纳微半导体邀您相约PCIM Europe 2025

纳微半导体宣布将在5月6-8日参加于德国纽伦堡举办的PCIM 2025，全面展示氮化镓和碳化硅技术在AI数据中心、电动汽车、电机马达和工业领域的应用新进展。

PCIM是全球功率电子、智能运动、可再生能源以及能源管理领域的领先展会。纳微诚邀观众莅临位于9号馆，展位号544的“纳微芯球”展位，了解纳微如何通过下一代氮化镓和碳化硅技术，对传统硅器件进行替代，从而实现Electrify Our World的宏伟使命。

主要的展品及技术亮点包括：

全球首款量产级650V双向GaNFast氮化镓功率芯片和高速隔离型IsoFast门极驱动器

二者能使传统的两级架构向单级架构跃迁，打造电力电子的全新范式。目标应用市场包括电动汽车充电（车载充电机OBC和充电桩），太阳能逆变器，储能和电机马达。

更多细节可回顾线上发布会：

符合车规的高功率GaNSafe氮化镓功率芯片

均已通过AEC-Q100和AEC-Q101认证，可为车载充电机（OBC）和高压转低压的DC-DC变换器解锁前所未有的功率密度和效率表现。为了支撑这一认证，纳微半导体编制了一份全面的可靠性报告，该报告分析了超过7年的生产和实际应用数据。报告展示了公司的业绩记录，以及产品在鲁棒性和可靠性方面的迭代和系列改进，确认了氮化镓功率芯片具备极高的可靠性并且非常适用于汽车领域。

全新的SiCPAK功率模块

采用环氧树脂灌封技术及纳微独家的“沟槽辅助平面栅”碳化硅MOSFET技术，使得热阻变化量降低五倍，显著延长系统使用寿命。经过严格设计和验证，适用于最严苛的高功率环境，重点确保可靠性与耐高温性能。目标市场包括电动汽车直流快充（DCFC）、工业电机驱动、不间断电源（UPS）、光伏逆变器与功率优化器、储能系统（ESS）、工业焊接及感应加热。

专为电机马达打造的GaNSense氮化镓功率芯片

具备双向无损电流感应、电压感测以及温度保护功能，与任何分立氮化镓或分立硅器件所能达到的性能相比，进一步提升了性能和稳定性。

符合AEC-Q101车规认证的第三代快速碳化硅MOSFETs

凭借着超20年的碳化硅创新领导地位，GeneSiC推出全球领先的第三代快速碳化硅功率器件，基于纳微专有的“沟槽辅助平面栅”技术研发，为实现最快的开关速度、最高的效率和功率密度的增进进行优化，为AI数据中心提升三倍功率并加速电动汽车充电。

集成之巅，易用至极的GaNSlim氮化镓功率芯片

全新一代高度集成的氮化镓功率芯片，以最高水平的集成度和散热性能，将进一步简化并加速小型化、高功率密度应用的开发。目标应用包括移动设备和笔记本电脑充电器、电视电源以及高达500W的照明系统。

全球首款8.5kW AI数据中心服务器电源

该方案采用大功率GaNSafe氮化镓功率芯片和第三代快速碳化硅MOSFETs，分别用于三相LLC拓扑结构和三相交错CCM TP-PFC结构，可实现最高效率、性能以及最少的元件数量，并具备98%的超高整机效率。

全球功率密度最高的AI数据中心服务器电源

采用纳微大功率GaNSafe氮化镓功率芯片和第三代快速碳化硅MOSFETs打造，为最新的AI GPUs打造了体积最小的4.5kW电源，满足最新AI GPUs每个机柜达3倍的功率增长需求，可实现137W/in3的全球最高功率密度以及超过 97% 的效率。

搭载IntelliWeave专利数字控制技术的AI数据中心服务器电源

采用了高功率GaNSafe氮化镓功率芯片和第三代快速碳化硅MOSFETs的混合设计，PFC的峰值效率高达99.3%，相较现有方案降低30%的功率损耗。

关于纳微半导体

纳微半导体（纳斯达克股票代码: NVTS）是唯一一家全面专注下一代功率半导体事业的公司，于2024年迎来了成立十周年。GaNFast氮化镓功率芯片将氮化镓功率器件与驱动、控制、感应及保护集成在一起，为市场提供充电更快、功率密度更高和节能效果更好的产品。性能互补的GeneSiC碳化硅功率器件是经过优化的高功率、高电压、高可靠性碳化硅解决方案。重点市场包括移动设备、消费电子、数据中心、电动汽车、太阳能、风力、智能电网和工业市场。纳微半导体拥有超过300项已经获颁或正在申请中的专利。纳微半导体于业内率先推出唯一的氮化镓20年质保承诺，也是全球首家获得CarbonNeutral认证的半导体公司。