三星2024年将推出先进3D芯片封装技术SAINT

随着半导体元件的制造工程接近物理界限，允许将多个元件聚集在一起封装成单一的电子元件，进而提高半导体性能的先进封装技术成为了竞争的关键。三星准备了自己的先进封装解决方案，正在与台积电的cowos包装技术展开竞争。

三星计划在2024年先进3D芯片封装技术SAINT（Samsung Advanced Interconnection Technology，三星高级互连技术），能以更小尺寸的封装，将AI芯片等高性能芯片的内存和处理器集成。三星SAINT将被用来制定各种不同的解决方案，可提供三种类型的封装技术，其中包括：

SAINT S - 用于垂直堆叠SRAM存储芯片和CPU

SAINT D - 用于垂直封装CPU、GPU和DRAM等核心IP

SAINT L - 用于堆叠应用处理器（AP）

三星虽然已经通过了验证测试，但是通过与顾客的追加测试，计划明年以提高数据中心的ai芯片和内置ai功能的手机应用处理器（处理器）的性能为目标，扩大服务。

如果一切都能按计划进行，三星SAINT有可能从竞争公司确保部分市场占有率。但nvidia和amd等公司是否满意他们提供的技术，还有待观察。

据报道，三星正在争夺大量hbm内存订单，这些订单将继续支持英伟达的下一代blackwell ai gpu。三星最近推出了synnevolt“hbm3e”存储器，并承揽了amd新一代Instinct加速器的订单，但与掌握人工智能市场约90%的英伟达相比，还是微不足道的水平。两家公司的hbm3预计将在2025年之前完成订单销售，ai gpu市场仍保持旺盛的需求。

随着该公司从单一芯片设计转换为以晶片（chiplet）为基础的架构，尖端包装将向前迈进一步。

台积电在扩张cowos设备的同时，对本公司的3d开关型技术soic的测试及升级进行了大量投资，满足了苹果和英伟达等顾客的要求。台湾积累电力公社表示，今年7月将投资900亿元台币（约29亿美元），新建先进的成套工厂。英特尔开始利用本公司的新一代3d芯片包装技术——fooveros制造尖端芯片。

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