DRAM供不应求，2018市场将是大好年！

受惠于人工智慧及云端运算对高效能运算的强劲需求，2018年伺服器出货量可望创下新高，也带动伺服器DRAM强劲需求，但以目前三大DRAM厂产能布建情况来看，主流的伺服器DDR4明年将缺货一整年，32GB DDR4模组价格可望涨逾300美元，南亚科直接受惠，明年上半年20奈米DDR4产能已全卖光。

DRAM价格今年涨了一整年，但2018年看来仍是DRAM市场大好年。在供给端来看，包括三星、SK海力士、美光等三大DRAM厂明年的投资仍集中在1x/1y奈米的制程微缩，旧有厂内挤出空间新增的产能，只是用来填补制程升级后的产能自然减损。

内存明年市况恐将不同调，DRAM市场仍将持续吃紧，NAND Flash市场则将于明年上半年转为供过于求。

DRAM 与 NAND Flash 市场今年都处于状态，产品价格同步高涨，只是业界普遍预期，明年 DRAM 与 NAND Flash 市况恐将不同调。

内存模块厂创见指出，DRAM 市场供货持续吃紧，价格未见松动迹象。 NAND Flash 方面，随着 3D NAND Flash 技术日益成熟，生产良率改善，可望填补供货缺口。

美光预期，明年 DRAM 位供给将增加约 20%，市场环境仍将持续健康；NAND Flash 位供给则将增加近 50%，供给增加幅度将远高于 DRAM。

由于缺货压力持续存在，2017年全球DRAM销售金额逐季攀升，且近4季每季的DRAM销售金额均刷新历史纪录。 据IC Insights估计，2017年第四季全球DRAM销售金额将达到210.61亿美元。

IC Insights分析，DRAM的供需缺口是全面性的，特别是服务器使用的高效能DRAM与智能型手机等行动装置所使用的低功耗、高密度DRAM，缺货情况相当明显。

以全年度来看，2017年全球DRAM市场规模比2016年暴增74%，表现同样可圈可点。 但IC Insights也警告，DRAM向来是个景气暴起暴落的产业。 2018年三星（Samsung）与SK海力士（SK Hynix）都会有新的DRAM产能上线，且两家公司都将有大手笔的资本支出。 因此，DRAM景气的反转向下，可能会在明后年出现。

但由需求面来看，虽然PC市场出货量近几年缓步下滑，但智慧型手机出货量仍年年创下新高，而且三星明年推出的Galaxy S9将搭载6GB LPDDR4，将带动智慧型手机行动式DRAM需求大幅成长。再者，人工智慧及云端运算带动伺服器出货，亦导致伺服器DRAM持续吃紧，明年恐缺货一整年，价格则将维持逐季上涨趋势。

集邦科技表示，平均一座资料中心可容纳约8000至15000个伺服器机架，而每个机架可搭载4台以上不同尺寸的伺服器，据估算将会消耗约1000～2000万GB的伺服器DRAM，约折合31～62万条32GB模组。

集邦表示，驱动伺服器DRAM需求动能的要素，除了英特尔与超微新伺服器平台转换推波助澜外，还有来自北美网路服务业者如Google、Amazon Web Service、Facebook、Microsoft Azure在新资料中心建案上的需求。伺服器DRAM明年的成长率持续居于各种DRAM规格之首且上看28.6％。

由于记忆体供给吃紧态势尚未改变，2017年整体伺服器DRAM合约价将上扬近4成，明年第一季伺服器DRAM合约价将再涨5～8％。在主流模组报价方面，一线厂32GB DDR4伺服器模组将来至300美元大关，二线厂更会高于此价格水位，使得明年第一季度价格将会维持在相对高点。

伺服器DRAM缺货且价格看涨，南亚科第四季採用20奈米投产8Gb DDR4并陆续获得客认证，明年将重返伺服器DRAM市场，除供货给戴尔、惠与（HPE）、联想、浪潮等伺服器大厂，也获广达、纬创等ODM厂下单，明年上半年伺服器DDR4产能已全数卖光。