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碳化硅衬底切割进给量与磨粒磨损状态的协同调控模型

新启航半导体有限公司 2025-06-25 11:22 次阅读
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摘要:碳化硅衬底切割过程中,进给量与磨粒磨损状态紧密关联,二者协同调控对提升切割质量与效率至关重要。本文深入剖析两者相互作用机制,探讨协同调控模型构建方法,旨在为优化碳化硅衬底切割工艺提供理论与技术支撑。

一、引言

碳化硅凭借优异的物理化学性能,成为第三代半导体材料的核心。在其衬底加工环节,切割是关键工序。切割进给量直接影响切割效率与材料去除率,而磨粒磨损状态关乎切割工具寿命与加工精度。二者相互影响,单一参数的调整难以满足高质量、高效率切割需求,构建协同调控模型成为突破工艺瓶颈的关键。

二、进给量与磨粒磨损状态的相互作用机制

(一)进给量对磨粒磨损的影响

在碳化硅衬底切割时,进给量大小显著影响磨粒所受载荷。当进给量增大,单位时间内参与切削的材料增多,磨粒承受的切削力、摩擦力与冲击载荷急剧上升。高强度的载荷促使磨粒磨损加速,不仅加剧磨粒的机械磨损,还可能引发热磨损,导致磨粒尖端迅速钝化甚至脱落。反之,进给量较小,磨粒受力相对平稳,磨损速度减缓,但其切割效率较低。

(二)磨粒磨损对进给量的限制

磨损后的磨粒,切削刃锋利度下降,切割能力减弱。若此时保持较大进给量,磨粒难以有效切削碳化硅材料,会导致切割力进一步增大,切割表面质量恶化,甚至可能引发切割工具振动与破损。因此,随着磨粒磨损加剧,需相应降低进给量,以维持稳定的切割过程,这也限制了进给量的提升空间。

三、协同调控模型的构建

(一)模型构建思路

以切削力学、材料磨损理论为基础,结合碳化硅材料特性,构建多变量耦合的协同调控模型。将进给量、磨粒磨损状态、切割力、材料去除率等参数纳入模型体系,通过分析各参数间的非线性关系,建立数学方程描述它们之间的内在联系,从而实现对进给量与磨粒磨损状态的协同调控。

(二)模型构建方法

运用实验研究与数值模拟相结合的方式获取数据。设计不同进给量条件下的碳化硅衬底切割实验,实时监测磨粒磨损形貌、切割力、材料去除率等参数变化;同时,借助有限元分析软件,模拟切割过程中磨粒的受力与磨损行为。整合实验与模拟数据,采用回归分析、机器学习算法等方法,优化模型参数,提高模型的准确性与适用性。

四、协同调控模型的应用策略

(一)在线监测与实时调控

在切割设备上安装传感器,对磨粒磨损状态(如磨粒形貌、磨损量)与切割过程参数(进给量、切割力)进行实时监测。将监测数据传输至控制系统,控制系统依据协同调控模型,动态调整进给量,确保在磨粒不同磨损阶段,进给量始终处于最优状态,维持稳定的切割质量与效率。

(二)基于模型的工艺规划

在碳化硅衬底切割前,根据切割要求与磨粒初始状态,利用协同调控模型进行工艺规划。预先设定合理的进给量变化曲线,使切割过程中进给量与磨粒磨损状态相匹配,减少因参数不匹配导致的切割质量波动与磨粒异常磨损,提高切割工艺的稳定性与可靠性。

高通量晶圆测厚系统运用第三代扫频OCT技术,精准攻克晶圆/晶片厚度TTV重复精度不稳定难题,重复精度达3nm以下。针对行业厚度测量结果不一致的痛点,经不同时段测量验证,保障再现精度可靠。​

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我们的数据和WAFERSIGHT2的数据测量对比,进一步验证了真值的再现性:

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(以上为新启航实测样品数据结果)

该系统基于第三代可调谐扫频激光技术,相较传统双探头对射扫描,可一次完成所有平面度及厚度参数测量。其创新扫描原理极大提升材料兼容性,从轻掺到重掺P型硅,到碳化硅、蓝宝石、玻璃等多种晶圆材料均适用:​

对重掺型硅,可精准探测强吸收晶圆前后表面;​

点扫描第三代扫频激光技术,有效抵御光谱串扰,胜任粗糙晶圆表面测量;​

通过偏振效应补偿,增强低反射碳化硅、铌酸锂晶圆测量信噪比;

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(以上为新启航实测样品数据结果)

支持绝缘体上硅和MEMS多层结构测量,覆盖μm级到数百μm级厚度范围,还可测量薄至4μm、精度达1nm的薄膜。

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(以上为新启航实测样品数据结果)

此外,可调谐扫频激光具备出色的“温漂”处理能力,在极端环境中抗干扰性强,显著提升重复测量稳定性。

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(以上为新启航实测样品数据结果)

系统采用第三代高速扫频可调谐激光器,摆脱传统SLD光源对“主动式减震平台”的依赖,凭借卓越抗干扰性实现小型化设计,还能与EFEM系统集成,满足产线自动化测量需求。运动控制灵活,适配2-12英寸方片和圆片测量。

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