Micro OLED 阳极像素定义层制备方法及白光干涉仪在光刻图形的测量

引言

Micro OLED 作为新型显示技术，在微型显示领域极具潜力。其中，阳极像素定义层的制备直接影响器件性能与显示效果，而光刻图形的精准测量是确保制备质量的关键。白光干涉仪凭借独特优势，为光刻图形测量提供了可靠手段。

Micro OLED 阳极像素定义层制备方法

传统光刻工艺

传统 Micro OLED 阳极像素定义层制备常采用光刻剥离工艺。首先在基板上沉积金属层作为阳极材料，接着旋涂光刻胶，通过掩模版曝光使光刻胶发生光化学反应，随后进行显影，去除曝光或未曝光部分的光刻胶。最后通过剥离工艺，将未被光刻胶保护的金属层去除，从而形成阳极像素定义层。但此方法存在缺陷，光刻胶剥离过程中易残留杂质，影响像素电极的导电性和稳定性，且工艺复杂，成本较高 。

新型制备技术

为克服传统工艺弊端，新型制备技术不断涌现。如喷墨打印技术，利用高精度喷头将阳极材料墨水直接喷射到基板指定位置，形成像素定义层图案。该技术可实现材料按需分配，减少材料浪费，且能精确控制图案尺寸，适合制备高分辨率 Micro OLED 阳极像素定义层。此外，纳米压印技术也备受关注，通过将带有图案的模板压印在涂有软质材料的基板上，实现图案的复制转移，可快速制备大面积、高精度的阳极像素定义层，有效提升生产效率。

白光干涉仪在光刻图形测量中的应用

测量原理

白光干涉仪基于白光干涉原理，将白光分为两束，一束照射待测光刻图形表面反射回来，另一束作为参考光，两束光相遇产生干涉。通过分析干涉条纹，依据光程差与表面高度的关系，可获取光刻图形的高度、轮廓等参数。

测量优势

白光干涉仪具有高精度、非接触的特点，测量精度可达纳米级，不会对脆弱的光刻图形造成损伤。同时，测量速度快，能够实时在线检测，配合专业软件还能对测量数据进行可视化处理，直观呈现光刻图形质量。

实际应用

在 Micro OLED 阳极像素定义层制备中，白光干涉仪可用于测量光刻胶图案的高度、线宽，以及阳极金属层图形的平整度等关键参数，确保制备的阳极像素定义层符合设计要求，为提升 Micro OLED 显示性能提供保障。

TopMap Micro View白光干涉3D轮廓仪

一款可以“实时”动态/静态 微纳级3D轮廓测量的白光干涉仪

1)一改传统白光干涉操作复杂的问题，实现一键智能聚焦扫描，亚纳米精度下实现卓越的重复性表现。

2)系统集成CST连续扫描技术，Z向测量范围高达100mm，不受物镜放大倍率的影响的高精度垂直分辨率，为复杂形貌测量提供全面解决方案。

3）可搭载多普勒激光测振系统，实现实现“动态”3D轮廓测量。

实际案例

1，优于1nm分辨率，轻松测量硅片表面粗糙度测量，Ra=0.7nm

2，毫米级视野，实现5nm-有机油膜厚度扫描

3，卓越的“高深宽比”测量能力，实现光刻图形凹槽深度和开口宽度测量。

审核编辑 黄宇