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DRAM需求看涨 南亚科投资3000亿台币建立10nm制程的12 吋晶圆厂

章鹰观察 来源:电子发烧友整理 作者:章鹰 2021-04-20 14:14 次阅读
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4月20日,DRAM大厂南亚科宣布,将在新北市泰山南林科技园区兴建一座双层无尘室的 12 吋先进晶圆厂,采用自主研发的 10nm制程技术,规划建置 EUV 极紫外光微影生产技术,月产能约 4.5 万片,计划今年底动工、2024 年开始第一阶段 1.5 万片量产,总投资额达新台币 3000 亿元。


进入2021年,全球存储芯片出现了涨价、缺货的情况。根据TrendForce集邦咨询研究显示,目前正值DRAM原厂与各大PC OEMs议定2021年第二季合约价的关键时期。虽然合约价议定尚未完成,但根据现在已经拟定的交易当中,以主流模组DDR4 1G*8 2666Mbps均价来看,其季涨幅已接近25%。此外,TrendForce集邦咨询研究表明,Server DRAM价格涨幅也同步扩大,加上原先已预期第二季Specialty DRAM DDR3、DDR4、mobile DRAM与graphics DRAM价格都将高涨,预估第二季整体DRAM均价涨幅将自原先的13~18%;上调至18~23%,而实际涨幅依照DRAM原厂产品比重不同也有差异。

美光执行副总裁兼首席商务官Sumit Sadana 先生对电子发烧友记者表示:”展望2021年,我们看到全球GDP增长约5%,而根据不同分析师的预测,半导体产业预计增长可达12%,整个产业的金额将达5020亿美元。整个半导体产业预计增长可达12%,而在半导体产业当中的内存与存储技术这一领域,预计增长可达19%,在内存与存储技术领域,DRAM产值相比之下又会比NAND增长的更快。”业界大佬一致看好5G基础设施、手机、数据中心和智能汽车带来的DRAM在未来3-5年的持续增长。

南亚科董事长吴嘉昭表示,拟定新建的先进晶圆厂将以 7 年分三阶段投资,计划 2021 年底动工,2023 年底完工开始试产,并于 2024 年开始第一阶段量产,产出颗粒数将较现有产能增加;新厂预计可提供 2000 个工作机会,创造上中下游千亿元以上产值,并间接创造产业链数千个就业机会。

吴嘉昭强调,此次投资兴建的新厂,是台湾首个自主研发 10纳米的生产工厂,南亚科过去历经产业不景气、同业整并等艰困挑战,目前为 DRAM 市场关键供货商,现在并全力发展 LPDD5,盼透过先进制程研发能力,为台湾 DRAM 产业能更健康稳固。

南亚科总经理李培瑛表示,近年来更积极导入人工智能技术,加速 10 纳米级技术及产品的自主创新研发,2020 年成功开发出 10 纳米 DRAM技术,并规划今年导入量产,未来可生产 DDR5、LPDDR5 及 16Gb 高容量等 DRAM 产品,以因应未来 5G 与智慧世代发展。

本文资料来自台湾矩亨网和全球半导体观察,本文编辑整理分享。

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