刻,并且可以产生具有精确尺寸的直边。在每种
2022-03-09 16:48:3426

KOH溶液中氮化铝的湿化学蚀刻

砷化镓上的三倍。这与在砷化镓上生长的材料的优越的晶体质量相对应。我们还比较了掺杂浓度蚀刻速率的影响。蚀刻两个晶体质量相似的主要样品,一个用nc1016cm3(2.6%In)完全耗尽,另一个用
2022-03-09 14:37:4743

湿法蚀刻MEMS硅腔的工艺控制

硅的各向异性蚀刻是指定向依赖的蚀刻,通常通过碱性蚀刻如水溶液氢氧化钾,TMAH和其他羟化物如氢氧化钠。由于蚀刻速率晶体取向、蚀刻浓度和温度的强烈依赖性,可以以高度可控和可重复的方式制备多种硅
2022-03-08 14:07:251132

蓝宝石LED蚀刻的新要求

提高10倍的吞吐量。 虽然大多数公司使用干式蚀刻工艺来创建图案表面,但干式蚀刻的缺点并不小,包括加工设备的成本高,吞吐量低,扩展性差等等。 这种不利因素促使许多人重新燃起湿法蚀刻的兴趣。历史上,标准
2022-03-08 13:34:3631

玻璃在氢氟酸中的湿法化学蚀刻

HF基片进行了研究,主要分为随机蚀刻和周期性蚀刻。 我们讨论了蚀刻的问题机理、蚀刻速率、硬掩膜材料、周期性光俘获结构。
2022-03-08 11:52:4149

氢氧化钾在凸角处的蚀刻行为

各向异性蚀刻通过掩模中的矩形幵口在(100)硅晶片上产生由( 100)和(111)平面组成的孔。在这种情况下,孔的上角是尖的。如果通过无掩模湿法各向异性蚀刻工艺蚀刻整个表面,则上部拐角变圆。例如
2022-03-07 15:26:1426

硅碱性蚀刻中的绝对蚀刻速率

在 KOH 水溶液中进行湿法化学蚀刻期间,硅 (1 1 1) 的绝对蚀刻速率已通过光学干涉测量法使用掩膜样品进行了研究。蚀刻速率恒定为0.62 ± 0.07 µm/h 且与 60 时 1–5 M
2022-03-04 15:07:0933

湿法蚀刻工艺的作用:可有效去除金属氧化物

的氧化镍未完全去除造成的。这项研究这些多余金属缺陷的成分进行了分类和确定,评估了推荐的去除氧化镍的湿蚀刻方法,最后提出了一种湿蚀刻工艺,该工艺将快速去除缺陷,同时继续保持所需的半各向异性蚀刻轮廓,这是大多数金属
2022-02-28 14:59:3555

III族氮化物的干法和湿法蚀刻

电感耦合等离子体反应离子蚀刻获得的高蚀刻速率和高度各向异性的轮廓。光增强湿法蚀刻提供了一种获得高蚀刻速率而没有离子诱导损伤的替代途径。该方法适用于器件制造以及n-氮化镓中位错密度的估算。这有可能发展成为一种快速评估材料的方法。
2022-02-23 16:20:24463

半导体晶圆清洗站多化学品供应系统的讨论

的大规模集成电路密度,已经研究了颗粒和微污染晶片的影响,以提高封装产量。湿法清洗/蚀刻工艺湿法站配置有晶片装载器/卸载器、化学槽、溢流冲洗槽和干燥器。
2022-02-22 13:47:51383

湿法蚀刻的GaAs表面研究报告

为了能够使用基于 GaAs 的器件作为化学传感器,它们的表面必须进行化学改性。GaAs 表面上液相中分子的可重复吸附需要受控的蚀刻程序。应用了几种分析方法,包括衰减全反射和多重内反射模式 (ATR
2022-02-17 16:41:52297

石英单晶等离子体蚀刻工艺参数的优化

本文单晶石英局部等离子体化学刻蚀工艺的主要工艺参数进行了优化。在射频(射频,13.56兆赫)放电激励下,在CF4和H2的气体混合物中进行蚀刻。采用田口矩阵法的科学实验设计来检验腔室压力、射频发生器
2022-02-17 15:25:42719

磷酸中二氧化硅的选择性湿法蚀刻方法

,而且包括蚀刻速率、均匀性和选择性在内的工艺性能都是使该工艺难以从台式转换到单晶片型的障碍。在这里,我们提出了一种新颖的设计,该设计引入了上晶片加热板,以保持磷酸蚀刻的高温,从而克服在氮化物剥离工艺中单晶片处
2022-02-15 16:38:57363

通过湿法蚀刻改善InAs工艺报告

的组成,我们研究了两种类型的晶体表面形态,抛光和钝化的薄膜,形成后的化学动态(CDP)和/或化学机械抛光(化学机械抛光)在溶液中,饱和的溶剂和氧化,结果发现,在抛光蚀刻中,CDP和CMP工艺均能形成
2022-02-14 16:47:0554

通过紫外线辅助光蚀刻技术实现的湿式蚀刻

我们华林科纳使用K2S2O8作为氧化来表征基于KOH的紫外(UV)光辅助湿法蚀刻技术。该解决方案提供了良好控制的蚀刻速率,并产生了光滑的高质量蚀刻表面,同时通过原子力显微镜测量的表面粗糙度降低最小
2022-02-14 16:14:5588

薄膜在含HF清洗液中的腐蚀行为

代替铝合金要求在集成、金属化和图案化工艺技术方面进行显著的变革。为了获得最佳的器件性能、可靠性和寿命,必须避免薄膜腐蚀。这也要求采用与兼容的湿法蚀刻清洁化学物质来集成互连的双镶嵌DD图案化。对于
2022-02-14 15:50:3344

关于InP在HCl溶液中的蚀刻研究报告

基于HC1的蚀刻被广泛应用于InP半导体器件,HC1溶液中其他酸的存在对蚀刻速率有显著影响,然而,InP并不溶在涉及简单氧化的传统蚀刻中,为了解决溶解机理的问题,我们江苏华林科纳研究了p-InP在不同HC1溶液中的刻蚀作用和电化学反应。
2022-02-09 10:54:5869

用于蚀刻冲洗和干燥MEMS晶片的最佳工艺条件实验报告

本研究通过我们华林科纳使用液体二氧化碳和超临界二氧化碳进行蚀刻和冲洗工艺的各种实验结果,选择合适的共溶剂,获得最佳的工艺条件,以提高工艺效率和生产率。通过基础实验证实丙酮是有效的,并作为本研究中
2022-02-08 17:04:28120

氮化镓的大面积光电化学蚀刻的实验报告

索引术语:氮化镓,蚀刻 摘要 本文介绍了我们华林科纳的一种利用氢氧化钾溶液和大面积汞灯照明氮化镓进行光增强湿法化学刻蚀的工艺。讨论了n+氮化镓、非有意掺杂氮化镓和p-氮化镓样品的结果。 介绍 光电
2022-01-28 11:11:23127

关于硅的湿化学蚀刻机理的研究报告

摘要 本文从晶体生长科学的角度回顾了单晶的湿化学蚀刻。起点是有光滑和粗糙的晶体表面。光滑面的动力学是由粗糙面上不存在的成核势垒控制的。因此后者蚀刻速度更快数量级。金刚石晶体结构的分析表明,晶面是该
2022-01-25 13:51:111179

关于硫酸-过氧化氢-水系统中砷化镓的化学蚀刻研究报告

摘要 我们华林科纳h2so4-h202-h20体系中(100)砷化镓的蚀刻情况进行了详细的研究。研究了特定蚀刻成分的浓度蚀刻速率和晶体表面形状的影响。从这些结果中,蚀刻浴组成的吉布斯三角形被
2022-01-25 10:32:24903

关于氮化镓的深紫外增强湿法化学蚀刻的研究报告

本文探讨了紫外辐照对生长在蓝宝石衬底上的非有意掺杂n型氮化镓(GaN)层的湿法化学刻蚀的影响。实验过程中,我们发现氮化镓的蚀刻发生在pH值分别为2-1和11-15的磷酸水溶液和氢氧化钾溶液中。在稀释
2022-01-24 16:30:3178

关于HF与HNO3混合物中硅的湿化学蚀刻机理研究报告

介绍 本文通过详细的动力学研究,阐明了在富含HF的高频/HNO3混合物中硅的湿式化学蚀刻的机理。蚀刻实验后,我们进行进行了化学分析并研究了蚀刻速率与温度、蚀刻的硅含量利用率和搅拌速度的函数关系
2022-01-24 15:41:1347

关于GaAs在酸性和碱性溶液中的湿蚀刻研究报告

,表面的Ga-As键断裂,元素砷留在砷化镓表面。此外,用盐酸+2-丙醇溶液蚀刻时可以观察到吸附的2-丙醇分子,但用氨水溶液蚀刻时没有检测到吸附的水分子。 介绍 湿式化学蚀刻工艺在器件制造中已被广泛应用。半导体/电解质界面上发生的过程
2022-01-24 15:07:3053

通过湿法蚀刻分离III-V多结太阳能电池

,这些问题变得更加重要。在本文中,我们提出了一种湿式微沟蚀刻工艺,允许单个太阳能电池的电隔离而不损害侧壁。用溴-甲醇蚀刻,通常用于III-V化合物的非选择性蚀刻的溶液,会在半导体表面形成不必要的蚀孔。我们研究了空穴形成的
2022-01-21 13:33:0169

半导体晶片湿蚀工艺的浮式数值分析

本研究透过数值解析,将实验上寻找硅晶片最佳流动的方法,了解目前蚀刻阶段流动的形式,并寻求最佳晶片蚀刻条件,蚀刻工艺效率低利用气泡提高湿法蚀刻工艺效果,用实验的方法寻找最佳流动,通过数值分析模拟了利用
2022-01-19 17:11:3236

关于玻璃湿法蚀刻的研究报告—江苏华林科纳半导体

蚀刻湿法蚀刻技术的方法。本文分析了玻璃湿法刻蚀工艺的基本要素,如:玻璃成分的影响、刻蚀速率、掩膜层残余应力的影响、主要掩膜材料的表征、湿法刻蚀工艺产生的表面质量。通过分析的结果,提出了一种改进的玻璃深度湿
2022-01-19 16:13:40270

关于非晶半导体中的光刻工艺的研究报告

。后一种工艺是集成电路微制造技术的基础。微电子工业不断增长的需求需要光刻材料(光刻),具有亚微米分辨率、高灵敏度、微电子中常用的基质的良好粘附,以及广泛的等离子体和湿化学蚀刻的高抗性。 非晶态半导体材料
2022-01-19 16:08:4661

关于湿蚀刻蚀刻扩散到深紫外光刻胶中的研究报告

,必须:1)保证光刻胶粘附,防止图案被蚀刻;2)防止蚀刻渗透到光致抗蚀/材料界面。为了避免后一种现象,了解蚀刻是否穿透光刻胶以及其扩散速率是至关重要的。 蚀刻垂直渗透的界面修饰已经在之前的工作中得到了证明。我
2022-01-18 15:20:3459

薄膜在含HF清洗液中的腐蚀行为—江苏华林科纳半导体

开。用代替铝合金要求在集成、金属化和图案化工艺技术方面进行显著的变革。为了获得最佳的器件性能、可靠性和寿命,必须避免薄膜腐蚀。这也要求采用与兼容的湿法蚀刻清洁化学物质来集成互连的双镶嵌DD图案化。对于湿法蚀刻清洗步
2022-01-12 13:33:0270

晶片表面刻蚀工艺碳硅太阳能电池特性的影响

引言 为了分析不同尺寸的金字塔结构太阳能电池特性的影响,我们通过各种刻蚀工艺在硅片上形成了金字塔结构。在此使用一步蚀刻工艺(碱性溶液蚀刻、反应离子蚀刻(RIE)和金属辅助化学蚀刻)以及两步蚀刻工艺
2022-01-11 14:05:0578

蚀刻控制研究—华林科纳半导体

摘要 本文对本克斯使用的铝蚀刻进行调查,以长期提高蚀刻部件的质量。非常薄的铝箔图案在磷酸、氯化铁和水锈溶液中精确蚀刻的铝箔图案符合尺寸和一致性标准。蚀刻的主要问题是,由蒸发和耗尽引起的成分变化
2022-01-07 16:47:46209

混合铝蚀刻的化学特性分析

摘要 我们华林科纳研究了正磷酸、聚磷酸、和铁(III)氯化物蚀刻工艺条件变化的敏感性,以确定该蚀刻系统在纯铝电路光刻制造中的潜在生产应用。温度变化、正磷酸浓度、多磷酸浓度的影响。检测了酸浓度
2022-01-07 15:40:12487

多磷酸蚀刻的化学特性

摘要 在印刷和蚀刻生产厚金属膜中的精密图案时,需要对化学蚀刻有基本的了解,以实现工艺优化和工艺控制。 为了蚀刻纯铝电路,研究了正磷酸、多磷酸和氯化铁的配方。 研究的目的是确定蚀刻速率和图案定义对正
2022-01-07 15:07:48471

使用单一晶圆加工工具蚀刻晶圆背面薄膜的方法

是翻转。翻转晶片进行蚀刻工艺的话,蚀刻均匀度最好在1%以下。因此,如果一面进行工程,工程时间将增加一倍。为了减少工序时间,在进行顶面工序的同时进行背面工序的方法进行了评价。本研究旨在制作可安装在晶片背面的蚀刻
2022-01-05 14:23:20413

湿法化学蚀刻硅太阳能电池的光电特性

引言 通过在含有H2O2的HF溶液中蚀刻,在两步工艺商用硅太阳能电池进行纹理化。银纳米粒子作为催化位点,有助于蚀刻过程。确定了在表面制备纳米孔的蚀刻时间。利用光谱仪测量了硅太阳能电池表面纳米结构
2022-01-04 16:42:5883

氮化镓的蚀刻速率与氩离子电流的关系

电感耦合等离子体反应离子蚀刻获得的高蚀刻速率和高度各向异性的轮廓。光增强湿法蚀刻提供了一种获得高蚀刻速率而没有离子诱导损伤的替代途径。该方法适用于器件制造以及n-氮化镓中位错密度的估算。这有可能发展成为一种快
2021-12-30 10:36:17116

Cu杂质对Si(110)湿法蚀刻的影响—苏州华林科纳半导体

引言 我们在蚀刻的硅(110)表面上实验观察到的梯形小丘的形成,描述它们的一般几何形状并分析关键表面位置的相对稳定性和(或)反应性。在我们的模型中,小丘被蚀刻中的杂质稳定,杂质吸附在表面上并作
2021-12-29 17:04:31105

化学蚀刻-ETP的实验分析

不同的蚀刻(氯化铁和氯化铜)进行化学蚀刻。研究了选择的蚀刻和加工条件蚀刻深度和表面粗糙度的影响。实验研究表明,氯化铁产生的化学腐蚀速率最快,但氯化铜产生的化学腐蚀速率最快最光滑的表面质量。 关键词:化学蚀刻
2021-12-29 13:21:46778

半导体工艺之介电蚀刻工艺中等离子体的蚀刻处理

摘要 本文主要研究了从接触刻蚀、沟槽刻蚀到一体刻蚀的介质刻蚀工艺中的刻蚀后处理。优化正电子发射断层扫描步骤,不仅可以有效地去除蚀刻过程中在接触通孔的侧壁底部形成的副产物,还可以消除包含特征的蚀刻金属
2021-12-27 14:45:13630

晶圆湿式用于硅蚀刻浴晶圆蚀刻

)、(TMAH)、NaOH等,但KOH与TMAH相比,平整度更好,并且只对硅的 100 表面做出反应,因此Fig。如1所示,具有54.74的各向异性蚀刻特性,毒性小。使用KOH的硅各向异性湿式蚀刻在压力传感器、加速度计、光学传感器等整体MEMS装置结构形成等中使用。 实验 KOH硅湿法蚀刻工艺 工艺
2021-12-23 09:28:22133

用于化学分析的Si各向异性湿法化学蚀刻

的各向异性湿式化学蚀刻。 本文主要目的是评估不同的各向异性蚀刻,用于微加工柱、分裂器和其他几何图案的变体,可用作构建更复杂的微加工结构的构建块,并可能用于化学分析应用。我们根据微加工,介绍各向异性湿式化学
2021-12-22 16:41:38184

用各向异性湿法蚀刻技术制作的低损耗硅波导

低损耗硅波导和有效的光栅耦合器来将光耦合到其中。通过使用各向异性湿法蚀刻技术,我们将侧壁粗糙度降低到1.2纳米。波导沿[112]方向在绝缘体上硅衬底上形成图案。
2021-12-22 10:15:03152

醇类添加KOH溶液蚀刻特性的影响

我们华林科纳研究了不同醇类添加氢氧化钾溶液的影响。据说醇导致硅蚀刻各向异性的改变。具有一个羟基的醇表现出与异丙醇相似的效果。它们导致(hh 1)型平面的蚀刻速率大大降低,通常在蚀刻凸形图形的侧壁处发展。这就是凸角根切减少的原因。具有一个以上羟基的醇不影响蚀刻各向异性,并导致表面光洁度变差。
2021-12-17 14:11:58141

半导体湿法化学刻蚀工艺观察

我们提出了一种观察铝层蚀刻截面的方法,并将其应用于静止蚀刻蚀刻的试件截面的观察。观察结果成功地阐明了蚀刻截面几何形状的时间变化,和抗蚀宽度几何形状的影响,并蚀刻过程进行了数值模拟。验证了蚀刻截面的模拟几何形状与观测结果一致,表明本数值模拟可以有效地预测蚀刻截面的几何形状。
2021-12-14 17:12:051328

采用可控湿法蚀刻速率的AlGaN/GaN的精密凹槽 华林科纳

这本文中,我们提出了一种精确的,低损伤的循环刻蚀AlGaN/GaN的新方法,用于精确的势垒凹陷应用,使用ICP-RIE氧化和湿法刻蚀。设备功率设置的优化允许获得宽范围的蚀刻速率~0.6至~11纳米/周期,而相对于未蚀刻的表面,表面粗糙度没有任何可观察到的增加。
2021-12-13 16:07:58623

如何阻止天线效应破坏您的电路

湿法蚀刻相比,等离子蚀刻的一个主要优点是能够获得高度定向(各向异性)的蚀刻工艺
2021-09-23 15:56:531004

多层PCB内层的光刻工艺每个阶段需要做什么

多层PCB内层的光刻工艺包括几个阶段,接下来详细为大家介绍多层PCB内层的光刻工艺每个阶段都需要做什么。 PART.1 在第一阶段,内层穿过化学制剂生产线。表面会出现粗糙度,这对于光致抗蚀的最佳
2021-09-05 10:07:091137

浅谈pcb蚀刻制程及蚀刻因子

1、 PCB蚀刻介绍 蚀刻是使用化学反应而移除多余材料的技术。PCB线路板生产加工蚀刻质量的基本要求就是能够将除抗蚀层下面以外的所有层完全去除干净,仅此而已。在PCB制造过程中,如果要精确地
2020-10-31 12:06:009980

PCB蚀刻定义及蚀刻操作条件

蚀刻:将覆铜箔板表面由化学药水蚀刻去除不需要的导体,留下导体形成线路图形,这种减去法工艺是当前印制电路板加工的主流
2020-09-26 05:12:013550

浅谈PCB设计上的光刻胶蚀刻

大型PCB制造商使用电镀和蚀刻工艺在板上生产走线。对于电镀,生产过程始于覆盖外层板基板的电镀铜。 光刻胶蚀刻也用作生产印刷电路板的另一个关键步骤。在蚀刻过程中保护所需的需要在去除不希望有的和在
2020-09-26 01:30:131782

PCB蚀刻机的原理及其工艺流程的介绍

蚀刻机的基础原理一、蚀刻的目的蚀刻的目的即是将前工序所做出有图形的线路板上的未受保护的非导体部分蚀刻去,形成线路。蚀刻有内层蚀刻和外层蚀刻,内层采用酸性蚀刻,湿膜或干膜为抗蚀;外层采用碱性蚀刻,锡铅为抗蚀
2020-12-24 12:59:3836

pcb蚀刻机的基础原理

一、蚀刻的目的 蚀刻的目的即是将前工序所做出有图形的线路板上的未受保护的非导体部分蚀刻去,形成线路。 蚀刻有内层蚀刻和外层蚀刻,内层采用酸性蚀刻,湿膜或干膜为抗蚀;外层采用碱性蚀刻,锡铅为抗蚀
2020-09-25 23:38:543014

PCB板蚀刻工艺说明

PCB板蚀刻工艺用传统的化学蚀刻过程腐蚀未被保护的区域。有点像是挖沟,是一种可行但低效的方法。在蚀刻过程中也分正片工艺和负片工艺之分,正片工艺使用固定的锡保护线路,负片工艺则是使用干膜或者湿膜来保护线路。用传统的蚀刻方法到线或焊盘的边缘是畸形的。
2020-07-12 10:27:431410

如何在印制电路板制造工艺中选择合适的蚀刻

蚀刻液的选择是非常重要的,它所以重要是因为它在印制电路板制造工艺中直接影响高密度细导线图像的精度和质量。当然蚀刻液的蚀刻特性要受到诸多因素的影响,有物理、化学及机械方面的。
2020-04-15 15:58:551216

喷淋蚀刻在精细印制电路制作过程中的蚀刻原理解析

在喷淋蚀刻过程中,蚀刻液是通过蚀刻机上的喷头,在一定压力下均匀地喷淋到印制电路板上的。蚀刻液到达印制板之后进入干镆之间的凹槽内并与凹槽内露出的发生化学反应。
2020-04-08 15:30:521413

蚀刻简介

PCB,电路板,基板上面如何出现电路呢?这就要蚀刻来实现。所谓蚀刻,先在板子外层需保留的铜箔部分,也就是电路的图形部分,在上面预镀一层铅锡抗蚀层,然后用化学方式将其余的铜箔腐蚀掉。有两层,一层需要
2020-03-06 09:37:452292

印制电路进行蚀刻工艺时出现的常见问题解析

1.问题:印制电路中蚀刻速率降低 原因: 由于工艺参数控制不当引起的 解决方法: 按工艺要求进行检查及调整温度、喷淋压力、溶液比重、PH值和氯化铵的含量等工艺参数到工艺规定值。
2020-01-15 15:23:181502

如何蚀刻PCB

此外,由于蚀刻液会吃掉,并且有毒,因此您应该将其与其他有害物质一起丢弃,绝对不要将其倒入排水沟中,否则会吃光您的铜管!
2019-09-23 12:55:061971

PCB工艺的酸性蚀刻简介

酸性蚀刻是指用酸性溶液蚀去非线路层,露出线路部分,完成最后线路成形。
2019-08-16 05:33:035096

PCB内层和外层蚀刻方法

PCB蚀刻是从电路板上去除不需要的(Cu)的过程。当我说不需要的时候,它只不过是从电路板上移除的非电路。结果,实现了所需的电路图案。
2019-09-06 05:11:058210

关于原子层蚀刻的分析和介绍

逻辑芯片是第一个应用,但不是唯一的。 Mitra说:“虽然各向异性现在有更多的应用,但各向同性蚀刻适应新的应用和变化。它使客户能够解决新的问题,特别是当客户正在越来越多的向3D制程进军时。如果你
2019-08-01 19:08:425931

PCB的蚀刻工艺你了解吗

 印刷线路板从光板到显出线路图形的过程是一个比较复杂的物理和化学反应的过程,本文就其最后的一步--蚀刻进行解析。目前,印刷电路板(PCB)加工的典型工艺采用“图形电镀法”。即先在板子外层需保留的铜箔部分上,也就是电路的图形部分上预镀一层铅锡抗蚀层,然后用化学方式将其余的铜箔腐蚀掉,称为蚀刻
2019-04-09 11:31:272885

PCB生产过程中的蚀刻工艺技术解析

蚀刻过程是PCB生产过程中基本步骤之一,简单的讲就是基底被抗蚀层覆盖,没有被抗蚀层保护的蚀刻发生反应,从而被咬蚀掉,最终形成设计线路图形和焊盘的过程。当然,蚀刻原理用几句话就可以轻而易举
2019-04-09 11:36:521837

PCB线路板外层电路制作的蚀刻工艺解析

在印制板外层电路的加工工艺中,还有另外一种方法,就是用感光膜代替金属镀层做抗蚀层。这种方法非常近似于内层蚀刻工艺,可以参阅内层制作工艺中的蚀刻。目前,锡或铅锡是最常用的抗蚀层,用在氨性蚀刻蚀刻工艺
2019-04-09 11:39:061498

线路板外层电路的蚀刻工艺

目前,印刷电路板(PCB)加工的典型工艺采用”图形电镀法”。即先在板子外层需保留的铜箔部分上,也就是电路的图形部分上预镀一层铅锡抗蚀层,然后用化 学方式将其余的铜箔腐蚀掉,称为蚀刻
2019-07-09 10:10:392218

如何提高线路板蚀刻工艺的质量

要注意的是,这时的板子上面有两层。在外层蚀刻工艺中仅仅有一层是必须被全部蚀刻掉的,其余的将形成最终所需要的电路。这种类型的图形电镀,其特点是镀铜层仅存在于铅锡抗蚀层的下面。另外一种工艺方法是整个
2019-04-09 11:39:21786

印刷电路板PCB的蚀刻工艺介绍

目前,印刷电路板(PCB)加工的典型工艺采用"图形电镀法"。即先在板子外层需保留的铜箔部分上,也就是电路的图形部分上预镀一层铅锡抗蚀层,然后用化学方式将其余的铜箔腐蚀掉,称为蚀刻
2019-07-06 10:16:335183

印刷电路板PCB的蚀刻工艺介绍

目前,印刷电路板(PCB)加工的典型工艺采用"图形电镀法"。即先在板子外层需保留的铜箔部分上,也就是电路的图形部分上预镀一层铅锡抗蚀层,然后用化学方式将其余的铜箔腐蚀掉,称为蚀刻
2019-04-09 11:41:231450

蚀刻机的工作原理及应用范围

蚀刻指通过曝光制版、显影后,将要蚀刻区域的保护摸去处,在蚀刻时接触化学溶液,达到溶解腐蚀的作用,形成凹凸或者镂空成型的效果。最早可用来制造铜版、锌版等印刷凹凸版。蚀刻机可以分为化学蚀刻机及电解蚀刻机两类。
2019-06-26 16:47:4013092

PCB蚀刻工艺过程中如何把控蚀刻质量

印刷线路板从光板到显出线路图形的过程是一个比较复杂的物理和化学反应的过程,本文就其最后的一步——蚀刻进行解析。
2019-05-31 16:15:252042

电路板蚀刻是什么意思

蚀刻法是用蚀刻液将导电线路以外的铜箔去除掉的方法,雕刻法是用雕刻机将导电线路以外的铜箔去除掉的方法,前者是化学方法,较常见,后者是物理方法。
2019-05-17 11:15:4015862

印刷电路板的外层蚀刻工艺的相关介绍

目前,印刷电路板(PCB)加工的典型工艺采用“图形电镀法”。即先在板子外层需保留的铜箔部分上,也就是电路的图形部分上预镀一层铅锡抗蚀层,然后用化学方式将其余的铜箔腐蚀掉,称为蚀刻。要注意的是,这时的板子上面有两层
2019-05-07 15:37:052919

PCB板蚀刻过程中需要注意的事项有哪些

,使蚀刻后的导线能接近原图尺寸。无论是锡-铅合金,锡,锡-镍合金或镍的电镀蚀刻,突沿过度时都会造成导线短路。
2019-04-30 09:20:46698

蚀刻的原理

通常所指蚀刻也称腐蚀或光化学蚀刻(photochemicaletching),指通过曝光制版、显影后,将要蚀刻区域的保护膜去除,在蚀刻时接触化学溶液,达到溶解腐蚀的作用,形成凹凸或者镂空成型的效果。
2019-04-25 15:42:427602

蚀刻工艺流程及注意事项

蚀刻(etching)是将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术。蚀刻技术可以分为湿蚀刻(wet etching)和干蚀刻(dry etching)两类。它可通过曝光制版、显影后,将要蚀刻区域的保护膜去除,在蚀刻时接触化学溶液,达到溶解腐蚀的作用,形成凹凸或者镂空成型的效果。
2019-04-24 16:07:2321335

PCB蚀刻过程中应该注意的问题

蚀刻液的种类:不同的蚀刻液化学组分不同,其蚀刻速率就不同,蚀刻系数也不同。例如:酸性氯化铜蚀刻液的蚀刻系数通常为3,碱性氯化铜蚀刻液的蚀刻系数可达到4。近来的研究表明,以硝酸为基础的蚀刻系统可以做到几乎没有侧蚀,达到蚀刻的线条侧壁接近垂直。这种蚀刻系统正有待于开发。
2018-10-12 11:29:354952

PCB真空蚀刻技术详细分析,原理和优势详细概述

蚀刻过程是PCB生产过程中基本步骤之一,简单的讲就是基底被抗蚀层覆盖,没有被抗蚀层保护的蚀刻发生反应,从而被咬蚀掉,最终形成设计线路图形和焊盘的过程。当然,蚀刻原理用几句话就可以轻而易举
2018-08-12 10:35:046050

一种RS-158蚀刻添加能有效改善其蚀刻效果

RS-158蚀刻添加可直接添加于蚀刻母液中使用,操作简单。为了开缸和后续添加时控制方便,将RS-158蚀刻添加分为RS-158A与RS-158B。RS-158A:主要作用加速垂直咬蚀力(即加快正蚀速度),开缸后如出现下降速度超过25%,可单独添加RS-158A;
2018-08-08 16:27:434929

PCB蚀刻工艺原理_pcb蚀刻工艺流程详解

本文首先介绍了PCB蚀刻工艺原理和蚀刻工艺品质要求及控制要点,其次介绍了PCB蚀刻工艺制程管控参数及蚀刻工艺品质确认,最后阐述了PCB蚀刻工艺流程详解,具体的跟随小编一起来了解一下吧。
2018-05-07 09:15:0829694

蚀刻机配件有哪些_蚀刻机配件清单

本文首先介绍了蚀刻机的分类及用途,其次阐述了蚀刻机的配件清单,最后介绍了蚀刻机的技术参数及应用。
2018-04-10 14:48:272578

深度解析PCB蚀刻工艺过程

印刷线路板从光板到显出线路图形的过程是一个比较复杂的物理和化学反应的过程,本文就其最后的一步--蚀刻进行解析。目前,印刷电路板(PCB)加工的典型工艺采用"图形电镀法"。即先在板子外层需保留的铜箔部分上,也就是电路的图形部分上预镀一层铅锡抗蚀层,然后用化学方式将其余的铜箔腐蚀掉,称为蚀刻
2017-12-26 09:00:2325885

美实验室开发砷化镓新晶圆蚀刻

美国伊利诺大学(University of Illinois)实验室开发出一种以金属为蚀刻催化的砷化镓晶圆蚀刻
2012-01-07 11:49:281039

电路板蚀刻

一、 三氯化铁蚀刻液在印制电路、电子和金属精饰等工业中广泛采用三氯化铁蚀刻、铜合金及铁、锌、铝等。这是由于它的工艺稳定,操作方便,价格便宜。但是,近些年来,
2010-08-19 17:25:2261

超细线蚀刻工艺技术介绍

超细线蚀刻工艺技术介绍  目前,集成度呈越来越高的趋势,许多公司纷纷开始SOC技术,但SOC并不能解决所有系统集成的问题,因
2010-03-30 16:43:08854

显影、蚀刻、去膜(DES)工艺指导书/说明书

显影、蚀刻、去膜(DES)工艺指导书/说明书 一.目的:本指导书规定显影、蚀刻、去膜(DES)工位的工作内容和步骤。
2010-03-08 09:21:425266

已全部加载完成