SK海力士本周宣布，他们已经开始基于其128层3D NAND闪存采样产品，该产品不久将开始出现在最终用户设备中。一年前，他们推出了96层第5代3D NAND，但低价促使他们削减了产量，而第4代72L
2019-11-25 17:21:55
6386 4D NAND，基于先进的制程工艺，将无形的给其他SSD品牌厂竞争压力。 SK海力士发言人表示：SK海力士的新SSD是为寻求运行多媒体和要求苛刻的PC游戏等终端应用客户提供高性能首选解决方案。在CES
2019-12-30 15:57:394178 SK 海力士最先进 72 层 3D NAND 内存传明年开始量产，韩联社 26 日引述知情人事消息报导指出，海力士计划于 2017 上半年完成芯片设计，位在利川（Icheon）的 M14 厂将可在下半年开始生产。
2016-12-27 09:06:351594 ）购并恩智浦（NXP）、软银（SoftBank）购并安谋（ARM），这些业者早开始布局智能车、物联网（IoT）等未来新市场，此时SK海力士若受限于法令规范无法从事海外购并活动，将大幅削弱公司竞争力。SK
2016-12-30 09:10:391434 苹果供应商海力士（SK Hynix）今天发布了72层，256Gb 3D NAND 闪存芯片。这种芯片比 48层技术多1.5倍，单个 256Gb NAND 闪存芯片可以提供 32GB 闪存，这种芯片比 48 层 3D NAND 芯片的内部运行速度快两倍，读写性能快 20%。
2017-04-11 07:49:042003 SK海力士宣布推出了全球首款4D闪存。从现场给出的技术演示来看，4D闪存和此前长江存储的Xtacking十分相似，只不过外围电路（PUC，Peri.Circuits）在存储单元下方，好处有三点，一是芯片面积更小、二是处理工时缩短、三是成本降低。
2018-08-09 10:46:174284 是超一流的。 PE8010、PE8030都配备了SK海力士自产的96层堆叠4DTLCNAND闪存颗粒，搭配自研主控，最大容量8TB，兼容U.2、U.3接口，其中PE8010面向读取密集型
2020-04-08 10:11:536532 SK海力士发布了全球首款基于128层NAND闪存的消费级SSD——SK海力士Gold P31，提供500GB和1TB两种存储容量，产品已上架亚马逊。
2020-08-19 13:59:423984 据韩媒报道，近期SK海力士遭受了黑客组织Maze的勒索攻击，目前Maze声称入侵了SK海力士11TB的数据，并公布了约600MB的数据信息，约占其总数据量的5%。
2020-08-24 14:21:053699 ，随即开始加强在中国晶圆代工事业的布局。而其中的重点，就是将 SK 海力士旗下负责晶圆代工的子公司 SK Hynix System IC，其为在南韩清州的代工厂设备出售给 SK 海力士与中国企业合资的公司，以持续进行该公司部属中国的计划。
2020-11-11 10:12:403651 电子发烧友网综合报道，SK海力士宣布公司成功开发出搭载全球最高321层1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4D NAND闪存的移动端解决方案产品UFS 4.1
2025-05-23 01:04:008534 电子发烧友网综合报道，SK海力士宣布，已正式向客户供应其全球率先实现量产的移动端NAND闪存解决方案产品ZUFS 4.1。 SK海力士通过与客户的密切合作，于今年6月成功完成了该产品的客户验证
2025-09-19 09:00:003509 8月12日，中国信通院发布报告称，2019年7月，国内手机市场总体出货量3419.9万部，同比下降7.5%，其中含2G手机120.9万部、4G手机3291.7万部、5G手机7.2万部。这组数据5G
2019-08-17 10:10:01
DDR4H5ANAG6NAMR-TFCH5ANAG6NAMR-UHCH5AN8G8NAFR-UHCH5AN8G8NAFR-VKCH5AN8G8NCJR-VKCH5AN8G8NJJR-VKCH5AN4G6NAFR-TFCH5AN4G
2020-02-28 17:04:25
SK海力士虽然并未有扩产消息传出，但是近期相继宣布下一代（176层）NAND闪存技术取得显著进展。其中，美光最新的176层3D NAND已经在新加坡工厂量产，将在2021年推出基于该技术的新产品，SK
2022-01-26 08:35:58
63AFR-H9C、H5TQ4G63MFR-PBC、H5TQ2G83FFR-PBC、SD5D28B-8G、SD7DP24C-4G、SD7DP24F-4GSD7DP24F-4G、K3QF2F200B-XGCE、K3QF2F200E
2021-04-27 16:10:09
原装海力士三星存储芯片，香港出货，原包原盒。K4B2G1646F-BCNBK4B2G1646F-BYMAK4B4G
2020-02-13 14:35:59
1646B-HCK0、NT5CB256M8GN-CG、H5TQ4G63AFR-H9C、H5TQ4G63MFR-PBC、H5TQ2G83FFR-PBC、SD5D28B-8G、SD7DP24C-4G
2021-07-16 18:07:56
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2021-01-25 17:59:52
、PMIC等领域。虽然目前对营收的贡献很低，但SK海力士寄望5G与物联网整合存储器的商机浮现。单以CIS而言，目前手机市场贡献73%，有11.5%来自国防航天产业，而5.5%则是汽车。2014年双镜头手机
2018-12-24 14:28:00
M HY27UV08BGFM等等美光系列：MT29F8G08QAA MT29F16G08FAA MT29F32G08CBAAA MT29F64G08TAA MT29F128G08TAA 等等 闪迪系列：SD5D28B-4G
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2021-01-29 17:52:55
根据韩国媒体所发布的一份韩国文件指出，韩国内存大厂 SK 海力士 (SK Hynix) 正在寻求全球储存大厂希捷 (Seagate) 建立合资企业，进而加强非易失性存储用闪存芯片的中长期竞争力。 碟片式硬盘市场正不断萎缩 SK海力士或与希捷联手 不过，文件中并没有表明已经做了什么样确定的决定。
2016-12-23 11:20:11906 SK 海力士最先进72 层3D NAND 记忆体传明年开始量产，韩联社26 日引述知情人事消息报导指出，海力士计划于2017 上半年完成芯片设计，位在利川（Icheon）的M14 厂将可在下半年开始生产。
2016-12-27 14:15:111317 
网上有传闻紫光集团已经和SK海力士达成了合作，合作的内容是就芯片闪存技术许可相关事宜。不久紫光集团马上出来澄清，表示未与SK海力士进行任何事宜谈判或合作，纯属捕风捉影的市场传言。
2017-12-27 15:53:001086 今年的闪存技术峰会，美光、SK海力士包括长江存储都宣布了新一代的立体堆叠闪存方案，SK海力士称之为“4D NAND”，长江存储称之为Xtacking，美光则称之为“CuA”。CuA是CMOS under Array的缩写
2018-08-12 09:19:287883 首先是3D NAND的技术路线选择，SK海力士称，CTF（Charge Trap Flash，电荷捕获型）比Floating Gate（浮栅型）存储单元面积更小、速度更快、更耐用（P／E次数多）
2018-08-12 10:55:154453 SK海力士在清州建设M15工厂的建成仪式将于9月17日在清州举行。SK海力士计划通过从明年初开始增产96层3D NAND闪存的策略，来巩固其市场主导地位。
2018-09-07 16:59:043820 SK海力士完成M15工厂有两大意义。首先，NAND Flash快闪存储器因为工业4.0应用而快速成长，而新工厂将帮助SK海力士更积极因应全球对3D NAND Flash快闪存储器的需求。
2018-10-12 16:17:005500 SK海力士能否凭借新产品在竞争力相对弱势的NAND闪存市场站稳脚跟并争取NAND闪存市场的主导权，倍加受人关注。SK海力士在全球D-RAM市场仅次于三星电子排名第二，但在NAND闪存市场却以大约10
2018-11-09 15:49:515400 4月18日，SK海力士半导体（中国）有限公司（下简称“SK海力士”）举行主题为“芯的飞跃、芯的未来”的竣工仪式，宣布SK海力士二工厂项目竣工。
2019-04-19 16:30:373771 SK海力士今年第一季财报和当初预期相同，受存储器行情影响，营收和营益骤减，对此SK海力士准备以强化技术、调整生产线应对市场，预计今年NAND晶圆投入量将比去年减少10％以上。
2019-04-25 19:23:191116 SK海力士宣布，已经全球第一家研发成功，并批量生产128层堆叠的4D NAND闪存芯片，此时距离去年量产96层4D闪存只过去了八个月。
2019-06-27 15:23:283820 SK海力士宣布，该公司已经在全世界率先成功研发出128层4D Nand闪存芯片，将从今年下半年(7月~12月)开始投入量产。
2019-06-28 14:35:206119 SK海力士近日正式宣布，已成功开发并开始量产世界上第一款128层1Tb TLC 4D NAND闪存芯片。而就在8个月前，该公司宣布了96层4D NAND芯片。
2019-07-01 17:11:153551 SK海力士宣布已向主要SSD（固态硬盘）控制器公司提供新的1Tb QLC NAND样品，并开发了自己的QLC软件算法和控制器，计划扩大基于96层1Tb QLC 4D NAND的组合产品。
2019-07-25 15:08:544098 海力士则是宣布成功开发出128 层堆叠的4D NAND Flash，并已经进入量产阶段。不过，虽然两家厂商竞相推出NAND Flash 的新产品，但是堆叠技术的发展至今仍未到达极限。所以，SK
2019-08-15 09:05:123089 SK海力士日前宣布推出新一代企业级SSD固态硬盘，不过并没有公布新品SSD的名称，有限的信息为支持NVMe协议，采用72层堆栈的3D TLC闪存，M．2版容量最大容量4 TB，U．2版最大容量可达8 TB。
2019-12-09 11:43:572304 SK海力士作为闪存巨头，在今年8月份重新返回了消费级SSD市场，不过首款产品Gold S31比较平淡，很常规的2.5英寸SATA产品，最大容量1TB。
2019-12-30 08:52:553280 根据消息报道，韩国全球半导体制造商SK海力士将在2020年国际消费电子展（CES）上推出最新的“Gold P31”和“Platinum P31”PCIe NVMe固态硬盘，采用SK海力士的128层4D NAND闪存。
2019-12-30 15:27:124487 12 月 30 日讯，SK 海力士作为闪存巨头，在今年 8 月份重新返回了消费级 SSD 市场，SK 海力士此次准备了两款新的 SSD，一个是 Gold P31，另一个则是 Platinum P31，都采用 PCIe 形态，并支持 NVMe。
2019-12-31 14:03:081045 在CES展会上，SK海力士正式宣布了128层堆栈的4D闪存（本质还是3D闪存，4D只是商业名称），已经用于自家的PCIe硬盘中，这是六大闪存原厂中第一个量产128层堆栈闪存的，预计三星、西数、东西都会在今年跟进100多层的闪存。
2020-01-08 08:41:5212167 在CES展会上，SK海力士正式宣布了128层堆栈的4D闪存（本质还是3D闪存，4D只是商业名称），已经用于自家的PCIe硬盘中，这是六大闪存原厂中第一个量产128层堆栈闪存的，预计三星、西数、东西都会在今年跟进100多层的闪存。
2020-01-08 10:34:135597 根据消息报道，SK 海力士在CES 2020上发布了发布了两款M.2 PCI NVMe固态硬盘，分别名为Gold P31和Platinum P31，都采用了128层4D NAND闪存模块，主控也是SK 海力士自己的。
2020-01-08 15:04:223656 根据TPU的报道，SK 海力士展示了LPDDR5原型内存解决方案，旨在为下一代5G智能手机和超便携电脑提供更快的访问速度。SK海力士表示，新款的LPDDR4X已经将速度提高到4667MHz，LPDDR5将进一步提高，频率从5500MHz起步。
2020-01-10 14:46:124525 CES 2020展会上，存储大厂SK海力士拿出了不少有趣的产品，包括DDR5内存、LPDDR5内存、4D NAND SSD固态盘。
2020-01-13 10:07:235789 在最近举办的CES 2020展会上，SK海力士展出了两款新的高端SSD，分别是Gold P31、Platinum P31，最大特点采用了SK海力士自家的4D TLC NAND闪存。
2020-01-13 11:45:553583 PE8010、PE8030都配备了SK海力士自产的96层堆叠4D TLC NAND闪存颗粒，搭配自研主控，最大容量8TB，兼容U.2、U.3接口，其中PE8010面向读取密集型应用，PE8030则为读写混合应用而优化。
2020-04-08 09:06:303418 4月8日消息，近日，SK海力士宣布推出基于首款 128 层 1Tb TLC 4D NAND 闪存的企业级 SSD-- PE8111，是针对读取密集型应用设计的高容量存储解决方案。SK海力士是一家全球存储器半导体制造商，其产品组合中包括 DRAM，NAND 闪存和控制器，以及 SSD 的全套技术。
2020-04-09 14:09:194475 在今年，全球闪存厂商都在集体奔向100+层，例如SK海力士的128层已经稳定出货，并计划在年底推出196层内存，三星、镁光、西数、Intel也都已经突破了百层。近期，国内长江存储市场与销售资深副总裁龚翔表示，将跳过96层，直接投入128层闪存的技术研发和量产。
2020-04-11 16:47:514000 这两家韩国公司将于 9 月 15 日终止与华为的交易。 根据美国商务部的制裁方案，三星电子和 SK 海力士将从 15 日开始停止向华为供应半导体。不仅是存储芯片，连 5G、移动通信 （AP）等系统芯片也将无法供应，华为的存储芯片获取将十分艰难。 不仅是手机
2020-09-15 16:41:402822 目前，三星电子和SK海力士已停止对华为出货芯片产品。据报道，SK海力士大约有10%的销售额来自华为，而华为同样是三星重要的客户之一。
2020-09-23 10:20:342432 ，堆叠层数达到了176层，每片晶圆可以切割更多有效的闪存硅片。除了容量增加35%，闪存单元的读取速度也提升了20%，使用加速技术可使得传输速度加快33%到1.6Gbps。SK海力士将其称之为“4D闪存”。 SK海力士预计相关产品明年年中上市，目前主控厂商已经在测试样品，预计会在手机
2020-12-14 15:55:321786 据国外媒体报道，SK海力士宣布出资600亿收购英特尔NAND闪存及存储业务！ SK海力士已在官网宣布了他们将收购英特尔NAND闪存及存储业务的消息，SK海力士在官网上表示，两家公司已经签署了相关
2020-10-23 11:05:152718 近日闪存芯片行业又现巨震，英特尔将自己的NAND闪存业务以90亿美元的价格出售给了SK海力士。
2020-10-29 12:11:472793 前不久，Intel突然宣布以90亿美元（约601亿）的价格将旗下的NAND闪存业务出售给了SK海力士，业内哗然。
2020-11-05 09:37:321877 前不久，Intel突然宣布以90亿美元（约601亿）的价格将旗下的NAND闪存业务出售给了SK海力士，业内哗然。 尽管外界批评SK海力士买亏了、且目前闪存处于价格下行轨道，但后者似乎决心已定，并不
2020-11-05 09:41:541673 继美光后，SK海力士宣布完成了业内首款多堆栈176层4D闪存的研发，容量512Gb（64GB），TLC。 SK海力士透露，闪存单元架构为CTF（电荷捕获），同时集成了PUC技术。 4D闪存是SK
2020-12-07 13:49:272200 继美光后，SK海力士宣布完成了业内首款多堆栈176层4D闪存的研发，容量512Gb（64GB），TLC。
2020-12-07 13:44:092510 根据外媒 TechPowerUp 的消息，SK 海力士公司发布了 176 层 512 Gb 三层 TLC 4D NAND 闪存。 SK 海力士表示新的 176 层 NAND 闪存采用加速技术
2020-12-07 16:16:233708 从96层NAND闪存芯片开始，海力士一直在推动4D技术的发展。本文介绍的176层NAND芯片，已经发展到第三代。从制造上来说，其能够确保业内最佳的每片晶圆产出。
2020-12-15 17:55:343836 虽然已经将闪存业务出售给SK海力士，但是Intel还会继续发展存储芯片。日前的存储峰会上，Intel推出了一系列SSD硬盘，包括670P、傲腾H20等，首发了144层TLC、QLC闪存，涵盖消费级、企业级等多个市场。
2020-12-17 10:11:282736 在几大闪存原厂的主力从96层升级到128/144层之后，美光、SK海力士之前推出了176层的3D闪存，现在铠侠、西数也加入这一阵营，推出了162层3D闪存。
2021-02-20 10:40:582714 SK海力士今天宣布，已经开始量产18GB LPDDR5移动版内存，存储密度、容量都是世界第一。
2021-03-08 14:41:543203 交易完成后，SK海力士将成为仅次于三星电子的第二大闪存生产商。与此同时，英特尔也将获得充足资金，投资于其增长更快的逻辑芯片业务。英特尔计划退出闪存市场可能有助于恢复该行业的供需平衡，因为SK海力士可能会削减资本支出，以为这笔收购筹集资金。
2021-03-22 15:11:252002 委员会正式批准了SK海力士收购Intel闪存业务的交易，没有任何条件限制，也无需任何进一步审查。 在扫清美国及欧盟的审批之后，SK海力士、Intel希望在2021年内获得其他国家的批准，其中中国监管部门的审批将是关键。 Intel及SK海力士在国内闪存市场上都占有相当多的
2021-05-27 09:23:572342 SK海力士之前以90亿美元收购了Intel的NAND闪存及存储业务，随后于美国成立了公司Solidigm，这次的P5530硬盘是两家公司首个共同开发的新企业级硬盘。
2022-04-06 18:17:321882 近日，SK海力士宣布将在中国大连新建闪存工厂，该工厂属于SK海力士的非易失性存储器制造项目的一部分，将被用于生产非易失性存储器3D NAND芯片。 SK海力士在2020年宣布了收购Intel闪存业务
2022-05-19 14:32:534080 SK海力士在美国圣克拉拉举行的2022闪存峰会（Flash Memory Summit 2022）上首次亮相了238层NAND闪存新产品。
2022-08-04 15:53:4915867 被压制，消费电子市场更是暴雷不断，SK 海力士的大部分利润来自于销售内存芯片。对于亏损SK海力士称第四季度亏损主要原因是电脑和智能手机的需求低迷导致存储芯片需求减少；叠加芯片价格大幅下滑导致。 内存芯片行业面临着严重供需失衡，而鉴
2023-02-01 16:52:123954 
sk海力士表示：“以238段nand闪存为基础，开发了智能手机和pc用客户端ssd （client ssd）解决方案产品，并于5月开始批量生产。该公司通过176层、238层的产品，在成本、性能、品质等方面确保了世界最高的竞争力。
2023-06-08 10:31:532449 238层NAND闪存作为世界上最小体积的芯片，生产效率比上一代的176层提升了34%，成本竞争力得到了大幅改善。
2023-06-11 14:32:541442 
SK海力士宣布将首次展示全球首款321层NAND闪存，成为业界首家开发出300层以上NAND闪存的公司。他们展示了321层1Tb TLC 4D NAND闪存的样品，并介绍了开发进展情况。
2023-08-10 16:01:471993 三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存 存储领域的竞争愈加激烈，三星电子计划在2023年正式生产第9代V-NAND闪存，三星第9代V-NAND闪存
2023-08-21 18:30:53888 SK海力士明年计划的设施投资为10万亿韩元（76.2亿美元），超出了市场预期。证券界最初预测“SK海力士明年的投资额将与今年类似，约为6万亿至7万亿韩元”。鉴于经济挑战，观察人士预计严格的管理措施将延续到明年。由于存储半导体价格大幅下跌，SK海力士预计今年赤字将超过8万亿韩元。
2023-11-22 17:28:051540 SK海力士，作为全球知名的半导体公司，近期在中国业务方面进行了重大的战略调整。据相关报道，SK海力士正在全面重组其在中国的业务布局，计划关闭运营了长达17年的上海销售公司，并将其业务重心全面转移到无锡。这一决策的背后，反映了SK海力士对于中国市场发展的深刻洞察和前瞻布局。
2024-03-20 10:42:252163 该产品与 Gold P31、Platinum P41 共同使用了海力士自主研发的 SSD 主控，然而独特之处在于其搭载了 PCIe Gen5 技术及 238 层的 TLC NAND 闪存。
2024-03-20 14:13:011783 来源：集成电路前沿，谢谢 编辑：感知芯视界 Link 3月25日消息，据报道，由于SK海力士部分工程出现问题，英伟达所需的12层HBM3E内存，将由三星独家供货，SK海力士出局！ 据了解，HBM需要
2024-03-27 09:12:081225 SK海力士指出，“ZUFS 4.0是新一代移动端NAND闪存解决方案，具备行业内最高性能且专门针对端侧AI手机进行优化。”此外，公司还强调，“借助此产品，我们将在NAND闪存领域引领AI存储器市场，这也是继HBM超高性能DRAM之后的又一重要里程碑。”
2024-05-09 09:30:331063 今日，SK海力士公司宣布了一项革命性的技术突破，他们成功研发出了面向端侧（On-Device）AI应用的全新移动端NAND闪存解决方案——“ZUFS（Zoned UFS）4.0”。这款产品的推出，标志着SK海力士在闪存技术领域的又一次飞跃。
2024-05-09 11:00:301175 在智能手机技术日新月异的今天，SK海力士再次引领行业潮流，成功推出新一代移动端NAND闪存解决方案——ZUFS 4.0。这款专为端侧AI手机优化的闪存产品，无疑将为用户带来前所未有的使用体验。
2024-05-11 10:14:191068 SK海力士公司近日在首尔举办的IEEE 2024国际存储研讨会上，由先进HBM技术团队负责人Kim Kwi-wook宣布了一项重要进展。SK海力士计划从2026年开始，提前一年量产其第七代高带宽存储器HBM4E。这一消息表明，SK海力士在HBM技术领域的研发速度正在加快。
2024-05-15 11:32:131484 瑞银集团最新报告指出，SK海力士的HBM4芯片预计从2026年起，每年将贡献6至15亿美元的营收。作为高带宽内存（HBM）市场的领军企业，SK海力士已在今年2月宣布其HBM产能已全部售罄，显示其产品的强劲需求。
2024-05-30 10:27:221511 ）提交了一份关于3D DRAM（三维动态随机存取存储器）的详细研究论文。该论文不仅揭示了SK海力士在3D DRAM领域取得的显著进展，更向世界展示了其在这一未来存储技术上的坚定决心与卓越实力。
2024-06-24 15:35:291746 在全球半导体技术的激烈竞争中，SK海力士再次展示了其卓越的研发实力与创新能力。近日，在美国夏威夷举行的VLSI 2024峰会上，SK海力士宣布了其在3D DRAM技术领域的最新研究成果，其中5层堆叠的3D DRAM良品率已高达56.1%，这一突破性的进展引起了业界的广泛关注。
2024-06-27 10:50:221473 在半导体行业日益激烈的竞争中，SK海力士再次展现其前瞻布局与技术创新的决心。近日，有消息称SK海力士正与全球知名的封装测试外包服务（OSAT）大厂Amkor就硅中介层（Si Interposer
2024-07-18 09:42:511223 韩国半导体巨头SK海力士正加速推进NAND闪存技术的革新，据韩媒最新报道，该公司计划于2025年末全面完成400+层堆叠NAND闪存的量产准备工作，并预计于次年第二季度正式开启大规模生产。这一举措标志着SK海力士在NAND闪存领域再次迈出坚实步伐，引领行业技术前沿。
2024-08-02 16:56:111743 在最近的FMS 2024峰会上，SK 海力士凭借其创新实力，率先向业界展示了尚未正式发布规范的UFS 4.1通用闪存新品，再次引领存储技术的前沿。此次展示不仅彰显了SK 海力士在存储技术领域的领先地位，也为未来的移动设备性能提升奠定了坚实基础。
2024-08-10 16:52:083027 SK海力士近日宣布了一项重要计划，即开发采用4F2结构（垂直栅）的DRAM。这一决策紧跟其竞争对手三星的步伐，标志着SK海力士在DRAM制造领域的新探索。SK海力士研究员表示，随着极紫外（EUV
2024-08-14 17:06:431670 SK海力士宣布，公司已正式踏入人工智能芯片生产的新阶段，批量生产业界领先的12层HBM3E芯片。这款芯片不仅代表了SK海力士在内存技术上的重大突破，更以36GB的超大容量刷新了现有HBM产品的记录，为全球人工智能领域的发展注入了强劲动力。
2024-09-26 14:24:41878 的领先地位，更为未来的高性能计算市场带来了全新的可能性。 SK海力士CEO郭鲁正(Kwak Noh-Jung)表示，尽管业界普遍认为16层HBM市场将从HBM4时代开始兴起，但SK海力士凭借前瞻性的技术布局
2024-11-05 15:01:201231 限的产能转向更高端的产品线，如人工智能用存储器及先进DRAM产品。 SK海力士的这一决策可能与其重点发展高端存储技术研发和生产有关。近日，该公司对外展示了全球首款48GB 16层HBM3E产品，该产品在容量和层数上均达到了业界最高水平。这一成果不仅彰显了SK海力士
2024-11-07 11:37:181277 在近日举行的SK AI峰会上，韩国存储巨头SK海力士向全球展示了其创新成果——全球首款48GB 16层HBM3E产品。这一产品的推出，标志着SK海力士在高端存储技术领域的又一次重大突破。
2024-11-13 14:35:051189 SK海力士致力于成为“全方位面向AI的存储器供应商（Full Stack AI Memory Provider）”，不仅在DRAM领域持续创新，在NAND闪存（NAND Flash，以下简称NAND
2025-07-10 11:37:591509
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