BASiC基本股份国产SiC碳化硅MOSFET产品线概述

倾佳电子杨茜致力于推动国产SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代进口IGBT模块，助力电力电子行业自主可控和产业升级！

倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三个必然，勇立功率半导体器件变革潮头：

倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET模块全面取代IGBT模块的必然趋势！

倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET单管全面取代IGBT单管的必然趋势！

倾佳电子杨茜咬住650V SiC碳化硅MOSFET单管全面取代SJ超结MOSFET和高压GaN 器件的必然趋势！

产品线与技术优势

BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)B2M SiC MOSFET：基于6英寸晶圆平台，具备高可靠性（车规级AEC-Q101认证）、低导通电阻（比一代降低40%）、低开关损耗（总损耗降低30%），适用于光伏、新能源汽车、充电桩等领域。

BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)B3M SiC MOSFET：BASiC基本股份第三代技术，比导通电阻进一步降低20%，芯片面积缩小30%，FOM优化5%，支持高频应用，覆盖车规级模块和工业场景。

工业模块系列：如Pcore™系列、低损耗、支持高温焊料和Press-Fit工艺，应用于光伏逆变器、APF、储能PCS、高频DCDC等高端领域。

BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)针对SiC碳化硅MOSFET多种应用场景研发推出门极驱动芯片，可适应不同的功率器件和终端应用。BASiC基本股份的门极驱动芯片包括隔离驱动芯片和低边驱动芯片，绝缘最大浪涌耐压可达8000V，驱动峰值电流高达正负15A，可支持耐压1700V以内功率器件的门极驱动需求。

BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)低边驱动芯片可以广泛应用于PFC、DCDC、同步整流，反激等领域的低边功率器件的驱动或在变压器隔离驱动中用于驱动变压器，适配系统功率从百瓦级到几十千瓦不等。

BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)推出正激 DCDC 开关电源芯片BTP1521xx，该芯片集成上电软启动功能、过温保护功能，输出功率可达6W。芯片工作频率通过OSC 脚设定，最高工作频率可达1.5MHz，非常适合给隔离驱动芯片副边电源供电。

对于驱动正负压供电的需求，BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)提供自研电源IC BTP1521F系列和配套的变压器以及驱动IC BTL27524或者隔离驱动BTD5350系列。

性能对标国际品牌

在高温条件下（如175℃），BASiC基本股份B2M的导通电阻（RDS(on)）表现优于部分国际品牌，且击穿电压（BV）裕量更高。

动态参数（如开关损耗、体二极管续流性能）接近或部分超越国际竞品，驱动电压建议为+18V以优化性能。

可靠性验证

BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)国产SiC碳化硅MOSFET通过HTRB、HTGB、HV-H3TRB等严苛测试（1000小时以上），栅氧TDDB测试显示寿命预测超万年，满足车规级和工业级长期稳定性需求。

BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)国产SiC碳化硅MOSFET加严测试（2500小时）进一步验证产品在极端条件下的可靠性。

应用领域全覆盖

BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)国产SiC碳化硅MOSFET单管及模块覆盖光伏、新能源汽车（OBC、高压DCDC、主驱动）、充电桩、工业电焊机、储能变流器（PCS）、测试电源等核心市场，提供从分立器件到模块的完整解决方案。

BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)在碳化硅功率半导体国产化中的作用

技术自主化突破

BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)通过自主研发的平面槽和沟槽栅技术，打破国际厂商在SiC MOSFET领域的技术垄断，缩小与国际一流产品的性能差距。

BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)6英寸晶圆平台和自研第三代芯片技术的应用，推动国产SiC器件从“可用”向“好用”升级。

产业链协同与国产替代

BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)提供车规级认证产品（如AB2M系列），助力新能源汽车关键部件（如OBC、电驱系统）实现国产化替代，降低对进口器件的依赖。

BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)在光伏、储能等新能源领域，高可靠、低损耗的SiC模块帮助国内企业提升系统效率，增强全球竞争力。

标准制定与行业引领

BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)通过公开对标数据（如与国际品牌的性能对比），树立国产SiC器件的技术标杆，推动行业技术标准升级。

BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)完善的可靠性测试体系（如AEC-Q101、MIL-STD）为国产功率半导体树立质量标杆，提升市场信任度。

市场拓展与生态建设

BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)针对不同应用场景提供定制化解决方案，加速SiC技术在国内工业市场的普及。

与电力电子终端企业深度合作（如定制开发驱动板、热仿真服务），构建国产SiC生态链，推动全产业链协同发展。

结论：BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)通过技术迭代、可靠性验证和全场景覆盖，成为国产SiC功率器件领域的领军企业，不仅填补了国内高端功率半导体的空白，更在新能源、汽车电子等战略领域助力中国实现“双碳”目标与产业升级。

审核编辑 黄宇