美光开始量产1z nm工艺节点的DRAM内存

美光科技（Micron）16日宣布进一步推动DRAM产品的革新，其开始采用业界首个“1z nm”的工艺节点批量生产16Gb DDR4内存。

与上一代1Y nm相比，该公司将使用1z nm节点来改善DRAM性能并降低成本。该工艺技术强化了计算DRAM（DDR4），移动DRAM（LPDDR4）和图形DRAM（GDDR6）产品线的相对性能和功耗方面的持续优化。可适用于人工智能，自动驾驶汽车，5G，移动设备，图形，游戏，网络基础设施和服务器等应用。

该公司通过大规模生产新的16Gb DDR4内存产品，开始向1z nm过渡。它与前几代基于8Gb DDR4的产品相比，功耗降低约40％。

据悉，该公司还开始批量生产由1z nm节点制造的用于移动设备的16Gb LPDDR4X DRAM。并还提供基于UFS的多芯片封装（uMCP4）。

1z nm LPDDR4X产品提供业界最低的功耗，它与上一代4K视频播放等内存密集型应用解决方案相比，功耗降低了10％。作为目前可用的最高容量单片16Gb LPDDR4X芯片（可在单个封装中堆叠多达8个裸片），LPDDR4X可在不增加前几代LPDDR4封装尺寸的情况下使存储器容量翻倍。

目前，该公司LPDDR4X内存解决方案已批量供货，可作为分立解决方案和八种不同配置的基于UFS的多芯片封装（uMCP4），范围从64GB + 3GB到256GB + 8GB。

另外，美光新加坡3D NAND闪存生产基地（Fab 10）的扩建已于14日完成，NAND大规模生产计划于2019年下半年在扩建工厂开始。