0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

基于国产碳化硅SiC MOSFET的高效热泵与商用空调系统解决方案

杨茜 来源:jf_33411244 作者:jf_33411244 2025-05-03 10:45 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

基于BASIC Semiconductor基本半导体股份有限公司 碳化硅SiC MOSFET的高效热泵与商用空调系统解决方案

BASiC基本股份SiC碳化硅MOSFET单管及模块一级代理商倾佳电子杨茜 微信&手机:13266663313

倾佳电子(Changer Tech)-专业汽车连接器及功率半导体(SiC碳化硅MOSFET单管,SiC碳化硅MOSFET模块,碳化硅SiC-MOSFET驱动芯片,SiC功率模块驱动板,驱动IC)分销商,聚焦新能源、交通电动化、数字化转型三大方向,致力于服务中国工业电源电力电子装备及新能源汽车产业链。

倾佳电子杨茜致力于推动国产SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代进口IGBT模块,助力电力电子行业自主可控和产业升级!

倾佳电子杨茜跟住SiC碳化硅MOSFET功率器件三个必然,勇立功率半导体器件变革潮头:

倾佳电子杨茜跟住SiC碳化硅MOSFET模块全面取代IGBT模块和IPM模块的必然趋势!

倾佳电子杨茜跟住SiC碳化硅MOSFET单管全面取代IGBT单管和高压平面硅MOSFET的必然趋势!

倾佳电子杨茜跟住650V SiC碳化硅MOSFET单管全面取代SJ超结MOSFET和高压GaN 器件的必然趋势!

wKgZO2gVgzOAW_VWAAU0QvfZWsA001.pngwKgZPGgVgzOAC6CfAAfNqJR-kC8104.pngwKgZO2gVgzSAel59AAd5_TUse1U711.pngwKgZPGgVgzSAeP4aAAf6QcIiy08944.png

一、行业挑战与SiC技术优势

商用空调与热泵系统正朝着高效化、高频化和小型化方向发展,传统IGBT器件因开关损耗高、热管理压力大等问题逐渐成为系统瓶颈。碳化硅(SiC)MOSFET凭借其宽禁带特性,在高温工况下仍能保持优异的电气性能:

开关损耗降低40%:1200V SiC MOSFET的开关频率可达IGBT的3倍以上,显著提升系统功率密度;

耐高温能力:SiC器件结温可达175℃,支持在80℃散热器温度下长期稳定运行;

系统效率提升:在11kW输出时,SiC方案整机效率达97.73%,较IGBT方案(97.01%)提升0.72个百分点。

wKgZO2gVgzSAOKSBAAREQRRbEI8355.pngwKgZPGgVgzWADriZAARC2iiXTSE418.pngwKgZO2gVgzWAKmGRAARcqQmOsfo181.pngwKgZPGgVgzWAav39AARlHITKMQQ758.png

二、核心器件选型与技术分析

1. 主功率模块:BMS065MR12EP2CA2

关键参数:1200V/25A,RDS(on)65mΩ(@VGS=18V);

封装创新:采用Pcore™12封装,集成三相PFC+逆变功能,内置NTC热敏电阻,支持实时温度监控;

实测表现:在11kW输出时,模块总损耗仅249.47W(整流+逆变),最高结温134.89℃,显著优于IGBT模块(总损耗329.09W,结温126.99℃)。

2. 分立器件:B3M040120Z(第三代SiC MOSFET)

FOM优化:较第二代产品(3600mΩ·nC)降低5.6%,动态损耗减少18%;

高温稳定性:RDS(on)在175℃时仅上升至常温值的1.3倍,优于沟槽栅竞品(如IMZA120R040M1H,高温RDS(on)上升1.6倍);

双脉冲测试:在800V/40A条件下,总损耗826μJ,较C3M0040120K(861μJ)降低4%。

三、驱动与电源解决方案

1. 驱动方案:BTD5350MCWR+隔离变压器TR-P15DS23-EE13

米勒钳位功能:通过低阻抗路径快速泄放门极电荷,实测中可将下管VGS峰值从7.3V抑制至2V,彻底避免SiC MOSFET误开通风险;

集成化设计:驱动板BSRD-2423-ES01支持双通道10A峰值电流输出,兼容24V/5V输入,简化系统布局。

2. 辅助电源:反激控制芯片+SiC MOSFET B2M600170H

高可靠性设计:采用1700V SiC MOSFET作为原边开关管,耐压裕量充足,支持150W输出功率;

频率可编程:工作频率最高500kHz,搭配EE13铁氧体变压器,实现92%以上转换效率。

wKgZO2gVgzaARjrUAA-SQJ1rVNk989.pngwKgZPGgVgzaAI3XqAAhO10B9vXQ761.pngwKgZO2gVgzeAYfuoAAV9UUxPQvM192.pngwKgZPGgVgzeAHlfEAAb9OD9fF3w883.pngwKgZO2gVgzeAdb-mAAgk2aB4gak803.pngwKgZPGgVgziAFfWXAAeJF7k_qiI690.png

四、仿真与实测性能对比

指标BMS065MR12EP2CA2(SiC)FP35R12N2T7_B67(IGBT)优势对比

11kW总损耗 249.47W 329.09W 降低24%

热设计更宽松

系统效率97.73% 97.01% 提升0.72

开关频率(逆变侧)40kHz 20kHz 翻倍

五、方案推荐理由

全链路效率提升:从PFC整流到三相逆变,SiC方案整体损耗降低20%以上,助力系统能效突破98%;

高频化与小型化:支持40kHz高频开关,磁性元件体积减少50%,适用于紧凑型商用空调热泵设计;

高可靠性保障:内置NTC温度监控、米勒钳位功能及软启动机制,确保系统在-40~125℃环境下稳定运行;

成本效益优化:尽管SiC器件初期成本已经与进口IGBT模块相当,系统寿命周期内节省的能耗与维护费用更有优势。

六、快速实现商空热泵产品升级,抢占高效节能市场先机

基本股份BASIC Semiconductor的SiC MOSFET解决方案通过器件创新(如Pcore™封装、第三代平面栅工艺)与系统级设计(驱动、电源配套),为商用空调和热泵提供了高效、可靠的电力电子核心。其仿真与实测数据表明,该方案在效率、热管理和频率性能上全面超越传统IGBT方案,是下一代绿色节能系统的理想选择。

推荐场景

高功率密度商用变频空调

低温热泵供暖系统

工业级高频逆变器

光伏储能一体化设备

通过采用此方案,客户可快速实现产品升级,抢占高效节能市场先机。

审核编辑 黄宇

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • SiC
    SiC
    +关注

    关注

    32

    文章

    3928

    浏览量

    70367
  • 碳化硅
    +关注

    关注

    26

    文章

    3580

    浏览量

    52755
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    onsemi NTHL022N120M3S碳化硅MOSFET高效电源解决方案

    onsemi NTHL022N120M3S碳化硅MOSFET高效电源解决方案 一、引言 在当今的电子设备中,高效、可靠的电源管理至关重要。
    的头像 发表于 05-07 18:35 1529次阅读

    碳化硅 (SiC) MOSFET 功率器件热设计基础与工程实践

    推基本半导体SiC碳化硅MOSFET系列器件,致力于推动国产SiC模块全面取代进口IGBT模块,助力电力电子行业自主可控与产业升级。当前,S
    的头像 发表于 03-17 09:02 719次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b> (<b class='flag-5'>SiC</b>) <b class='flag-5'>MOSFET</b> 功率器件热设计基础与工程实践

    QDPAK封装SiC碳化硅MOSFET安装指南

    基本半导体(BASiC Semiconductor)碳化硅SiCMOSFET 数据手册(包含 650V 的 AB3M025065CQ 和 1200V 的 AB3M040120CQ),这两款器件均
    的头像 发表于 02-26 09:46 607次阅读
    QDPAK封装<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>安装指南

    SiC碳化硅MOSFET功率半导体销售培训手册:电源拓扑与解析

    汽车产业链。倾佳电子聚焦于新能源、交通电动化和数字化转型三大方向,代理并力推BASiC基本半导体SiC碳化硅MOSFET单管,SiC碳化硅
    的头像 发表于 12-24 06:54 850次阅读
    <b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>功率半导体销售培训手册:电源拓扑与解析

    碳化硅 (SiC) MOSFET 分立器件与功率模块规格书深度解析与应用指南

    、电力电子设备和新能源汽车产业链。倾佳电子聚焦于新能源、交通电动化和数字化转型三大方向,分销代理BASiC基本半导体SiC碳化硅MOSFET单管,SiC
    的头像 发表于 11-24 09:00 1464次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b> (<b class='flag-5'>SiC</b>) <b class='flag-5'>MOSFET</b> 分立器件与功率模块规格书深度解析与应用指南

    倾佳电子碳化硅SiC MOSFET驱动特性与保护机制深度研究报告

    汽车产业链。倾佳电子聚焦于新能源、交通电动化和数字化转型三大方向,分销代理BASiC基本半导体SiC碳化硅MOSFET单管,SiC碳化硅
    的头像 发表于 11-23 11:04 2695次阅读
    倾佳电子<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>驱动特性与保护机制深度研究报告

    半导体“碳化硅SiCMOSFET栅极驱动”详解

    近年来,基于宽禁带材料的器件技术的不断发展,碳化硅器件的实际工程应用,受到了越来越广泛的关注。相较传统的硅基器件,碳化硅MOSFET具有较小的导通电阻以及很快的开关速度,与硅IGBT相比,导通损耗
    的头像 发表于 11-05 08:22 9864次阅读
    半导体“<b class='flag-5'>碳化硅</b>(<b class='flag-5'>SiC</b>) <b class='flag-5'>MOSFET</b>栅极驱动”详解

    倾佳电子SiC碳化硅MOSFET串扰抑制技术:机理深度解析与基本半导体系级解决方案

    倾佳电子SiC碳化硅MOSFET串扰抑制技术:机理深度解析与基本半导体系级解决方案 倾佳电子杨茜致力于推动国产
    的头像 发表于 10-02 09:29 1463次阅读
    倾佳电子<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>串扰抑制技术:机理深度解析与基本半导体系级<b class='flag-5'>解决方案</b>

    基本股份SiC功率模块的两电平全碳化硅混合逆变器解决方案

    倾佳电子(Changer Tech)-专业汽车连接器及功率半导体(SiC碳化硅MOSFET单管,SiC碳化硅
    的头像 发表于 06-24 17:26 892次阅读

    SiC碳化硅MOSFET时代的驱动供电解决方案:基本BTP1521P电源芯片

    倾佳电子(Changer Tech)-专业汽车连接器及功率半导体(SiC碳化硅MOSFET单管,SiC碳化硅
    的头像 发表于 06-19 16:57 1856次阅读
    <b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>时代的驱动供电<b class='flag-5'>解决方案</b>:基本BTP1521P电源芯片

    BASiC基本公司SiC MOSFET碳化硅功率模块在商空热泵中的技术应用

    Semiconductor推出的 BMS065MR12EP2CA2 碳化硅(SiC)MOSFET模块,凭借其低损耗、高耐温及高功率密度等特性,为商空热泵的能效升级提供了创新
    的头像 发表于 06-19 16:44 963次阅读
    BASiC基本公司<b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>功率模块在商空<b class='flag-5'>热泵</b>中的技术应用

    基本半导体碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在电力电子领域的应用

    。其中,关断损耗(Eoff)作为衡量器件开关性能的重要指标,直接影响着系统的效率、发热和可靠性。本文将聚焦于基本半导体碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性,深入探讨其技术优势及在电力电子领域的广泛应用。 倾佳电子杨茜致力于推
    的头像 发表于 06-10 08:38 1270次阅读
    基本半导体<b class='flag-5'>碳化硅</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> 的 Eoff 特性及其在电力电子领域的应用

    热泵空调全面跨入SiC碳化硅功率半导体时代:能效革命与产业升级

    传统IGBT,成为高效节能解决方案的核心引擎。这场变革不仅意味着能效的跃升,更将重塑产业竞争格局。 倾佳电子(Changer Tech)-专业汽车连接器及功率半导体(SiC碳化硅
    的头像 发表于 06-09 07:07 1113次阅读
    <b class='flag-5'>热泵</b>与<b class='flag-5'>空调</b>全面跨入<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>功率半导体时代:能效革命与产业升级

    基于SiC碳化硅功率模块的高效、高可靠PCS解决方案

    亚非拉市场工商业储能破局之道:基于SiC碳化硅功率模块的高效、高可靠PCS解决方案 —— 为高温、电网不稳环境量身定制的技术革新 倾佳电子杨茜致力于推动
    的头像 发表于 06-08 11:13 1569次阅读
    基于<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>功率模块的<b class='flag-5'>高效</b>、高可靠PCS<b class='flag-5'>解决方案</b>

    国产SiC碳化硅功率半导体企业引领全球市场格局重构

    SiC碳化硅MOSFET国产化替代浪潮:国产SiC碳化硅
    的头像 发表于 06-07 06:17 1875次阅读