三星电子：2025年步入3D DRAM时代

三星电子近期于领先半导体行业会议 Memcon 2024上透露，公司将从2025年起步入3D DRAM阶段。

据分析师预测，DRAM行业将于2030年前缩减工艺至10nm以下，然而当前的设计已无法在此基础上进行延伸，故而业内开始寻求如3D DRAM等新型存储器解决方案。

相关报告揭示，三星已展示出两款颇具前景的3D DRAM技术——垂直通道晶体管及堆叠DRAM。前者通过改变信道方向，大幅缩小元件体积；后者则通过高密度阵列设计，在有限空间内提高存储容量（单芯片高达100G）。

为保持竞争力，三星于今年初在美国硅谷建立了新的3D DRAM研发中心，以深化其在该领域的优势地位。

有研究机构大胆预估，3D DRAM市场于2028年有望达到千亿美元规模。