纳微半导体APEC 2025亮点抢先看

近日，唯一全面专注的下一代功率半导体公司及下一代氮化镓（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技术领导者——纳微半导体 (纳斯达克股票代码: NVTS) 宣布将参加APEC 2025，展示氮化镓和碳化硅技术在AI数据中心、电动汽车和移动设备领域的应用新突破。

APEC 2025将于3月16-20日在亚特兰大乔治亚世界会议中心（Georgia World Congress Center）盛大举办。纳微诚邀观众参观“纳微芯球”展台（展位号1107），共同探索纳微用清洁能源的氮化镓和碳化硅半导体技术，为高增长市场所打造的最高效和最高功率密度应用设计，进而实现对传统硅基半导体替代，达成Electrify our World的终极使命。预计到至2050年，从硅基向第三代功率半导体的转换每年可减少超过60亿吨碳排放。

亮点展品和技术：

双向无界，超越极限

解锁电力电子新范式的下一代技术

纳微2025开年力作，即将触发多个行业的颠覆性变革，全球直播亮剑进入倒计时！锁定纳微芯球公众号，3月13日解锁完整技术细节。

全新中压GaNFast FETs

为48V AI数据中心电源、下一代电动汽车平台及AI机器人系统而生，打造高频、高效、高功率密度转换系统。

全球首款8.5kW AI数据中心服务器电源

见证全球首个为AI和超大规模数据中心打造的8.5kW OCP电源解决方案，其效率达98%。该方案采用大功率GaNSafe氮化镓功率芯片和第三代快速碳化硅MOSFETs，分别用于三相LLC拓扑结构和三相交错CCM TP-PFC结构，可实现最高效率、性能以及最少的元件数量。

全球功率密度最高的AI数据中心服务器电源

采用纳微大功率GaNSafe氮化镓功率芯片和第三代快速碳化硅MOSFETs打造，为最新的AI GPUs打造了体积最小的4.5kW电源，满足搭载最新AI GPUs机柜增长了3倍的功率需求，可实现137W/in3的全球最高功率密度以及超过97%的效率。

搭载IntelliWeave专利数字控制技术的

AI数据中心服务器电源

采用了高功率GaNSafe氮化镓功率芯片和第三代快速碳化硅MOSFETs的混合设计，PFC的峰值效率高达99.3%，相较现有方案降低30%的功率损耗。

GaNSlim氮化镓功率芯片

全新一代高度集成的氮化镓功率芯片，以最高水平的集成度和散热性能，将进一步简化并加速小型化、高功率密度应用的开发。目标应用包括移动设备和笔记本电脑充电器、电视电源以及高达500W的照明系统。

获AEC-Q101车规认证的

第三代快速碳化硅MOSFETs

凭借着超20年的碳化硅创新领导地位，GeneSiC推出全球领先的第三代快速碳化硅功率器件，基于纳微专有的“沟槽辅助平面栅”技术研发，为实现最快的开关速度、最高的效率和功率密度的增进进行优化，为AI数据中心提升三倍功率并加速电动汽车充电。

为耐久性和性能而生的

高功率SiCPAK模块

采用行业领先的“沟槽辅助平面栅”技术和环氧树脂灌封，提高功率循环次数和持久可靠性，碳化硅封装模块外形紧凑，为电动汽车充电、驱动器、太阳能和储能系统（ESS）等应用提供具有成本效益、高功率密度的解决方案。

领先的GaNFast和GeneSiC技术新进展

专门针对电动汽车牵引模块优化的GeneSiC MOSFET裸片，经过额外筛选和镀金金属化处理以用于烧结。

为马达驱动打造的GaNSense功率芯片，具备双向无损电流感测、电压感测和温度保护功能，进一步提升性能和稳健性，是任何分立氮化镓或分立硅器件无法企及的水平。

此外，来自纳微半导体的技术专家们还将发表多场精彩工业报告和技术分享，展示前沿研究成果，具体议程如下：

3月19日，星期三

1. GaNSlim Power IC & DPAK-4L Package Enables 100W, 100cc, PD3.1 Continuous Power Solution with 95% Efficiency

时间：2:20 pm

地点：IS14.3, A411

演讲者：高级战略市场总监Tom Ribarich

2. 500kHz Inverter Design Using Bidirectional GaN Switches

时间：8:30 am

地点：IS11.1, A403

演讲者：应用与技术营销副总裁Jason Zhang（张炬）

3. Advancing Power Solutions: Integrating Wide Bandgap Technologies for Next-Generation Applications

时间：1:30 pm – 4:55 pm

地点：ET, IS14

论坛主席：企业营销及产品管理高级总监Llew Vaughan-Edmunds

4. WBG Converter Design

时间：8:30 am – 11:55 am

地点：ET, IS11.1

论坛主席：Jason Zhang（张炬）

3月20日，星期四

1. Marketing & Technology Trends in Power Electronics

时间：10:10 am – 11:50 am

地点：ET

论坛主席：Stephen Oliver（史立维）

关于纳微半导体

纳微半导体（纳斯达克股票代码: NVTS）是唯一一家全面专注下一代功率半导体事业的公司，于2024年迎来了成立十周年。GaNFast氮化镓功率芯片将氮化镓功率器件与驱动、控制、感应及保护集成在一起，为市场提供充电更快、功率密度更高和节能效果更好的产品。性能互补的GeneSiC碳化硅功率器件是经过优化的高功率、高电压、高可靠性碳化硅解决方案。重点市场包括移动设备、消费电子、数据中心、电动汽车、太阳能、风力、智能电网和工业市场。纳微半导体拥有超过300项已经获颁或正在申请中的专利。纳微半导体于业内率先推出唯一的氮化镓20年质保承诺，也是全球首家获得CarbonNeutral认证的半导体公司。