SK 海力士最先进 72 层 3D NAND 内存传明年开始量产,韩联社 26 日引述知情人事消息报导指出,海力士计划于 2017 上半年完成芯片设计,位在利川(Icheon)的 M14 厂将可在下半年开始生产。
2016-12-27 09:06:35
1594 讨论购买存储芯片的事宜。知情人士透露,SK海力士已经完成了符合博世要求的规格的存储芯片的开发。 与消费类设备中使用的DRAM相比,汽车中使用的DRAM需要保证更高的可靠性和更宽的激活温度范围。SK海力士开发的新DRAM遵循2018年制定的第二版ISO
2021-04-06 10:25:01
7589 4月16日消息 据悉,SK海力士正在与德国汽车巨头博世公司(Bosch)洽谈为其提供汽车存储芯片的事宜。 据称,SK海力士已完成了符合博世要求规格的内存芯片的开发。与消费类设备中使用的DRAM
2021-04-16 12:37:47
2906 SK海力士(或“公司”,www.skhynix.com) 宣布业界首次成功开发现有最佳规格的HBM3 DRAM。
2021-10-20 10:07:47
2155 
北京时间 12 月 18 日,Qualcomm 美国高通宣布推出下一代物联网(IoT)专用调制解调器,面向资产追踪器、健康监测仪、安全系统、智慧城市传感器、智能计量仪以及可穿戴追踪器等物联网
2021-07-23 08:16:37
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据彭博社报道,有传闻称苹果公司目前正致力于开发下一代无线充电技术,将可允许iPhone和iPad用户远距离充电。报道称,有熟知内情的消息人士透露:“苹果公司正在与美国和亚洲伙伴展开合作以开发新的无线
2016-02-01 14:26:15
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2021-01-29 17:52:55
据外媒报道,韩国SK海力士周四宣布,将在韩国和中国投资3.16万亿韩元(约合27亿美元)以提高存储芯片产能,抓住行业内需求增长的机遇。作为全球第二大存储芯片制造商,SK海力士表示,将投资2.2万亿
2016-12-23 09:38:00
1056 SK 海力士周一发布全球最高密度、低耗能移动 DRAM,将应用于未来智能手机上。 海力士运用双通道 16 Gigabit 双通道芯片打造出低耗电 DDR4X 移动 DRAM,容量达 8GB。以 LPDDR4X 标准而言,SK 海力士新内存芯片密度是全球最高,功效则较现有 LPDDR4 提高两成。
2017-01-10 11:55:12
941
受益于DRMA和NAND市场需求,SK海力士在存储领域的地位大幅提升。据报道,SK海力士将会考虑在中国涉足芯片代工业务,设立一家合资工厂,为没有半导体制造工厂的公司制造芯片
2017-12-20 15:40:48
1711 近日,清华大学-SK海力士智能存储计算芯片联合研究中心揭牌仪式在工字厅举行。SK海力士总裁郑泰圣,北京市教委科研处副处长李善廷,清华大学副校长、未来芯片技术高精尖创新中心主任尤政出席揭牌仪式。清华大学科研院副院长、未来芯片技术高精尖创新中心副主任邓宁主持仪式。
2018-11-02 17:07:19
3035 1月25日消息,本周四,韩国SK海力士(SK Hynix)表示,由于内存芯片的需求旺盛,尽管韩元更加坚挺,2017年第四季度的营业利润依然增长近两倍,达到历史最高水平,超过市场预期。
2018-06-25 09:58:00
1252 今年的闪存技术峰会,美光、SK海力士包括长江存储都宣布了新一代的立体堆叠闪存方案,SK海力士称之为“4D NAND”,长江存储称之为Xtacking,美光则称之为“CuA”。CuA是CMOS under Array的缩写
2018-08-12 09:19:28
7883 SK海力士官方宣布,公司已经研发出单颗容量16Gb(2GB)的下一代DDR5 DRAM内存颗粒,且是首款满足JEDEC标准规范的DDR5。
2018-11-17 11:47:49
5462 据外媒消息,第二大DRAM芯片厂商SK海力士已着手第六代DDR内存即DDR6的研发,预期速率12Gb/s,也就是DDR6-12000。
2019-01-30 15:06:56
1098 内存芯片价格低迷不振,SK海力士第一季营业利润大减69%,并创下2016年第三季以来的单季获利新低。
2019-04-29 15:26:45
3047 SK海力士近日宣布,将在提高第一代10nm级工艺(1xnm) DRAM内存芯片产能的同时,今年下半年开始销售基于第二代10nm级工艺(1ynm)的内存芯片,并为下代内存做好准备。SK海力士首款
2019-05-14 10:40:00
3315 据外媒报道,由于DRAM内存芯片价格不断下跌,近期又有华为事件的影响,SK海力士正在计划推迟位于中国无锡的全球最先进内存芯片工厂的投产计划。
2019-06-21 11:33:15
4426 据报道,由于中美贸易摩擦愈演愈烈,韩国内存芯片大厂SK海力士有意放缓在中国工厂的投产计划。
2019-06-24 17:21:58
3526 SK海力士已经发现内存和NAND芯片供过于求的迹象,但日韩贸易争端正在威胁和影响到制造芯片所需的市场环境。
2019-07-27 09:32:15
3711 海力士则是宣布成功开发出128 层堆叠的4D NAND Flash,并已经进入量产阶段。不过,虽然两家厂商竞相推出NAND Flash 的新产品,但是堆叠技术的发展至今仍未到达极限。所以,SK
2019-08-15 09:05:12
3089 根据消息报道,SK 海力士在CES 2020上展示了最新的DDR5 EEC内存条,速度达到了DDR5-4800 MHz。
2020-01-09 15:17:13
4795 根据TPU的报道,SK 海力士展示了LPDDR5原型内存解决方案,旨在为下一代5G智能手机和超便携电脑提供更快的访问速度。SK海力士表示,新款的LPDDR4X已经将速度提高到4667MHz,LPDDR5将进一步提高,频率从5500MHz起步。
2020-01-10 14:46:12
4525 据国外媒体报道,韩国半导体巨头SK海力士今日发表声明称,部分媒体对公司存储器规格和AMD下一代GPU报道不实。
2020-02-26 21:57:09
2868 据外媒最新消息称,Intel可能出售内存芯片业务,而接盘者是SK海力士,价格是100亿美元。
2020-10-20 09:23:00
1797 据路透社当地时间19日报道援引知情人士称,英特尔正准备将NAND芯片业务,以近100亿美元的价格,出售给SK海力士。若交易达成,将使得SK海力士超越日本Kioxia,成为NAND内存市场的全球第二大厂商,并进一步缩小与行业领头羊三星之间的差距。
2020-10-20 14:10:14
2309 以存储业务起家的英特尔,现在要把内存芯片业务卖掉了。
买家和价格也已敲定:韩国SK海力士 (SK Hynix),90亿美元。 这也是今年继英伟达收购Arm、AMD收购赛灵思之后,芯片行业又一次的大整合。
2020-10-21 09:39:03
3105 
ASML公司的EUV光刻机全球独一份,现在主要是用在7nm及以下的逻辑工艺上,台积电、三星用它生产CPU、GPU等芯片。马上内存芯片也要跟进了,SK海力士宣布明年底量产EUV工艺内存。
2020-10-30 10:54:21
2202 1月31日消息,据国外媒体报道,周五,芯片制造商SK海力士表示,由于服务器和移动行业的增长,预计今年内存芯片需求强劲。
2021-02-01 09:13:33
1826 31亿美元)建成了这座芯片工厂,工厂长336米,宽163米,高105米,相当于一座37层公寓的高度,是SK海力士目前最大的芯片工厂。
2021-02-02 15:00:15
2767 。 据报道,SK海力士与ASML公司签订了一个超级大单,未来5年内将斥资4.8万亿韩元,约合43.4亿美元购买EUV光刻机。 SK海力士在一份监管文件中称,这笔交易是为了实现下一代工艺芯片量产的目标。 ASML及SK海力士都没有透露这么多资金到底购买了多少台EUV光刻机,不过从之
2021-02-25 09:30:23
2709 SK海力士今天宣布,已经开始量产18GB LPDDR5移动版内存,存储密度、容量都是世界第一。
2021-03-08 14:41:54
3203 韩国SK海力士公司刚刚正式宣布已经成功开发出业界第一款HBM3 DRAM内存芯片,可以实现24GB的业界最大的容量。HBM3 DRAM内存芯片带来了更高的带宽,每秒处理819GB的数据,相比上一代速度提高了78%。
2021-10-20 16:22:14
2672 近日,SK海力士公司CEO近期表示SK海力士将计划升级中国无锡工厂的大规模生产设施,应对美中贸易紧张局势以便更有效地生产内存芯片,但是这一举动则遭到了美国的强烈反对。
2021-11-24 16:41:32
2494 SK海力士在业界率先开发出最新高带宽存储器(HBM, High Bandwidth Memory)产品HBM31,公司不仅又一次创造历史,更进一步巩固了SK海力士在DRAM市场上的领先地位。
2022-09-08 09:28:25
2219 2022年12月8日 /美通社/ -- SK海力士(或‘公司', www.skhynix.com )今日宣布成功开发出DDR5多路合并阵列双列直插内存模组(MCR DIMM, Multiplexer
2022-12-09 20:40:31
2118 被压制,消费电子市场更是暴雷不断,SK 海力士的大部分利润来自于销售内存芯片。对于亏损SK海力士称第四季度亏损主要原因是电脑和智能手机的需求低迷导致存储芯片需求减少;叠加芯片价格大幅下滑导致。 内存芯片行业面临着严重供需失衡,而鉴
2023-02-01 16:52:12
3954 
2023年1月上市的sk海力士LPDDR5T的带宽为9.6gbps,超过了lpddr5x的8.5gbps,在目前的移动平台中速度最快。随着2026年左右新一代lpddr6内存正式上市,预计LPDDR5T将成为2023年到2025年最强大的移动平台。
2023-08-11 09:47:52
1641 SK海力士提供优质的产品和服务。从DDR4世代跨越到DDR5世代,澜起科技与SK海力士合作的产品涵盖DDR4、DDR5内存接口芯片及DDR5内存模组配套芯片。 随着人工智能、机器学习等异构计算飞速发展,CXL作为一种全新的高速互连协议迅速崛起,吸引业界各大厂商争
2023-12-04 09:02:37
2065 12月27日消息,根据韩媒报道,SK海力士近日研发出了可重复使用的 CMP抛光垫技术,不仅可以降低成本,而且可以增强 ESG(环境、社会、治理)管理。
2023-12-27 13:48:50
1383 
1月9日,康宁官微宣布与天马微电子 (Tianma) 展开新的合作,利用康宁LivingHinge技术推出下一代车载显示屏。
2024-01-10 09:37:07
1778 SK海力士近日宣布,将进一步扩大高带宽内存生产设施的投资,以满足高性能AI产品市场的不断增长需求。
2024-01-29 16:54:44
1387 韩国存储芯片巨头SK海力士计划在美国印第安纳州投资兴建一座先进封装工厂,专注于生产高带宽内存(HBM)芯片。这一举措旨在与英伟达(NVIDIA)的AI GPU进行深度整合,共同推动美国本土的AI芯片制造能力。
2024-02-06 16:10:29
1946 据韩国媒体报道,全球领先的半导体制造商SK海力士正与芯片代工巨头台积电紧密合作,共同构建一个强大的AI芯片联盟。这一战略举措旨在汇聚双方在下一代人工智能半导体封装领域的卓越技术,以此巩固两家公司在全球AI芯片市场的领导地位。
2024-02-18 11:26:26
1609 SK 海力士副总裁 Kim Ki-Tae 对此表示,作为 HBM 行业翘楚,海力士洞察到市场对 HBM 存储的巨大需求,现已提前调整产量,以期更好地满足市场需求,保护其市场占有率。
2024-02-23 14:12:00
1306 长达半年的严格性能评估。据此,SK海力士计划在今年3月开始量产这款高频宽记忆体,以供应给英伟达作为他们下一代Blackwell系列AI芯片旗舰产品B100的首选存储器。
2024-02-25 11:22:21
1656 SK海力士正积极应对AI开发中关键组件HBM(高带宽存储器)日益增长的需求,为此公司正加大在先进芯片封装方面的投入。SK海力士负责封装开发的李康旭副社长明确指出,公司正在韩国投入超过10亿美元,以扩大和改进其芯片封装技术。
2024-03-08 10:53:44
1798 SK海力士,作为全球知名的半导体公司,近期在中国业务方面进行了重大的战略调整。据相关报道,SK海力士正在全面重组其在中国的业务布局,计划关闭运营了长达17年的上海销售公司,并将其业务重心全面转移到无锡。这一决策的背后,反映了SK海力士对于中国市场发展的深刻洞察和前瞻布局。
2024-03-20 10:42:25
2163 在基础晶圆上通过硅通孔(TSV)连接多层DRAM,首批HBM3E产品均采用8层堆叠,容量为24GB。SK海力士和三星分别在去年8月和10月向英伟达发送了样品。此前有消息称,英伟达已经向SK海力士支付了约合5.4亿至7.7亿美元的预付款,供应下一代HBM3E。 SK海力士和三星都在推进12层
2024-03-27 09:12:08
1225 SK海力士联合 TEMC 研发出一套氖气回收装置,用以收集及分类处理光刻工艺环境中的氖气,然后交予 TEMC 进行纯化处理,最后回流至 SK 海力士使用。
2024-04-02 14:25:59
1038 来源:Silicon Semiconductor 为下一代HBM建造先进封装设施,同时与普渡大学合作研发。 SK海力士将在美国印第安纳州西拉斐特投资约38.7亿美元,为人工智能产品建设先进的封装制造
2024-04-16 11:17:05
658 SK海力士表示,凭借其在AI应用领域存储器发展的领先地位,以及与台积电在全球顶尖逻辑代工领域的深厚合作基础,该公司有信心持续引领HBM技术创新。通过整合IC设计厂、晶圆代工厂及存储器厂的技术资源,SK海力士将进一步提升存储器产品性能,实现新的突破。
2024-04-19 09:28:04
1153 HBM内存基础裸片即DRAM堆叠基座,兼具与处理器通信的控制功能。SK海力士近期与台积电签订HBM内存合作协议,首要任务便是提升HBM基础逻辑芯片性能。
2024-04-23 16:41:19
1392 SK海力士计划斥资约20万亿韩元(约146亿美元)在韩国新建存储芯片产能,以满足快速增长的人工智能开发需求。
2024-04-29 11:19:07
1376 SK海力士,作为全球领先的内存芯片制造商,正在积极考虑建设一家新的DRAM工厂。这一决策源于其现有的龙仁芯片集群投产计划的推迟,以及对今年内存芯片需求大幅增长的预测。
2024-05-06 10:52:02
982 SK海力士近日宣布,其高带宽内存(HBM)芯片在2025年的产能已经基本售罄。这一成绩主要归功于人工智能(AI)技术的蓬勃发展,极大地推动了市场对HBM芯片的需
2024-05-07 09:48:39
927 今日,SK海力士公司宣布了一项革命性的技术突破,他们成功研发出了面向端侧(On-Device)AI应用的全新移动端NAND闪存解决方案——“ZUFS(Zoned UFS)4.0”。这款产品的推出,标志着SK海力士在闪存技术领域的又一次飞跃。
2024-05-09 11:00:30
1175 SK海力士公司近日在首尔举办的IEEE 2024国际存储研讨会上,由先进HBM技术团队负责人Kim Kwi-wook宣布了一项重要进展。SK海力士计划从2026年开始,提前一年量产其第七代高带宽存储器HBM4E。这一消息表明,SK海力士在HBM技术领域的研发速度正在加快。
2024-05-15 11:32:13
1484 近日,SK海力士与台积电宣布达成合作,计划量产下一代HBM(高带宽内存)。在这项合作中,台积电将主导基础芯片的前端工艺(FEOL)和后续布线工艺(BEOL),确保基础芯片的质量与性能。而SK海力士则负责晶圆测试和HBM的堆叠工作,确保产品的最终品质与可靠性。
2024-05-20 09:18:46
1055 SK海力士正引领半导体行业进入新时代,开发了一种融合计算与通信功能的下一代HBM(高带宽内存)。这一创新战略旨在巩固其在HBM市场中的领先地位,同时进一步拉大与后来者的差距。
2024-05-29 14:11:40
1164 瑞银集团最新报告指出,SK海力士的HBM4芯片预计从2026年起,每年将贡献6至15亿美元的营收。作为高带宽内存(HBM)市场的领军企业,SK海力士已在今年2月宣布其HBM产能已全部售罄,显示其产品的强劲需求。
2024-05-30 10:27:22
1511 SK海力士在半导体领域再次迈出创新步伐,计划在其第6代(1c工艺,约10nm)DRAM的生产中,首次采用Inpria的下一代金属氧化物光刻胶(MOR)。这一突破性的应用标志着MOR技术正式进入DRAM量产工艺。
2024-05-30 11:02:58
1506 近日,韩国上市PCB制造商TLB (KOSDAQ:356860)成功开发出CXL内存模块PCB,并已独家向三星电子和SK海力士提供了6款以上的首批样品。
2024-05-30 11:30:34
2156 在人工智能(AI)技术日新月异的今天,存储设备的性能对于端侧AI应用的重要性愈发凸显。为了满足这一需求,全球领先的半导体公司SK海力士近日宣布,成功开发出了一款专为端侧AI优化的高性能固态硬盘
2024-07-01 14:58:40
1222 在半导体技术的浩瀚星空中,三星电子与SK海力士正携手点亮一颗璀璨的新星——高带宽存储器(HBM)晶圆工艺技术的重大革新。据韩媒最新报道,这两家行业巨头已正式迈入下一代HBM的技术探索之旅,其核心在于引入一种旨在防止晶圆翘曲的新技术,这一变革预示着HBM制造领域的新篇章。
2024-07-12 09:29:56
1545 科技行业持续向AI时代迈进的浪潮中,英伟达、台积电与SK海力士三大巨头宣布了一项重大合作,旨在通过组建“三角联盟”共同推进下一代高带宽内存(HBM)技术的发展,特别是备受瞩目的HBM4内存。这一合作不仅标志着半导体行业的一次重要联手,也为未来数据处理和计算性能的提升奠定了坚实基础。
2024-07-15 17:28:05
1574 在半导体技术日新月异的今天,SK海力士再次站在了行业创新的前沿。据最新消息,该公司计划于2026年在其高性能内存(High Bandwidth Memory, HBM)的生产过程中引入混合键合技术,这一举措不仅标志着SK海力士在封装技术上的重大突破,也预示着全球半导体行业将迎来新一轮的技术革新。
2024-07-17 09:58:19
1366 在半导体存储技术的快速发展浪潮中,SK海力士,作为全球领先的内存芯片制造商,正积极探索前沿技术,以推动高带宽内存(HBM)的进一步演进。据最新业界消息,SK海力士正着手评估将无助焊剂键合工艺引入其下一代HBM4产品的生产中,这一举措标志着公司在追求更高性能、更小尺寸内存解决方案上的又一次大胆尝试。
2024-07-17 15:17:47
1889 在半导体技术日新月异的今天,SK海力士再次引领行业潮流,宣布将采用台积电先进的N5工艺版基础裸片来构建其新一代HBM4内存。这一举措不仅标志着SK海力士在高性能存储解决方案领域的持续深耕,也预示着HBM内存技术即将迈入一个全新的发展阶段。
2024-07-18 09:47:53
1329 全球知名的内存芯片制造商SK海力士于周五宣布了一项重大投资决策,计划斥资约9.4万亿韩元(折合美元约为68亿)在韩国龙仁市兴建其国内首座芯片制造基地。这一举措标志着SK海力士在强化其全球竞争力、特别是针对人工智能(AI)芯片市场布局上的重要一步。
2024-07-27 13:48:58
1410 全球领先的内存芯片制造商SK海力士宣布了一项重大投资决策,计划投资约9.4万亿韩元(折合美元约68亿)在韩国龙仁市兴建其国内首座专注于AI芯片生产的超级工厂。此项目标志着SK海力士在应对未来科技趋势、特别是人工智能领域快速增长需求方面迈出了坚实步伐。
2024-07-29 11:28:54
1088 据最新消息,SK海力士正酝酿一项重要财务战略,考虑推动其NAND与SSD业务子公司Solidigm在美国进行首次公开募股(IPO)。Solidigm作为SK海力士在2021年底通过收购英特尔相应业务后成立的独立美国子公司,承载着SK海力士在存储解决方案领域的重要布局。
2024-07-30 17:35:40
2332 SK海力士即将在8月6日至8日于美国圣克拉拉举办的全球半导体存储器峰会FMS 2024上大放异彩,向全球业界展示其在存储器技术领域的最新进展与对人工智能(AI)未来的深邃洞察。此次参展,SK海力士不仅将全面呈现其存储器产品的技术革新,更将焦点对准了下一代AI存储器技术的璀璨前景。
2024-08-05 09:26:39
1110 全球领先的半导体制造商SK 海力士近日宣布了一项重大突破,正式推出了全球性能巅峰的新一代显存产品——GDDR7。这款专为图形处理优化设计的显存,凭借其前所未有的高速与卓越性能,再次彰显了SK 海力士在技术创新领域的领先地位。
2024-08-07 11:20:35
1350 SK海力士宣布了一项重大技术突破,成功开发出全球首款采用第六代10纳米级(1c)工艺的16Gb DDR5 DRAM。这一里程碑式的成就标志着SK海力士在半导体存储技术领域的领先地位。
2024-08-29 16:39:15
1255 SK海力士宣布,公司已正式踏入人工智能芯片生产的新阶段,批量生产业界领先的12层HBM3E芯片。这款芯片不仅代表了SK海力士在内存技术上的重大突破,更以36GB的超大容量刷新了现有HBM产品的记录,为全球人工智能领域的发展注入了强劲动力。
2024-09-26 14:24:41
878 的eSSD也随之成为AI芯片不可或缺的核心部分,与HBM(高带宽内存)芯片并驾齐驱。在数据存储市场上,eSSD以其卓越的性能和能效比,正逐步取代传统的HDD硬盘。 Solidigm,作为SK海力士旗下的NAND闪存开发子公司,凭借其领先的技术实力,已开发出业界最高
2024-10-25 10:19:08
1110 韩国大型财团SK集团的董事长崔泰源在周一的采访中透露,英伟达的首席执行官黄仁勋已向SK集团旗下的存储芯片制造巨头SK海力士提出要求,希望其能提前六个月推出下一代高带宽存储产品HBM4。SK海力士此前
2024-11-04 16:17:00
1707 近日,韩国SK集团会长透露了一项重要信息,即英伟达公司的首席执行官黄仁勋已向SK海力士提出了一项特殊的要求。黄仁勋希望SK海力士能够提前六个月供应其下一代高带宽内存芯片,这款芯片被命名为HBM4
2024-11-05 10:52:48
1202 日,英伟达(NVIDIA)的主要高带宽存储器(HBM)供应商南韩SK集团会长崔泰源透露,英伟达执行长黄仁勋已要求SK海力士提前六个月交付用于英伟达下一代AI芯片平台Rubin的HBM4存储芯片。这一消息意味着英伟达下一代AI芯片平台的问世时间将提前半年。
2024-11-05 14:22:09
2108 和卓越的研发能力,已经提前开发出48GB 16层HBM3E产品。这一举措不仅展现了SK海力士的技术实力,更凸显了其对市场趋
2024-11-05 15:01:20
1231 限的产能转向更高端的产品线,如人工智能用存储器及先进DRAM产品。 SK海力士的这一决策可能与其重点发展高端存储技术研发和生产有关。近日,该公司对外展示了全球首款48GB 16层HBM3E产品,该产品在容量和层数上均达到了业界最高水平。这一成果不仅彰显了SK海力士
2024-11-07 11:37:18
1277 据外媒最新报道,韩国两大存储芯片巨头三星电子与SK海力士已正式结盟,共同致力于推动LPDDR6的存内计算(Processing In Memory,简称PIM)产品的标准化进程。此举旨在加速人工智能
2024-12-03 10:42:50
1350 韩国存储芯片巨头SK海力士于近日宣布,为巩固其在人工智能(AI)内存领域的领先地位,公司决定在年度组织调整中新增两个专门部门,专注于下一代AI芯片的开发与量产。 据悉,这两个新部门将由新任命的首席
2024-12-06 10:56:46
1145 坚实基础。 SK海力士的这一举措,无疑将在全球半导体市场中掀起波澜。16Hi HBM3E内存作为业界领先的技术产品,其量产将有望推动整个半导体存储行业的发展和进步。通过加速量产准备工作,SK海力士不仅展现了其在技术创新方面的实力,也彰显了其对于市场需求变化
2024-12-26 14:46:24
1050 SK海力士在巩固其面向AI的存储器领域领导地位方面,HBM1无疑发挥了决定性作用。无论是率先开发出全球首款最高性能的HBM,还是确立并保持其在面向AI的存储器市场的领先地位,这些成就的背后皆源于SK海力士秉持的“一个团队”协作精神(One Team Spirit)。
2025-06-18 15:31:02
1667 随着人工智能(AI)工作负载和高性能计算(HPC)应用对数据传输速度与低延迟的需求持续激增,Microchip Technology Inc.(微芯科技公司)宣布推出下一代Switchtec Gen 6 PCIe交换芯片。
2025-10-18 11:12:10
1317 AMD、微软和亚马逊等。 HBM(高带宽存储器),是由AMD和SK海力士发起的基于3D堆栈工艺的高性能DRAM,适用于高存储器带宽需求的应用场合。如今HBM已经发展出HBM2、HBM2e以及HBM3。HBM3E是HBM3的下一代产品,SK海力士目前是唯一能量产HBM3的厂商。 HBM 成为
2023-07-06 09:06:31
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