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电子发烧友网>存储技术>南亚科自研10nm DRAM DRAM产品可持续微缩至少三个时代

南亚科自研10nm DRAM DRAM产品可持续微缩至少三个时代

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2019-03-21 16:43:083840

星突破DRAM的扩展极限 成功研发10nm级DDR4内存

,动态随机存取存储器)。开始批量生产第二代10nm级(1y-nm)8Gb DDR4以来仅仅16月,星不再使用Extreme Ultra-Violet(EUV)处理的情况下开发1z-nm 8Gb DDR4,说明星突破了DRAM的扩展极限。
2019-03-21 17:30:542123

星电子将开发首款基于第10nm级工艺DRAM内存芯片,下半年量产

星电子宣布开发出业内首款基于第10nm级工艺的DRAM内存芯片,将服务于高端应用场景,这距离星量产1y nm 8Gb DDR4内存芯片仅过去16月。
2019-03-24 11:36:164320

星第10nm工艺DDR4内存下半年量产

关键词:DRAM , DDR4 星电子宣布开发出业内首款基于第10nm级工艺的DRAM内存芯片,将服务于高端应用场景,这距离星量产1y nm 8Gb DDR4内存芯片仅过去16月。量产时间
2019-03-29 07:52:01592

南亚表示下半年DRAM还是会比上半年好 并长期看好DRAM多元化应用

DRAM南亚昨日举行股东会,总经理李培瑛会后受访表示,第2季DRAM市况已看到会比第1季好,第3季又会比第2季稍好,合约价跌幅会比现货价小;整体而言,随着旺季到来,下半年DRAM还是会比上半年好。
2019-05-31 16:58:212780

星首次开发出第10nmDRAM高级存储器

星电子有限公司(Samsung Electronics)在其官网上发布消息,该公司正式宣布,首次开发了第10nm 制程工艺(1z-nm)8GB 超高性能和高功效的 DRAM(Dynamic Random Access Memory,动态随机存取存储器)。
2019-09-27 17:23:291500

南亚李培瑛宣布已完成自主研发10纳米级DRAM技术 预计2020下半年陆续进入产品试产

南亚总经理李培瑛近日宣布,已完成自主研发10纳米级DRAM技术。
2020-01-13 15:16:102666

出货100万 星业界首款EUV DRAM推出

星电子(Samsung Electronics)今天宣布,已经出货100万业界首款10nm EUV级(D1x)DDR4 DRAM模组。新的基于EUV的DRAM模块已经完成了全球客户评估,并将为在高端PC、移动终端、企业级服务器等等应用领域开启新大门。
2020-03-25 16:53:572848

星将EUV技术应用于新型DRAM产品中,并实现量产

韩国星电子于25日宣布,已经成功出货100 万极紫外光刻技术(EUV)生产的业界首款10nm级DDR4 DRAM 模组,将为高端PC、移动设备、企业服务器和数据中心应用等提供更先进EUV制程技术产品,开启新里程碑。
2020-03-29 14:39:282880

预计2021年整体DRAM价格可望逐步向上

美国记忆体大厂美光(Micron Technology Inc.)股价大涨4.53%再攀新高,第一季开始,DRAM合约价预期将开始止跌回升,南亚(2408)可望受惠,今股价续攻上90元。 美光
2021-01-06 17:43:452693

美光量产并出货1αnm DRAM内存芯片 功耗降低15%

的工艺节点都不使用明确的数字,而是1x、1y、1z、1α等等,越往后越先进,或者说1xnm比较接近20nm,1αnm则更接近10nm。 美光的1αnm DRAM工艺适用于各种不同的内存芯片,尤其适用于最新旗舰手机标配的LPDDR5,相比于1z工艺可以将容量密度增加多达40%,同时还能让功耗降低15%
2021-01-27 17:28:332298

英特尔三个工厂正在全速生产 10nm 芯片

根据外媒 TechPowerUp 的消息,为了应对巨大的客户需求,英特尔在过去几年里将其 14 纳米和 10 纳米的生产能力增加了一倍。英特尔产品现正逐渐转向 10nm,目前全球共有三个工厂正在全速
2020-12-24 14:58:132323

SK海力士已开始安装EUV光刻机,以量产10nm 1a DRAM

据etnews报道,SK海力士已开始在其位于韩国利川的M16工厂安装EUV光刻机,以量产10nm 1a DRAM。 此前SK海力士宣布将在今年年内在M16厂建设产线以生产下一代DRAM,不过并未透露
2021-01-20 18:19:202943

美光全球首创1αnm DRAM内存芯片

美光今天宣布,已经开始批量出货基于1αnm工艺的DRAM内存芯片,这也是迄今为止最先进的DRAM工艺,明显提升容量密度、性能并降低功耗。
2021-01-27 16:16:513896

星将中断12nm DRAM芯片开发,直接跨入11nm

厂商都专心研究28nm DRAM芯片时,星同样跨过了28nm,直接开始研发25nm工艺,最终取得了成功。 这次星同样想靠弯道超车来与其他厂商拉开差距,占据行业领先地位。星计划在6月完成11nm DRAM芯片的开发工作。 综合整理 比特网 萬仟网 中文科技资讯 审核编辑
2022-04-18 18:21:582244

南亚预估2022年Q4 DRAM市场

%。其中生产设备资本支出降幅约四成。   展望2022第四季度DRAM市场供需,南亚表示,全球性总体经济面临衰退,受高通膨、升息、俄乌战争、封控等负面因素电子产品市场需求疲弱,部分终端客户库存逐步去化。   供应商库存增加,部分供应商调降资本支出,整体市
2022-10-19 14:16:082408

DRAM的范式转变历程

DRAM制造技术进入10nm世代(不到20nm世代)已经过去五年了。过去五年,DRAM技术和产品格局发生了巨大变化。因此,本文总结和更新了DRAM产品、发展和技术趋势。
2023-11-25 14:30:152892

星与美光拟提DRAM价格,以求盈利回暖

部分存储模组厂已接到星通知,要求明年年初至少DRAM价格上调15%以上,且该通知并未涉及NAND闪存定价,故预计后者将会持续上涨。DRAM价格在去年年底上涨2%-3%,不及3D TLC NAND约10%;
2024-01-03 10:46:211562

DRAM价格上涨因存储巨头减产,供需紧张料持续至年底

据报道,近期星宣布明年第一季度起,DRAM价格将上涨至少15%;尽管NAND闪存涨价迹象尚不明显,但预测同样存在跟进上涨的可能。据IT之家引用集邦观点预计,DRAM价格涨势将持续至2024年末。
2024-01-03 14:31:031462

星电子:2025年步入3D DRAM时代

据分析师预测,DRAM行业将于2030年前缩减工艺至10nm以下,然而当前的设计已无法在此基础上进行延伸,故而业内开始寻求如3D DRAM等新型存储器解决方案。
2024-04-03 15:48:251077

SK海力士引入创新MOR技术于DRAM生产

SK海力士在半导体领域再次迈出创新步伐,计划在其第6代(1c工艺,约10nmDRAM的生产中,首次采用Inpria的下一代金属氧化物光刻胶(MOR)。这一突破性的应用标志着MOR技术正式进入DRAM量产工艺。
2024-05-30 11:02:581506

北京君正预计年底推出21nm DRAM产品

和20nm的研发工作。预计21nmDRAM产品将于今年年底推出,而20nm产品则有望在明年中前后上市。此外,公司还表示将持续进行更新工艺的产品研发,以保持技术领先。
2024-11-12 14:27:051737

南亚科技与补丁科技携手开发定制超高带宽内存

Memory)的开发。 此次合作将充分融合南亚科技在10nmDRAM技术领域的深厚积累,以及补丁科技在定制内存产品设计方面的卓越能力。双方将强强联手,共同打造出针对AI与边缘应用需求的高附加值、高性能、低功耗的定制超高带宽内存解决方案。 这一战略合作的达成,标志着南亚科技与补丁科技在内存技
2024-12-20 14:28:171003

星重启1b nm DRAM设计,应对良率与性能挑战

近日,据韩媒最新报道,星电子在面对其12nmDRAM内存产品的良率和性能双重困境时,已于2024年底作出了重要决策。为了改善现状,星决定在优化现有1b nm工艺的基础上,全面重新设计新版1b
2025-01-22 14:04:071411

星否认重新设计1b DRAM

据DigiTimes报道,星电子对重新设计其第五代10nmDRAM(1b DRAM)的报道予以否认。 此前,ETNews曾有报道称,星电子内部为解决12nmDRAM内存产品面临的良率和性能
2025-01-23 10:04:151361

星电子否认1b DRAM重新设计报道

据报道,星电子已正式否认了有关其将重新设计第五代10nmDRAM(即1b DRAM)的传闻。这一否认引发了业界对星电子内存产品策略的新一轮关注。 此前有报道指出,星电子为应对其12nm
2025-01-23 15:05:11923

DRAM价格下滑趋势预计持续至第季度

据市场研究机构Omdia于2月7日发布的最新数据,DRAM市场价格正面临持续的下滑趋势,这一趋势预计至少持续到今年第季度。导致这一状况的主要原因是IT产品需求疲软以及中国公司供应量的增加。
2025-02-10 17:30:40968

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