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电子发烧友网>存储技术>3D NAND芯片市场发展空间巨大,三星电子很难单独吞下这一片市场

3D NAND芯片市场发展空间巨大,三星电子很难单独吞下这一片市场

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2019-12-22 11:19:011517

三星正在研发160层及以上的3D闪存

据了解,136层第六代V-NAND闪存是三星今年的量产主力。韩媒报道称三星可能会大幅改进制造工艺,从现在的单堆栈(single-stack)升级到双堆栈(double-stack),以便制造更高层数的3D闪存。
2020-04-20 09:06:01776

三星3D IC封装技术X-Cube,让速度和能源效益大幅提升

三星晶圆代工市场策略的资深副总裁Moonsoo Kang表示,三星的新3D整合技术,确保TSV在先进的极紫外光(EUV)制程节点时,也能稳定联通。
2020-08-17 17:58:411671

三星为什么部署3D芯片封装技术

三星计划明年开始与台积电在封装先进芯片方面展开竞争,因而三星正在加速部署3D芯片封装技术。
2020-09-20 12:09:163743

继Intel、台积电推出3D芯片封装后,三星宣布新3D芯片技术

在Intel、台积电各自推出自家的3D芯片封装技术之后,三星也宣布新3D芯片技术——X-Cube,基于TSV硅穿孔技术,可以将不同芯片搭积木样堆叠起来,目前已经可以用于7nm及5nm工艺。
2020-10-10 15:22:582004

未来的3D NAND将如何发展

NAND 应运而生,可以支持在更小的空间内容纳更高的存储容量,在需要存储海量数据的时代有着重大价值。 依托于先进工艺的 3D NAND,氧化层越来越薄,面临可靠性和稳定性的难题,未来的 3D NAND 将如何发展?如何正确判断3D NAND 的总体效率? 在 2020 年的闪存峰
2020-11-20 16:07:133095

未来的3D NAND将如何发展?如何正确判断3D NAND的总体效率?

3D NAND 路线图:三星最早入局,长江存储跨级追赶 Choe 介绍了 2014-2023 年的世界领先存储公司的闪存路线图,包括三星、铠侠(原东
2020-11-20 17:15:444306

三星NAND闪存市场将面临哪些挑战?

众所周知,三星电子NAND闪存芯片市场直保持领先地位,占有30%以上的份额。但是,由于竞争对手开始表现出更好的工艺,它们似乎在挑战三星的技术能力。
2021-02-26 15:49:373205

NAND闪存市场竞争愈发激烈

 在3D NAND技术赛跑中,三星长期处于领先地位,截至目前,其3D NAND闪存已经陆续演进至128层。
2022-06-14 15:21:153354

三星第8代V-NAND已开始量产

市场对更高密度、更大容量存储的需求,推动了V-NAND层数的增加,三星采用3D缩放(3D scaling)技术,减少表面积并降低高度,同时避免了缩小时通常会发生的单元间的干扰。我们的第8代V-NAND将有助于满足快速增长的市场需求,更好地提供差异化产品和解决方案,有望成为未来存储创新的基础。
2022-11-07 10:33:551379

三星:2030年3D NAND将进入1000层以上

 三星已经确定了新3D NAND闪存的开发计划,预计在2024年推出第九代3D NAND,其层数可达到280层
2023-07-04 17:03:293142

三星将于2024年量产超300层3D NAND芯片

 最近,三星集团援引业界有关负责人的话表示,计划到2024年批量生产300段以上的第9代3d nand。预计将采用将nand存储器制作成两个独立的程序之后,将其起组装的dual stack技术。三星将于2020年从第7代176段3d nand开始首次使用双线程技术。
2023-08-18 11:09:052015

三星2024年将推出先进3D芯片封装技术SAINT

三星计划在2024年先进3D芯片封装技术SAINT(Samsung Advanced Interconnection Technology,三星高级互连技术),能以更小尺寸的封装,将AI芯片等高性能芯片的内存和处理器集成。
2023-11-15 11:09:302499

三星电子在硅谷设立新实验室,开发下3D DRAM芯片

三星电子近日宣布,已在美国硅谷开设个新的研发(R&D)实验室,专注于下3D DRAM芯片的开发。这一新实验室将由三星的Device Solutions America(DSA)运营,并负责监督公司在美国的半导体生产活动。
2024-01-29 11:29:251376

三星将推出GDDR7产品及280层堆叠的3D QLC NAND技术

三星将在IEEE国际固态电路研讨会上展示其GDDR7产品以及280层堆叠的3D QLC NAND技术。
2024-02-01 10:35:311299

三星电子NAND晶圆投量上调约30%,谨慎对待市场发展

以全速运转状态,三星NAND闪存生产线季度晶圆投量可超过200万。同时,该公司已为二至四季度设定晶圆投量红线,总计120万,使整体产能利用率保持在50%左右。
2024-04-16 14:55:19924

三星即将量产290层V-NAND闪存

据韩国业界消息,三星最早将于本月开始量产当前业界密度最高的290层第九代V-NAND3D NAND)闪存芯片
2024-04-17 15:06:591502

三星将于今年内推出3D HBM芯片封装服务

近日,据韩国媒体报道,全球领先的半导体制造商三星即将在今年推出其高带宽内存(HBM)的3D封装服务。这一重大举措是三星在2024年三星代工论坛上正式宣布的,同时也得到了业内消息人士的证实。
2024-06-19 14:35:501643

三星电子存储芯片价格大幅上调,中国市场面临挑战与机遇

近日,三星电子宣布了项重大市场决策,计划在第季度对其DRAM和NAND闪存存储芯片进行15%-20%的价格调整。这一举措背后,是人工智能领域对高性能存储芯片需求的急剧攀升,预示着存储芯片市场正迎来新轮的价格上涨周期。
2024-07-18 09:50:251233

三星电子HBM3E芯片测试进展引发市场关注

8月7日,市场上关于三星电子第五代高频宽记忆体芯片HBM3E已通过英伟达(Nvidia)测试的消息引起了广泛关注。然而,三星电子对此事态的反应却显得较为谨慎。三星电子官方表示:“我们无法证实与我
2024-08-07 15:23:26968

三星减少NAND生产光刻胶使用量

近日,据相关报道,三星电子3D NAND闪存生产领域取得了重要技术突破,成功大幅减少了光刻工艺中光刻胶的使用量。 据悉,三星已经制定了未来NAND闪存的生产路线图,并计划在这一生产过程中,将光刻胶
2024-11-27 11:00:24957

三星削减中国西安NAND闪存产量应对市场变化

产量将从平均20万减少至约17万。同时,位于韩国华城的生产线也在进行相应调整,整体产能有所下降。 此次减产举措体现了三星电子在激烈市场竞争中的盈利能力保护策略。随着SK海力士等竞争对手不断扩大NAND供应规模,三星电子认为,在当前市
2025-01-14 10:08:09852

三星电子削减NAND闪存产量

近日,三星电子已做出决定,将减少其位于中国西安工厂的NAND闪存产量。这一举措被视为三星电子为保护自身盈利能力而采取的重要措施。 当前,全球NAND闪存市场面临供过于求的局面,预计今年NAND闪存
2025-01-14 14:21:24867

预期提前,铠侠再次加速,3D NAND准备冲击1000层

2030年实现1000层堆叠的3D NAND存储器。   3D NAND似乎已经成为各大存储企业竞相追逐的“工业明珠”,包括三星、海力士、美光、铠侠、长江存储等都在这一领域投入大量资源,而比拼的就是堆叠层数。   3D NAND 为何如此重要?   随着数字化信息的爆炸性增长,对对存储容量的需求也在
2024-06-29 00:03:008061

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