纳微半导体氮化镓和碳化硅技术进入戴尔供应链

GaNFast和GeneSiC技术为戴尔AI笔记本电脑打造便携、高效和可持续的60-360W适配器

近日，GaNFast氮化镓功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）今日宣布其氮化镓和碳化硅技术进入戴尔供应链，为戴尔AI笔记本打造功率从60W至360W的电脑适配器。

凭借20多年在碳化硅技术领域的领先地位，纳微半导体的GeneSiC凭借由其独家“沟槽辅助平面栅”技术打造的性能领先的MOSFET和第五代GeneSiC碳化硅二极管，其专有的薄片技术可以很好地提升散热性能，带来高频、高效的性能表现。

纳微半导体的GaNFast氮化镓功率芯片则能实现高频、高效的功率转换。与采用传统硅基功率器件的旧方案相比，新设计在体积和重量减半的情况下，功率与充电速度提升至3倍。

纳微半导体的氮化镓与碳化硅技术共同助力戴尔打造出兼具高速充电、超高效率、低温运行、极致紧凑与精简物料的高性能适配器。戴尔最新AI笔记本系列搭载专用神经处理单元（NPU），可持久管理AI运算负载，配合纳微为其打造的行业最广泛的氮化镓适配器产品组合，戴尔将进一步巩固其技术领先地位。

这些新型适配器还有助于戴尔实现其先进的可持续发展目标，特别是在碳减排和节能方面。适配器外壳由再生材料制成，且所需的塑料减少了多达50%，显著减少了能源浪费，提高了资源利用率。

纳微半导体的GaNFast和GeneSiC技术有助于提高系统集成度和开关频率，减少了无源器件的数量和产品尺寸，从“去物质化”的角度在生产、包装和物流过程中降低了碳足迹。

与传统硅功率芯片相比，每出货一颗GaNFast氮化镓功率芯片可节省4kg二氧化碳排放，每出货一颗碳化硅MOSFET可节省25kg二氧化碳排放。

纳微半导体首席执行官兼联合创始人Gene Sheridan表示，“自2020年为戴尔的首款氮化镓适配器提供技术支持以来，纳微半导体一直与戴尔的工程团队紧密合作，进一步提升充电速度、效率，缩小尺寸、减轻重量，如今还降低了对环境的影响。

戴尔的新型适配器是兼顾速度、便携性和可持续性的最佳解决方案。我们的客户通过采用纳微的GaNFast氮化镓功率芯片和GeneSiC功率器件，实现了市场效益与环境保护的双赢。”

关于纳微半导体

纳微半导体（纳斯达克股票代码: NVTS）是唯一一家全面专注下一代功率半导体事业的公司，于2024年迎来了成立十周年。GaNFast氮化镓功率芯片将氮化镓功率器件与驱动、控制、感应及保护集成在一起，为市场提供充电更快、功率密度更高和节能效果更好的产品。性能互补的GeneSiC碳化硅功率器件是经过优化的高功率、高电压、高可靠性碳化硅解决方案。重点市场包括移动设备、消费电子、数据中心、电动汽车、太阳能、风力、智能电网和工业市场。纳微半导体拥有超过300项已经获颁或正在申请中的专利。纳微半导体于业内率先推出唯一的氮化镓20年质保承诺，也是全球首家获得CarbonNeutral认证的半导体公司。