0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

江苏集芯首枚8英寸液相法高质量碳化硅单晶出炉​

半导体芯科技SiSC 来源:半导体芯科技SiSC 作者:半导体芯科技SiS 2025-08-05 17:17 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

据徐州日报报道,近日,徐州高新区再传捷报—— 江苏集芯先进材料有限公司(以下简称 “江苏集芯”)成功出炉首枚 8 英寸液相法(LPE)高质量碳化硅单晶。经检测,晶体面型、晶型与结晶质量均达到预期目标,标志着江苏集芯在第三代半导体核心材料领域再下一城,也为我国碳化硅产业链的自主可控写下关键一笔。

碳化硅晶体是第三代半导体的重要基础材料,在6/8 英寸物理气相传输法(PVT)已实现量产的基础上,江苏集芯 “自我革命”,仅用半年便完成液相法工艺从 6 英寸到 8 英寸的研发跨越。相比 PVT,液相法在生产效率、材料利用率、成本控制及大尺寸扩径等方面优势显著,被公认为下一代碳化硅长晶的核心路线。全球范围内,仅极少数顶尖机构曾试制出液相法晶体,真正迈入 8 英寸级仍属罕见。江苏集芯此次突破为未来低成本、低缺陷、易掺杂的碳化硅晶体生产打通了 “快车道”。

截至目前,江苏集芯已布局专利167 件,其中发明专利 83 件,覆盖晶体生长等全流程。此次液相法 8 英寸单晶的成功,将进一步夯实其 “大尺寸 + 低成本” 双轮驱动战略,为后续产能扩张、市场份额提升和长期价值增长奠定技术底座。

江苏集芯的新突破,不仅提升了我国第三代半导体材料的战略安全水平,也为徐州打造千亿级第三代半导体产业集群注入了“加速度”,有望吸引更多上下游企业集聚,形成 “材料 — 芯片 — 系统” 完整生态,进一步放大区域在全球新兴产业版图中的声量与影响力。

来源:半导体芯科技

审核编辑 黄宇

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 半导体
    +关注

    关注

    336

    文章

    29977

    浏览量

    258242
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    AR光波导+先进封装双驱动,12英寸碳化硅静待爆发

    替代第一代Rubin GPU上采用的硅中介层,并最晚在2027年广泛应用。   碳化硅过去的主力市场是功率器件,但功率器件市场需求增速存在瓶颈,从6英寸8英寸的进程花费时间较长,除了
    的头像 发表于 09-26 09:13 6280次阅读

    重大突破!12 英寸碳化硅晶圆剥离成功,打破国外垄断!

    9月8日消息,中国科学院半导体研究所旗下的科技成果转化企业,于近日在碳化硅晶圆加工技术领域取得了重大突破。该企业凭借自主研发的激光剥离设备,成功完成了12英寸碳化硅晶圆的剥离操作。这一
    的头像 发表于 09-10 09:12 1262次阅读

    数据中心电源客户已实现量产!三安光电碳化硅最新进展

    16000片/月,配套产能即从衬底、外延、芯片制程,到封测的全流程产能。8英寸碳化硅衬底产能为1000片/月,外延产能2000片/月,目前8英寸
    发表于 09-09 07:31 1385次阅读

    激光干涉碳化硅衬底 TTV 厚度测量中的精度提升策略

    提供理论与技术支持。 引言 随着碳化硅半导体产业的蓬勃发展,对碳化硅衬底质量要求日益严苛,晶圆总厚度变化(TTV)作为关键质量指标,其精确测量至关重要。激光干涉
    的头像 发表于 08-12 13:20 676次阅读
    激光干涉<b class='flag-5'>法</b>在<b class='flag-5'>碳化硅</b>衬底 TTV 厚度测量中的精度提升策略

    12英寸碳化硅衬底,会颠覆AR眼镜行业?

    电子发烧友网报道(文/梁浩斌)今年以来,各家厂商都开始展示出12英寸SiC产品,包括晶锭和衬底,加速推进12英寸SiC的产业化。最近,天成半导体宣布成功研制出12英寸N型碳化硅单晶材料
    的头像 发表于 07-30 09:32 1.2w次阅读

    12英寸SiC,再添新玩家

    科晶体也宣布成功研制差距12英寸高纯半绝缘碳化硅单晶衬底,并同期研制成功12英寸N型碳化硅单晶衬底;今年三月,天科合达、晶盛机电等也展出了其12英寸
    的头像 发表于 05-21 00:51 7154次阅读

    12英寸碳化硅衬底,又有新进展

    尺寸是6英寸,并正在大规模往8英寸发展,在最上游的晶体、衬底,业界已经具备大量产能,8英寸碳化硅
    的头像 发表于 04-16 00:24 2693次阅读

    士兰微电子8英寸碳化硅项目封顶

    近日,士兰微电子8英寸碳化硅(SiC)功率器件芯片制造生产线项目(厦门士兰宏一期)正式封顶。封顶仪式现场,海沧台商投资区管委会副主任眭国瑜,士兰微电子董事会秘书、高级副总裁陈越,中建
    的头像 发表于 03-04 14:20 1079次阅读

    三安意重庆8英寸碳化硅项目正式通线 将在2025年四季度实现批量生产

    2月27日,三安光电与意半导体在重庆合资设立的安意半导体碳化硅晶圆厂正式通线。预计项目将在2025年四季度实现批量生产,这将成为国内首条8英寸
    的头像 发表于 02-27 18:45 4255次阅读

    三安光电与意半导体重庆8英寸碳化硅项目通线

    三安光电和意半导体于2023年6月共同宣布在重庆成立8英寸碳化硅晶圆合资制造厂(安意半导体有限公司,简称安意
    的头像 发表于 02-27 18:12 1509次阅读

    晶盛机电:6-8 英寸碳化硅衬底实现批量出货

    端快速实现市场突破,公司8英寸碳化硅外延设备和光学量测设备顺利实现销售,12英寸三轴减薄抛光机拓展至国内头部封装客户,12英寸硅减压外延生长
    的头像 发表于 02-22 15:23 1725次阅读

    士兰8英寸碳化硅芯片项目启动,预计今年一季度封顶

    据厦门日报的最新报道,士兰8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线项目于1月21日取得了重要进展。在主厂房的核心区域三层作业面上,钢结构首吊成功吊装,标志着该项目正式进入快速建设阶段。预
    的头像 发表于 01-24 15:01 1458次阅读

    晶驰机电8英寸碳化硅电阻式长晶炉顺利通过客户验证

    近日,晶驰机电开发的8英寸碳化硅(SiC)电阻式长晶炉顺利通过客户验证,设备稳定性和工艺稳定性均满足客户需求。   8英寸
    的头像 发表于 01-09 11:25 849次阅读
    晶驰机电<b class='flag-5'>8</b><b class='flag-5'>英寸</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>电阻式长晶炉顺利通过客户验证

    什么是MOSFET栅极氧化层?如何测试SiC碳化硅MOSFET的栅氧可靠性?

    随着电力电子技术的不断进步,碳化硅MOSFET因其高效的开关特性和低导通损耗而备受青睐,成为高功率、高频应用中的首选。作为碳化硅MOSFET器件的重要组成部分,栅极氧化层对器件的整体性能和使用寿命
    发表于 01-04 12:37

    8英寸单片高温碳化硅外延生长室结构

    随着碳化硅(SiC)材料在电力电子、航空航天、新能源汽车等领域的广泛应用,高质量、大面积的SiC外延生长技术变得尤为重要。8英寸SiC晶圆作为当前及未来一段时间内的主流尺寸,其外延生长
    的头像 发表于 12-31 15:04 398次阅读
    <b class='flag-5'>8</b><b class='flag-5'>英寸</b>单片高温<b class='flag-5'>碳化硅</b>外延生长室结构