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电子发烧友网>存储技术>SK海力士开发出下一代智能内存芯片技术PIM

SK海力士开发出下一代智能内存芯片技术PIM

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今日,SK海力士公司宣布了项革命性的技术突破,他们成功研发出了面向端侧(On-Device)AI应用的全新移动端NAND闪存解决方案——“ZUFS(Zoned UFS)4.0”。这款产品的推出,标志着SK海力士在闪存技术领域的又次飞跃。
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瑞银集团最新报告指出,SK海力士的HBM4芯片预计从2026年起,每年将贡献6至15亿美元的营收。作为高带宽内存(HBM)市场的领军企业,SK海力士已在今年2月宣布其HBM产能已全部售罄,显示其产品的强劲需求。
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2024-05-30 11:30:342156

SK海力士开发出用于端侧AI PC的高性能固态硬盘PCB01

在人工智能(AI)技术日新月异的今天,存储设备的性能对于端侧AI应用的重要性愈发凸显。为了满足这需求,全球领先的半导体公司SK海力士近日宣布,成功开发出款专为端侧AI优化的高性能固态硬盘
2024-07-01 14:58:401222

三星、SK海力士探索激光解键合技术

在半导体技术的浩瀚星空中,三星电子与SK海力士正携手点亮颗璀璨的新星——高带宽存储器(HBM)晶圆工艺技术的重大革新。据韩媒最新报道,这两家行业巨头已正式迈入下一代HBM的技术探索之旅,其核心在于引入种旨在防止晶圆翘曲的新技术,这变革预示着HBM制造领域的新篇章。
2024-07-12 09:29:561545

英伟达、台积电与SK海力士携手,2026年量产HBM4内存,能效显著提升

科技行业持续向AI时代迈进的浪潮中,英伟达、台积电与SK海力士三大巨头宣布了项重大合作,旨在通过组建“三角联盟”共同推进下一代高带宽内存(HBM)技术的发展,特别是备受瞩目的HBM4内存。这合作不仅标志着半导体行业的次重要联手,也为未来数据处理和计算性能的提升奠定了坚实基础。
2024-07-15 17:28:051574

SK海力士将在HBM生产中采用混合键合技术

在半导体技术日新月异的今天,SK海力士再次站在了行业创新的前沿。据最新消息,该公司计划于2026年在其高性能内存(High Bandwidth Memory, HBM)的生产过程中引入混合键合技术,这举措不仅标志着SK海力士在封装技术上的重大突破,也预示着全球半导体行业将迎来新轮的技术革新。
2024-07-17 09:58:191366

SK海力士探索无焊剂键合技术,引领HBM4创新生产

在半导体存储技术的快速发展浪潮中,SK海力士,作为全球领先的内存芯片制造商,正积极探索前沿技术,以推动高带宽内存(HBM)的进步演进。据最新业界消息,SK海力士正着手评估将无助焊剂键合工艺引入其下一代HBM4产品的生产中,这举措标志着公司在追求更高性能、更小尺寸内存解决方案上的又次大胆尝试。
2024-07-17 15:17:471889

SK海力士携手台积电,N5工艺打造高性能HBM4内存

在半导体技术日新月异的今天,SK海力士再次引领行业潮流,宣布将采用台积电先进的N5工艺版基础裸片来构建其新一代HBM4内存。这举措不仅标志着SK海力士在高性能存储解决方案领域的持续深耕,也预示着HBM内存技术即将迈入个全新的发展阶段。
2024-07-18 09:47:531329

SK海力士计划斥资68亿打造芯片制造基地

全球知名的内存芯片制造商SK海力士于周五宣布了项重大投资决策,计划斥资约9.4万亿韩元(折合美元约为68亿)在韩国龙仁市兴建其国内首座芯片制造基地。这举措标志着SK海力士在强化其全球竞争力、特别是针对人工智能(AI)芯片市场布局上的重要步。
2024-07-27 13:48:581410

SK海力士斥资68亿美元打造全球AI芯片生产基地

全球领先的内存芯片制造商SK海力士宣布了项重大投资决策,计划投资约9.4万亿韩元(折合美元约68亿)在韩国龙仁市兴建其国内首座专注于AI芯片生产的超级工厂。此项目标志着SK海力士在应对未来科技趋势、特别是人工智能领域快速增长需求方面迈出了坚实步伐。
2024-07-29 11:28:541088

SK海力士考虑让Solidigm在美上市融资

据最新消息,SK海力士正酝酿项重要财务战略,考虑推动其NAND与SSD业务子公司Solidigm在美国进行首次公开募股(IPO)。Solidigm作为SK海力士在2021年底通过收购英特尔相应业务后成立的独立美国子公司,承载着SK海力士在存储解决方案领域的重要布局。
2024-07-30 17:35:402332

SK海力士即将亮相FMS 2024,展示AI存储器技术新突破

SK海力士即将在8月6日至8日于美国圣克拉拉举办的全球半导体存储器峰会FMS 2024上大放异彩,向全球业界展示其在存储器技术领域的最新进展与对人工智能(AI)未来的深邃洞察。此次参展,SK海力士不仅将全面呈现其存储器产品的技术革新,更将焦点对准了下一代AI存储器技术的璀璨前景。
2024-08-05 09:26:391110

SK海力士GDDR7显存性能飙升60%

全球领先的半导体制造商SK 海力士近日宣布了项重大突破,正式推出了全球性能巅峰的新一代显存产品——GDDR7。这款专为图形处理优化设计的显存,凭借其前所未有的高速与卓越性能,再次彰显了SK 海力士技术创新领域的领先地位。
2024-08-07 11:20:351350

SK海力士开发出第六10纳米级DDR5 DRAM

SK海力士宣布了项重大技术突破,成功开发出全球首款采用第六10纳米级(1c)工艺的16Gb DDR5 DRAM。这里程碑式的成就标志着SK海力士在半导体存储技术领域的领先地位。
2024-08-29 16:39:151255

SK海力士开始先进人工智能芯片生产

SK海力士宣布,公司已正式踏入人工智能芯片生产的新阶段,批量生产业界领先的12层HBM3E芯片。这款芯片不仅代表了SK海力士内存技术上的重大突破,更以36GB的超大容量刷新了现有HBM产品的记录,为全球人工智能领域的发展注入了强劲动力。
2024-09-26 14:24:41878

特斯拉或向SK海力士下1万亿韩元eSSD订单

的eSSD也随之成为AI芯片不可或缺的核心部分,与HBM(高带宽内存)芯片并驾齐驱。在数据存储市场上,eSSD以其卓越的性能和能效比,正逐步取代传统的HDD硬盘。 Solidigm,作为SK海力士旗下的NAND闪存开发子公司,凭借其领先的技术实力,已开发出业界最高
2024-10-25 10:19:081110

英伟达加速推进HBM4需求,SK海力士等存储巨头竞争加剧

韩国大型财团SK集团的董事长崔泰源在周的采访中透露,英伟达的首席执行官黄仁勋已向SK集团旗下的存储芯片制造巨头SK海力士提出要求,希望其能提前六个月推出下一代高带宽存储产品HBM4。SK海力士此前
2024-11-04 16:17:001707

英伟达向SK海力士提出提前供应HBM4芯片要求

近日,韩国SK集团会长透露了项重要信息,即英伟达公司的首席执行官黄仁勋已向SK海力士提出了项特殊的要求。黄仁勋希望SK海力士能够提前六个月供应其下一代高带宽内存芯片,这款芯片被命名为HBM4
2024-11-05 10:52:481202

英伟达加速Rubin平台AI芯片推出,SK海力士提前交付HBM4存储器

日,英伟达(NVIDIA)的主要高带宽存储器(HBM)供应商南韩SK集团会长崔泰源透露,英伟达执行长黄仁勋已要求SK海力士提前六个月交付用于英伟达下一代AI芯片平台Rubin的HBM4存储芯片。这消息意味着英伟达下一代AI芯片平台的问世时间将提前半年。
2024-11-05 14:22:092108

SK海力士推出48GB 16层HBM3E产品

和卓越的研发能力,已经提前开发出48GB 16层HBM3E产品。这举措不仅展现了SK海力士技术实力,更凸显了其对市场趋
2024-11-05 15:01:201231

SK海力士调整生产策略,聚焦高端存储技术

限的产能转向更高端的产品线,如人工智能用存储器及先进DRAM产品。 SK海力士的这决策可能与其重点发展高端存储技术研发和生产有关。近日,该公司对外展示了全球首款48GB 16层HBM3E产品,该产品在容量和层数上均达到了业界最高水平。这成果不仅彰显了SK海力士
2024-11-07 11:37:181277

三星与SK海力士携手推进LPDDR6-PIM产品标准化

据外媒最新报道,韩国两大存储芯片巨头三星电子与SK海力士已正式结盟,共同致力于推动LPDDR6的存内计算(Processing In Memory,简称PIM)产品的标准化进程。此举旨在加速人工智能
2024-12-03 10:42:501350

SK海力士新设AI芯片开发与量产部门

韩国存储芯片巨头SK海力士于近日宣布,为巩固其在人工智能(AI)内存领域的领先地位,公司决定在年度组织调整中新增两个专门部门,专注于下一代AI芯片开发与量产。 据悉,这两个新部门将由新任命的首席
2024-12-06 10:56:461145

SK海力士加速16Hi HBM3E内存量产准备

坚实基础。 SK海力士的这举措,无疑将在全球半导体市场中掀起波澜。16Hi HBM3E内存作为业界领先的技术产品,其量产将有望推动整个半导体存储行业的发展和进步。通过加速量产准备工作,SK海力士不仅展现了其在技术创新方面的实力,也彰显了其对于市场需求变化
2024-12-26 14:46:241050

SK海力士HBM技术的发展历史

SK海力士在巩固其面向AI的存储器领域领导地位方面,HBM1无疑发挥了决定性作用。无论是率先开发出全球首款最高性能的HBM,还是确立并保持其在面向AI的存储器市场的领先地位,这些成就的背后皆源于SK海力士秉持的“个团队”协作精神(One Team Spirit)。
2025-06-18 15:31:021667

Microchip推出下一代Switchtec Gen 6 PCIe交换芯片

随着人工智能(AI)工作负载和高性能计算(HPC)应用对数据传输速度与低延迟的需求持续激增,Microchip Technology Inc.(微芯科技公司)宣布推出下一代Switchtec Gen 6 PCIe交换芯片
2025-10-18 11:12:101317

英伟达、微软、亚马逊等排队求购SK海力士HBM芯片,这些国产设备厂迎机遇

AMD、微软和亚马逊等。   HBM(高带宽存储器),是由AMD和SK海力士发起的基于3D堆栈工艺的高性能DRAM,适用于高存储器带宽需求的应用场合。如今HBM已经发展出HBM2、HBM2e以及HBM3。HBM3E是HBM3的下一代产品,SK海力士目前是唯能量产HBM3的厂商。   HBM 成为
2023-07-06 09:06:313695

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