0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

SK海力士发布NAND闪存解决方案,助力端侧AI手机发展

微云疏影 来源:综合整理 作者:综合整理 2024-05-09 09:30 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

韩国首尔,2024年5月9日——SK海力士发布公告称已研发成功用于端侧(On-Device)AI的移动端NAND闪存解决方案产品“ZUFS 4.0”。该产品致力于提高人工智能在移动设备中的响应速度及用户定制化服务水平。

SK海力士指出,“ZUFS 4.0是新一代移动端NAND闪存解决方案,具备行业内最高性能且专门针对端侧AI手机进行优化。”此外,公司还强调,“借助此产品,我们将在NAND闪存领域引领AI存储器市场,这也是继HBM超高性能DRAM之后的又一重要里程碑。”

ZUFS能够根据数据特性进行分类管理,区别对待智能手机应用程序产生的数据。相较于现有的不分区域混合存储方式,ZUFS能对不同用途和使用频率的数据进行分区存储,从而提升手机操作系统运行速度和存储设备数据管理效率。

据介绍,ZUFS在长期使用环境下能使手机应用程序运行时间比现有UFS提高约45%。此外,ZUFS在存储读写性能下降方面取得了超过4倍的改善效果,使得产品使用寿命延长约40%。

早在2019年,SK海力士就预见到高性能NAND闪存解决方案市场需求将大幅增长,因此从那时起便开始与全球平台企业共同研发ZUFS。

SK海力士已向客户提供初期试产品,并在此基础上与客户共同开发符合JEDEC标准的4.0版本产品。预计今年第三季度,ZUFS 4.0产品将正式投入量产,并将被广泛应用于全球手机厂商即将推出的端侧AI手机中。

SK海力士NAND闪存解决方案委员会(N-S Committee)副社长安炫表示,“随着科技巨头企业纷纷致力于开发搭载自研生成式AI的端侧产品,对所需存储器性能的要求也日益提高。我们将持续提供满足客户需求的高性能NAND闪存解决方案,同时深化与全球领先ICT企业的合作伙伴关系,进一步稳固我们作为‘全球顶级面向AI的存储器供应商’的地位。”

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 存储器
    +关注

    关注

    39

    文章

    7714

    浏览量

    170853
  • NAND闪存
    +关注

    关注

    2

    文章

    229

    浏览量

    23757
  • SK海力士
    +关注

    关注

    0

    文章

    1003

    浏览量

    40985
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    SK海力士HBS存储技术,基于垂直导线扇出VFO封装工艺

    电子发烧友网综合报道,据韩媒报道,存储行业巨头SK海力士正全力攻克一项全新的性能瓶颈技术高带宽存储HBS。   SK海力士研发的这项HBS技术采用了创新的芯片堆叠
    的头像 发表于 11-14 09:11 2135次阅读
    <b class='flag-5'>SK</b><b class='flag-5'>海力士</b>HBS存储技术,基于垂直导线扇出VFO封装工艺

    SK海力士发布未来存储路线图

    电子发烧友网综合报道,近日,韩国首尔举行的“SK AI Summit 2025”峰会上,SK海力士CEO郭鲁正(Kwak Noh-Jung)正式宣布了公司向 “全线
    的头像 发表于 11-08 10:49 2922次阅读

    SK海力士ZUFS 4.1闪存手机AI运行时间缩短47%!

    电子发烧友网综合报道,SK海力士宣布,已正式向客户供应其全球率先实现量产的移动NAND闪存解决方案
    的头像 发表于 09-19 09:00 3287次阅读

    SK海力士321层4D NAND的诞生

    SK海力士致力于成为“全方位面向AI的存储器供应商(Full Stack AI Memory Provider)”,不仅在DRAM领域持续创新,在N
    的头像 发表于 07-10 11:37 1417次阅读

    SK海力士HBM技术的发展历史

    SK海力士在巩固其面向AI的存储器领域领导地位方面,HBM1无疑发挥了决定性作用。无论是率先开发出全球首款最高性能的HBM,还是确立并保持其在面向AI的存储器市场的领先地位,这些成就的
    的头像 发表于 06-18 15:31 1483次阅读

    SK海力士如何成为面向AI的存储器市场领跑者

    近年来,SK海力士屡获创新成果,这些成就皆得益于“一个团队”协作精神(One Team Spirit)”。无论是创下历史最佳业绩、开发出全球领先产品,还是跃升成为全球顶级面向AI的存储器供应商,这些
    的头像 发表于 05-23 13:54 960次阅读

    SK海力士UFS 4.1来了,基于321层1Tb TLC 4D NAND闪存

    电子发烧友网综合报道,SK海力士宣布公司成功开发出搭载全球最高321层1Tb(太比特,Terabit)TLC(Triple Level Cell)4D NAND闪存的移动
    的头像 发表于 05-23 01:04 8346次阅读

    英伟达供应商SK海力士盈利大增158%

    得益于AI需求的有力推动;高带宽内存(HBM)需求持续暴涨,这带动了英伟达供应商SK海力士盈利大增158%。 据SK海力士公布的财务业绩数据
    的头像 发表于 04-24 10:44 1155次阅读

    SK海力士强化HBM业务实力的战略规划

    随着人工智能技术的迅猛发展,作为其核心支撑技术的高带宽存储器(以下简称HBM)实现了显著的增长,为SK海力士在去年实创下历史最佳业绩做出了不可或缺的重要贡献。业内普遍认为,SK
    的头像 发表于 04-18 09:25 864次阅读

    SK海力士已完成收购英特尔NAND业务部门的第二(最终)阶段交易

    3 月 28 日消息,根据 SK 海力士向韩国金融监管机构 FSS 披露的文件,该企业已在当地时间今日完成了收购英特尔 NAND 闪存及 SSD 业务案的第二阶段,交易正式完成。 这笔
    的头像 发表于 03-28 19:27 1138次阅读
    <b class='flag-5'>SK</b><b class='flag-5'>海力士</b>已完成收购英特尔<b class='flag-5'>NAND</b>业务部门的第二(最终)阶段交易

    AI大模型侧部署正当时:移远端AI大模型解决方案,激活场景智能新范式

    AI技术飞速发展的当下,AI大模型的应用正从云端向加速渗透。作为全球领先的物联网整体解决方案
    的头像 发表于 03-26 19:05 991次阅读
    <b class='flag-5'>AI</b>大模型<b class='flag-5'>端</b>侧部署正当时:移远端<b class='flag-5'>侧</b><b class='flag-5'>AI</b>大模型<b class='flag-5'>解决方案</b>,激活场景智能新范式

    三星与SK海力士实施NAND闪存“自然减产”

    据外媒最新报道,为了应对NAND闪存市场的供应过剩问题,三星电子与SK海力士两大半导体巨头已悄然采取措施,通过工艺转换实现“自然减产”。 据业内消息透露,自去年年底以来,三星电子和
    的头像 发表于 02-12 10:38 785次阅读

    SK 海力士发布2024财年财务报告

    SK 海力士近日正式公布了截至2024年12月31日的2024财年及第四季度财务报告,数据显示,该公司在过去一年中取得了令人瞩目的业绩。 2024年全年,SK 海力士营收达到了6619
    的头像 发表于 02-08 16:22 1532次阅读

    SK海力士创历史最佳年度业绩

    SK海力士近日发布了截至2024年12月31日的2024财年及第四季度财务报告,数据显示公司再创佳绩。2024财年,SK海力士的营业收入高达
    的头像 发表于 01-23 15:49 1989次阅读

    SK海力士计划减产NAND Flash存储器以应对市场下滑

    产品价格。 继美光和三星宣布减产计划后,全球第二大NAND Flash厂商SK海力士也宣布了减产决定。据悉,SK海力士计划将上半年
    的头像 发表于 01-20 14:43 1016次阅读