电子发烧友网报道（文/黄山明）作为第三代半导体材料核心，碳化硅（SiC）与其它半导体产品去库存的市场节奏截然不同。市场中高性能碳化硅仍然持续紧缺，并且随着新能源汽车的蓬勃发展，也带动着碳化硅市场热度
2023-07-07 01:15:00
943 发展到以氮化镓、碳化硅为代表的第三代以及以氧化镓、氮化铝为代表的第四代半导体。目前以氮化镓、碳化硅为代表的第三代半导体器件正发展得如火如荼，在商业化道路上高歌猛进。 与此同时，第四代半导体材料的研究也频频取得
2023-04-02 01:53:366100 
证监会官网最新披露，碳化硅（SiC）领域的领军企业芯三代半导体科技（苏州）股份有限公司（简称“芯三代”）已在江苏证监局完成辅导备案登记，计划首次公开发行股票并上市。
2024-03-15 16:52:33425 2月27日，第三代半导体碳化硅材料生产基地在宝安区启用，由深圳市重投天科半导体有限公司（以下简称“重投天科”）建设运营，预计今年衬底和外延产能达25万片
2024-02-29 14:09:14234 总计投资32.7亿元人民币的第三代半导体碳化硅材料生产基地是中共广东省委和深圳市委重点关注的项目之一，同时也是深圳全球招商大会的重点签约项目。
2024-02-28 16:33:34335 证监会近日公告显示，深圳市纳设智能装备股份有限公司（简称“纳设智能”）已正式开启首次公开发行股票并上市的辅导备案程序。该公司专注于第三代半导体碳化硅（SiC）外延设备以及石墨烯等先进材料的研发、生产、销售和应用推广，是国产碳化硅外延设备的领军企业。
2024-02-26 17:28:02487 共读好书 碳化硅是第三代半导体产业发展的重要基础材料，碳化硅功率器件以其优异的耐高压、耐高温、低损耗等性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求。 碳化硅MOSFET具有高频高效
2024-02-21 18:24:15410 
随着能源危机和环境污染日益加剧，电力电子技术在能源转换、电机驱动、智能电网等领域的应用日益广泛。碳化硅（SiC）功率器件作为第三代半导体材料的代表，具有高温、高速、高效、高可靠性等优点，被誉为“未来电力电子的新星”。本文将详细介绍碳化硅功率器件的基本原理、性能优势、应用领域以及未来发展趋势。
2024-02-21 09:27:13209 以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）为代表的第三代宽禁带半导体材料具有优异的光电转换和微波信号传输能力，能满足高频、高温、大功率和抗辐射电子器件的需求。
2024-02-20 10:03:25336 
在清洁能源、电动汽车的发展趋势下，近年来第三代半导体碳化硅和氮化镓受到了史无前例的关注，市场以及资本都在半导体行业整体下行的阶段加大投资力度，扩张规模不断扩大。在过去的2023年，全球第三代半导体
2024-02-18 00:03:002542 碳化硅（SiC）是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料，是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一。
2024-01-24 16:42:04840 
第二代半导体材料以砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）为代表。第三代半导体材料主 要包括碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、硒化锌（ZnSe）等，因其禁带宽度较大，又被 称为宽禁带半导体材料。
2024-01-23 10:06:04258 
碳化硅是第三代半导体产业发展的重要基础材料，碳化硅功率器件以其优异的耐高压、耐高温、低损耗等性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求。
2024-01-20 17:18:29502 
第三代半导体功率器件及模块整体解决方案提供商，专注于提供第三代半导体功率器件和模块整体解决方案的芯片公司。主要产品包括SiC SBD，SiC MOSFET，GaN HEMT等第三代半导体功率器件和模块
2024-01-19 14:55:55
第三代半导体功率器件及模块整体解决方案提供商，专注于提供第三代半导体功率器件和模块整体解决方案的芯片公司。主要产品包括SiC SBD，SiC MOSFET，GaN HEMT等第三代半导体功率器件和模块
2024-01-19 14:53:16
今日（1月18日），意法半导体在官微宣布，公司与聚焦于碳化硅（SiC）半导体功率模块和先进电力电子变换系统的中国高科技公司致瞻科技合作，为致瞻科技电动汽车车载空调中的压缩机控制器提供意法半导体第三代碳化硅（SiC）MOSFET技术。
2024-01-19 09:48:16254 
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。与其它同类产品相比，这些GaN内部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附带效率。与硅或砷化镓
2024-01-19 09:27:13
碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料，因其宽禁带宽度、高击穿电场强度和高热导率等优异性能，在众多高端应用领域表现出色，已成为半导体材料技术的重要发展方向之一。SiC衬底分为导电型和半绝缘型两种，各自适用于不同的外延层和应用场景。
2024-01-17 09:38:29306 
第三代半导体性能优越，应用场景更广。半导体材料作为电子信息技术发展的 基础，经历了数代的更迭。随着应用场景提出更高的要求，以碳化硅、氮化镓为代 表的第三代半导体材料逐渐进入产业化加速放量阶段。相较
2024-01-16 10:48:49314 
同为第三代半导体材料，氮化镓时常被人用来与碳化硅作比较，虽然没有碳化硅发展的时间久，但氮化镓依旧凭借着禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、饱和电子漂移速度高和抗辐射能力强等特点展现了它的优越性。
2024-01-10 09:53:29559 
碳化硅（SiC）是一种优良的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高热导率、低介电常数等特点，因此在高温、高频、大功率应用领域具有显著优势。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的电力电子器件，主要包括
2024-01-09 09:26:49379 。 第三代半导体是以碳化硅、氮化镓等为代表的宽禁带半导体材料。某机构数据显示，2022年，国内有超26家碳化硅企业拿到融资。而根据电子发烧友的不完全统计，今年光上半年就有32家碳化硅企业拿到融资。2023全年第三代半导体行业融资超
2024-01-09 09:14:331408 
车用SiC碳化硅的五大难点和应对方案近年来，包括SiC在内的第三代半导体器件在汽车上的应用比例与日俱增。但在专业人士看来，这并不会是一个简单的事情。一以车用引线框架来看，尽管Si、碳化硅/氮化镓引线
2024-01-06 14:22:15410 
近日，Nexperia（安世半导体）凭借其在氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）领域的杰出表现，荣获两项权威大奖：“SiC年度优秀产品奖”和“中国GaN功率器件十强”。这一荣誉充分展示了安世半导体作为基础半导体全球领导者的强大实力，以及其在三代半领域的深厚积累。
2024-01-03 15:46:13402 镓（GaN）半导体： 氮化镓是一种二元复合半导体（由氮和镓元素构成），具有较大的禁带宽度（3.4电子伏特）。它是一个具有六方晶系结构的材料，并且具有较高的热稳定性和宽温度范围的应用特性。 碳化硅（SiC）半导体： 碳化硅是
2023-12-27 14:54:18326 电子发烧友网报道（文/梁浩斌）在我们谈论第三代半导体的时候，常说的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管），而氮化镓功率器件最普遍的则是GaN HEMT（高电子
2023-12-27 09:11:361219 芯联集成已全力挺进第三代半导体市场，自2021年起投入碳化硅MOSFET芯片及模组封装技术的研究开发与产能建设。短短两年间，芯联集成便已成功实现技术创新的三次重大飞跃，器件性能与国际顶级企业齐肩，并且已稳定实现6英寸5000片/月碳化硅MOSFET芯片的大规模生产。
2023-12-26 10:02:38247 以SiC为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。碳化硅作为第三代半导体材料的典型代表，也是目前晶体生产技术和器件制造水平最成熟，应用最广
2023-12-25 17:05:22525 半导体材料目前已经发展至第三代。传统硅基半导体由于自身物理性能不足以及受限于摩尔定律，逐渐不适应于半导体行业的发展需求，砷化镓、碳化硅、氮化镓等化合物半导体也因而诞生。
2023-12-21 15:12:20817 
家 SiC、GaN 企业代表来共同见证第三代半导体的蓬勃发展。Nexperia（安世半导体）荣获权威认证，将「SiC年度优秀产品奖」与「中国GaN 功率器件十强」两项大奖收入囊中，展现了其作为基础半导体全球领导者的强大实力与深耕三代半领域的决心。
2023-12-21 11:37:25681 碳化硅（SiC），又名碳化硅，是一种硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻断电压能力和低比导通电阻。
2023-12-12 09:47:33455 
第三代半导体碳化硅材料生产及研究开发企业作为中国电科集团的“12大创新平台之一，山西烁科晶体有限公司聚焦碳化硅单晶衬底领域，已成为国内实现碳化硅衬底材料供应链自主创新的供应商之一。
2023-12-11 10:46:37463 碳化硅和氮化镓的区别 碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）是两种常见的宽禁带半导体材料，在电子、光电和功率电子等领域中具有广泛的应用前景。虽然它们都是宽禁带半导体材料，但是碳化硅和氮化镓在物理性质
2023-12-08 11:28:51739 碳化硅，又称SiC，是一种由纯硅和纯碳组成的半导体基材。您可以将SiC与氮或磷掺杂以形成n型半导体，或将其与铍、硼、铝或镓掺杂以形成p型半导体。虽然碳化硅的品种和纯度很多，但半导体级质量的碳化硅只是在过去几十年中才浮出水面。
2023-12-08 09:49:23437 基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia（安世半导体）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并发布两款采用 3 引脚 TO-247 封装的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分别为 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50413 碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性，突破硅基半导体材料物理限制，是第三代半导体核心材料。
2023-11-14 09:04:13491 第三代半导体技术以及碳化硅(SiC)材料，正迅速崛起并且在科技产业中引起广泛关注，这两个领域的结合，为我们带来了前所未有的机会和挑战，将深刻改变我们的生活方式、产业发展，甚至全球经济格局。
2023-11-08 14:59:01512 
氮化镓（GaN）被誉为是继第一代 Ge、Si 半导体材料、第二代 GaAs、InP 化合物半导体材料之后的第三代半导体材料，今天金誉半导体带大家来简单了解一下，这个材料有什么厉害的地方。
2023-11-03 10:59:12662 
泵、空调等汽车系统，产品优点包括高功率密度、设计高度紧凑和装配简易等，提供四管全桥、三相六管全桥和图腾柱三种封装配置，增强了系统设计灵活性。 新模块内置1200VSiC功率开关管，意法半导体第二代和第三代 SiC MOSFET先进技术确保碳化硅开关管具有很低的导通电阻RDS(o
2023-10-30 16:03:10262 公司之一， GeneSiC 为政府机构开发了尖端的碳化硅技术ⁱ， 重点关注性能和稳健性， 并发布了几代碳化硅二极管和 MOSFET 技术，额定值高达 6.5 kV 在各种封装中以及裸片. 2022年， 纳微半导体收购了GeneSiC半导体， 创建了业界唯一一家专注于SiC和GaN的纯下一代功率半导体公司
2023-10-25 16:32:01603 
近年来，碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等第三代半导体材料成为全球半导体市场热点之一。
2023-10-16 14:45:06694 随着科技的不断进步，电力电子领域正在发生着深刻的变化。在这个变化中，第三代半导体氮化镓（GaN）技术成为了焦点，其对于充电器的性能和效率都带来了革命性的影响。
在传统的硅基材料中，电力电子器件
2023-10-11 16:30:48250 第三代宽禁带半导体SiC和GaN在新能源和射频领域已经开始大规模商用。与第一代和第二代半导体相比，第三代半导体具有许多优势，这些优势源于新材料和器件结构的创新。
2023-10-10 16:34:28295 
碳化硅衬底是新近发展的宽禁带半导体的核心材料，碳化硅衬底主要用于微波电子、电力电子等领域，处于宽禁带半导体产业链的前端，是前沿、基础的核心关键材料。
2023-10-09 16:38:06525 
点击蓝字 关注我们 宽禁带半导体是指具有宽禁带能隙的半导体材料，例如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)，由于其能够承受高电压、高温和高功率密度等特性，因此具有广泛应用前景。根据市场调研机构的数据
2023-10-08 19:15:02262 作为第三代功率半导体的绝世双胞胎，氮化镓MOS管和碳化硅MOS管日益受到业界特别是电气工程师的关注。电气工程师之所以如此关注这两种功率半导体，是因为它们的材料与传统的硅材料相比具有许多优点。
氮化
2023-10-07 16:21:18324 
前言
碳化硅（SiC）材料是功率半导体行业主要进步发展方向，用于制作功率器件，可显著提高电能利用率。SiC器件的典型应用领域包括：新能源汽车、5G通讯、光伏发电、轨道交通、智能电网等现代工业领域，在
2023-10-07 10:12:26
根据研究和规模化应用的时间先后顺序，业内将半导体材料划分为三代。常见的半导体材料包括硅（Si）、锗（Ge）、砷化镓（GaAs）、碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等材料。 第一代半导体材料以硅和锗等元素半导体为代表。
2023-09-28 12:57:43482 
SiC器件是一种新型的硅基MOSFET，特别是SiC功率器件具有更高的开关速度和更宽的输出频率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN结组成。
在众多的半导体器件中，碳化硅材料具有低热导率、高击穿
2023-09-26 16:42:29342 
随着全球进入物联网、5G、绿色能源和电动汽车时代，能够充分展现高电压、高温和高频能力、满足当前主流应用需求的宽禁带半导体高能量转换效率半导体材料开始成为市场宠儿，开启了第三代半导体的新纪元。
2023-09-22 15:40:41476 
碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性，它突破硅基半导体材料物理限制，成为第三代半导体核心材料。碳化硅材料性能优势引领功率器件新变革。
2023-09-19 15:55:20893 
新能源汽车和光伏、储能设施在全球加速普及，为第三代半导体碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率器件产业的落地提供了前所未有的契机。 长电科技厚积薄发定位创新前沿，多年来面向第三代半导体功率器件
2023-09-19 10:20:38379 能与成本?未来有何发展目标?...... 前言： 凭借功率密度高、开关速度快、抗辐照性强等优点，以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料被广泛应用于电力电子、光电子学和无线通信等领域，以提高设备性能和效率，并成为当前半导
2023-09-18 16:48:02365 新能源汽车和光伏,储能设施在全球加速普及,为第三代半导体碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率器件产业的落地提供了前所未有的契机。长电科技厚积薄发定位创新前沿,多年来面向第三代半导体功率器件开发
2023-09-18 16:11:25261 材料领域中，第一代、第二代、第三代没有“一代更比一代好”的说法。氮化镓、碳化硅等材料在国外一般称为宽禁带半导体。 将氮化镓、氮化铝、氮化铟及其混晶材料制成氮化物半导体，或将氮化镓、砷化镓、磷化铟制成
2023-09-12 16:19:271932 
近年来，氧化镓（Ga2O3）半导体受到世界各国科研和产业界的普遍关注。氧化镓具有4.9 eV的超宽禁带，高于第三代半导体碳化硅（SiC）的3.2 eV和氮化镓（GaN）的3.39 eV。
2023-09-11 10:24:44266 
氮化镓（GaN）是一种非常坚硬且机械性能非常稳定的宽禁带半导体材料。由于具有更高的击穿强度、更快的开关速度、更高的热导率和更低的导通电阻，GaN基功率器件明显优于硅基器件。
GaN晶体可以在各种
2023-09-08 15:11:18535 
碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料, 具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高热导率、强化学稳定性等优良特性
2023-08-31 16:13:05580 
碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性，突破硅基半导体材料物理限制，是第三代半导体核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化镓射频器件和碳化硅功率器件。受益于5G通信、国防军工、新能源汽车和新能源光伏等领域的发展，碳化硅需求增速可观。
2023-08-19 11:45:221041 碳化硅（SiC）是一种由硅（Si）和碳（C）组成的半导体化合物，属于宽带隙（WBG）材料家族。
2023-08-12 11:46:08468 第三代半导体以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料，用于高压、高温、高频场景。广泛应用于新能源汽车、光伏、工控等领域。因此第三代半导体研究主要是集中在材料特征研究，本文主要是研究碳化硅的产业结构。
2023-08-11 10:17:54915 
电子发烧友网报道（文/莫婷婷）在绿色低碳的发展背景下，以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体成为市场的焦点和话题。根据市场调研机构Yole的预测，到2025年全球以半绝缘型衬底制备
2023-08-11 00:11:001484 碳化硅，也称为SiC，是一种由纯硅和纯碳组成的半导体基础材料。您可以将SiC与氮或磷掺杂以形成n型半导体，或将其与铍，硼，铝或镓掺杂以形成p型半导体。虽然碳化硅存在许多品种和纯度，但半导体级质量的碳化硅仅在过去几十年中浮出水面以供使用。
2023-07-28 10:57:451092 如今砷化镓、磷化铟等作为第二代化半导体因其高频性能效好主要是用于射频领域，碳化硅、和氮化镓等作为第三代半导体因禁带宽度和击穿电压高的特性。
2023-07-25 10:52:23405 材料如氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）逐渐崭露头角。这些新型半导体材料在射频和功率应用中的性能优势，正在促使它们的市场份额稳步增长。
2023-07-05 10:26:131316 
8亿元资金，用于SiC材料研发制造总部项目、SiC材料研发项目等。 志橙半导体成立于2017年，聚焦半导体设备的碳化硅涂层石墨零部件产品，并提供相关碳化硅涂层服务，主要产品可用于碳化硅外延设备、MOCVD设备、硅外延设备等多种半导体设备反应腔内。 根据QY Resea
2023-06-29 00:40:002175 
SiC作为第三代半导体材料具有优越的性能，相比于前两代半导体材料，碳化硅具有禁带宽度大、击穿电场强度高、热导率高、电子饱和速率高以及抗辐射能力强等特点，已成为目前应用最广、市占率最高的第三代半导体
2023-06-28 11:19:14559 
碳化硅（SiC）功率器件是一种基于碳化硅材料的半导体器件，具有许多优势和广泛的应用前景。
2023-06-28 09:58:092317 
，以及分享GaN FET和集成电路目前在功率转换领域替代硅器件的步伐。
误解1：氮化镓技术很新且还没有经过验证
氮化镓器件是一种非常坚硬、具高机械稳定性的宽带隙半导体，于1990年代初首次用于生产高
2023-06-25 14:17:47
GaN功率半导体(氮化镓)的系统集成优势
2023-06-19 09:28:46
的设计和集成度，已经被证明可以成为充当下一代功率半导体，其碳足迹比传统的硅基器件要低10倍。据估计，如果全球采用硅芯片器件的数据中心，都升级为使用氮化镓功率芯片器件，那全球的数据中心将减少30-40
2023-06-15 15:47:44
氮化镓，由镓（原子序数 31）和氮（原子序数 7）结合而来的化合物。它是拥有稳定六边形晶体结构的宽禁带半导体材料。禁带，是指电子从原子核轨道上脱离所需要的能量，氮化镓的禁带宽度为 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
，是氮化镓功率芯片发展的关键人物。
首席技术官 Dan Kinzer在他长达 30 年的职业生涯中，长期担任副总裁及更高级别的管理职位，并领导研发工作。他在硅、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
当前，第三代半导体中的碳化硅功率器件，在导通电阻、阻断电压和结电容方面，显著优于传统硅功率器件。因此，碳化硅功率器件取代传统硅基功率器件已成为行业发展趋势。面对当前行业发展新趋势，威迈斯等新能源汽车
2023-06-15 14:22:38357 
日前，2023中关村论坛“北京（国际）第三代半导体创新发展论坛”上，科技部党组成员、副部长相里斌表示，以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体具有优异的性能，在信息通信、轨道交通、智能电网、新能源汽车等领域有巨大的市场。
2023-06-15 11:14:08313 对于 GaN，中文名氮化镓，我们实在是听得太多了。
2023-06-12 10:17:171813 
作为第三代功率半导体的绝代双骄，氮化镓晶体管和碳化硅MOSFET日益引起工业界，特别是电气工程师的重视。之所以电气工程师如此重视这两种功率半导体，是因为其材料与传统的硅材料相比有诸多的优点，如图1所示。
2023-06-07 14:43:01962 
第三代半导体设备 第三代半导体设备主要为SiC、GaN材料生长、外延所需的特种设备，如SiC PVT单晶生长炉、CVD外延设备以及GaN HVPE单晶生长炉、MOCVD外延设备等。
2023-06-03 09:57:01787 
成长期。而国内第三代半导体产业经过前期产能部署和产线建设，国产第三代半导体产品相继开发成功并通过验证，技术稳步提升，产能不断释放，国产碳化硅(SiC）器件及模块开始“上机”，生态体系逐渐完善，自主可控能力不断增强，整体竞争实力日益提升。
2023-05-30 14:15:56534 
确立，产业步入快速成长期。而国内第三代半导体产业经过前期产能部署和产线建设，国产第三代半导体产品相继开发成功并通过验证，技术稳步提升，产能不断释放，国产碳化硅(SiC）器件及模块开始“上机”，生态体系逐渐完善，自主可控能力
2023-05-30 09:40:59568 
硅（Si）是电子产品中常用的纯半导体的一个例子。锗（Ge）是另一种纯半导体，用于一些最早的电子设备。半导体也由化合物制成，包括砷化镓 （GaAs）、氮化镓 （GaN）、硅锗 （SiGe） 和碳化硅 （SiC）。我们稍后将回到最后一项。
2023-05-24 11:26:141681 本文我们将重点介绍第三代半导体中的碳化硅（SiC），与下文氮化镓（GaN）的形式统一如何助力轨道交通完成“碳达峰”目标，并为大家推荐贸泽电子在售的领先的SiC元器件精品。
2023-05-19 10:48:58589 
所谓第三代半导体，即禁带宽度大于或等于2.3eV的半导体材料，又称宽禁带半导体。常见的第三代半导体材料主要包括碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氮化铝（AIN）、氧化锌（ZnO）和金刚石等，其中
2023-05-18 10:57:361018 GaN+SiC=每年200亿美元的市场规模？ 是的！众所周知，第三代半导体（以氮化镓GaN和碳化硅SiC为主），凭借在 电子迁移率、功率密度、热稳定性 等方面具有优异的性能，可以用于制造 高效、高速
2023-05-12 14:53:261328 
碳化硅（SiC）半导体材料是自第一代元素半导体材料（Si、Ge）和第二代化合物半导体材料（GaAs、GaP、InP等）之后发展起来的第三代半导体材料。作为一种宽禁带半导体材料，碳化硅具有禁带宽
2023-05-10 09:43:241338 
第95期什么是宽禁带半导体？半导体迄今为止共经历了三个发展阶段：第一代半导体以硅（Si）、锗（Ge）为代表；第二代半导体以砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等化合物为代表；第三代半导体是以碳化硅
2023-05-06 10:31:461674 
第三代半导体以及芯片的核心材料
2023-05-06 09:48:442618 
半导体迄今为止共经历了三个发展阶段：第一代半导体以硅（Si）、锗（Ge）为代表；第二代半导体以砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等化合物为代表；第三代半导体是以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN
2023-05-05 17:46:226172 
援引英飞凌科技股份公司2023年5月3日官网消息： 【英飞凌公司正推动其碳化硅（SiC）供应商体系多元化，并与中国碳化硅材料供应商北京天科合达半导体股份有限公司签订了一份长期供货协议，以确保获得更多
2023-05-04 14:21:06438 随着碳化硅等第三代半导体材料的制备和研究工作取得巨大的进展，对基于碳化硅材料的紫外探测器件的研究得到了业界更多的关注。
2023-04-24 16:54:091597 
本文介绍了激光在碳化硅（SiC）半导体晶圆制程中的应用，概括讲述了激光与碳化硅相互作用的机理，并重点对碳化硅晶圆激光标记、背金激光表切去除、晶粒隐切分片的应用进行了介绍。
2023-04-23 09:58:27712 
按照电学性能的不同，碳化硅材料制成的器件分为导电型碳化硅功率器件和半绝缘型碳化硅射频器件，两种类型碳化硅器件的终端应用领域不同。导电型碳化硅功率器件是通过在低电阻率的导电型衬底上生长碳化硅外延层后进一步加工制成
2023-04-21 14:14:372436 社会的重要元器件。碳化硅被广泛视为下一代功率器件的材料，因为碳化硅相较于硅材料可进一步提高电压并降低损耗。虽然碳化硅功率器件目前主要用于列车逆变器，但其具有极为广泛的应用前景，包括车辆电气化和工业设备
2023-04-11 15:29:18
第三代半导体是以碳化硅SiC、氮化镓GaN为主的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、可承受大功率等特点。
2023-04-04 14:46:2912681 电子器件的使用环境逐渐恶劣，航空航天、石油探测领域前景广阔，在热导率、击穿场等上的要求更高，那么以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为主的第三代半导体材料起到了极大的作用。
2023-03-24 13:58:281323
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