16日，三星电子宣布在基于EUV的高级节点方面取得了重大进展，包括7nm批量生产和6nm客户流片，以及成功完成5nm FinFET工艺的开发。 三星电子宣布其5纳米（nm）FinFET工艺技术的开发
2019-04-18 15:48:47
7184 韩国《中央日报》发布消息称，三星电子已成功研发出5纳米(nm)半导体工艺，并于4月中正式量产首个利用极紫外光刻(EUV)的7纳米芯片。对于新一代半导体的精密工艺问题，三星电子与各企业间的技术较量也
2019-05-22 10:25:425349 三星14nm同样引入了FinFET晶体管技术，而且又类似GlobalFoundries、联电，三星也使用了14+20nm混合工艺，大致来说就是晶体管是14nm的，其它各部分则都是20nm的。
2013-02-08 15:13:141962 在国际电子电路研讨会大会（ISSCC）上，三星展示了采用10纳米FinFET工艺技术制造的300mm晶圆，这表明三星10纳米FinFET工艺技术最终基本定型。
2015-05-28 10:25:272067 TSMC在FinFET工艺量产上落后于Intel、三星，不过他们在10nm及之后的工艺上很自信，2020年就会量产5nm工艺，还会用上EUV光刻工艺。
2016-07-18 10:47:091380 中芯长电半导体有限公司28日在江阴宣布正式开始为美国高通公司提供14纳米硅片凸块量产加工。这标志着中芯长电成为中国大陆第一家进入14纳米先进工艺技术节点产业链并实现量产的半导体公司。
2016-08-02 13:45:431276 据外媒报道，三星电子被指侵犯了与鳍式场效应晶体管（FinFET）制程工艺相关的专利，面临诉讼。韩媒称，韩国科学技术院（KAIST）计划对三星提起诉讼，指控后者侵犯其FinFET专利。KAIST称，他们开发了10纳米FinFET工艺，但是三星窃取了这项技术，并将其用于生产高通骁龙835芯片。
2016-12-05 15:35:27955 三星电子野心勃勃，全力抢攻晶圆代工业务，该公司宣布第二、三代10纳米制程量产时间，并表示未来将增加8 纳米和6纳米制程，呛声台积电意味浓厚。
2017-03-17 09:21:081139 三星上周四宣布，第二代10纳米FinFET制程已经开发完成，未来争取10纳米产品代工订单将如虎添翼。下面就随半导体小编一起来了解一下相关内容吧。
2017-04-27 10:04:491826 制程进度，共同执行长赵海军表示，先进制程14纳米FinFET将于2019年量产，第二代28纳米HKMG制程也会于2018年底问世，外界都睁大眼睛等着检视成绩单。 中芯国际15日的线上法说中，仍是由赵海军主持会议，梁孟松仅简短发言，代表加入新团队后的首次现“声”，也满
2017-11-27 16:29:531679 三星官方宣布，已经开始进行7nm LPP(Low Power Plus)工艺芯片的量产工作。据悉，三星的7nm LPP采用EUV光刻，机器采购自荷兰ASML(阿斯麦)，型号为双工件台NXE:3400B(光源功率280W)，日产能1500片。
2018-10-18 09:48:281528 Storage（OCS）”,容量也比原来格子状排列时增大1.57倍。OSC是三星已在此前工艺中导入的技术。Air Spacer技术是最近经常采用的通过在电极及布线周围设置空隙来减小寄生电容的技术。三星表示通过该技术，与原来布线绝缘采用Si3N4时相比，可使Cb减小34％。
2015-12-14 13:45:01
三星宣布将开发手持式装置用的ＲＦＩＤ（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）读取芯片，能让使用者透过手机得知产品和服务信息，但三星并未透露产品何时上市。 三星指出，ＲＦＩＤ
2019-07-04 07:26:16
芯片，并将于今年12月份实现量产。根据市场调研机构TSR的调查报告显示，三星电子的最新图像增强技术不仅适用于高分辨率照相手机，还可以满足当前新兴工业应用对于高性价比图像捕捉解决方案的需求。
2021-04-22 07:35:50
`听说三星已搞定石墨烯电池，能量密度提升45%，充电快5倍比起OPPO的快充，你怎么看？（其实不得不服三星的技术）顺便发个三星S9大合照！`
2017-11-29 16:33:10
根据三星技术部门确认并宣布，三星将会把所有的Windows Phone 7.5机型的系统版本推送至7.8，原文如下：“We can confirm that our products
2012-12-23 11:03:51
技术开发成功，同时透露会朝第二代的 FinFET 技术开发。若***一举朝 7 纳米前进，将会成为全球第四家 7 纳米技术供应商，与英特尔、台积电、三星分庭抗礼。同时，华为海思的麒麟980也抢先发布，首款
2018-09-05 14:38:53
内建封装（PoP）技术。 台积电明年靠着16纳米FinFET Plus及InFO WLP等两大武器，不仅可以有效对抗三星及GlobalFoundries的14纳米FinFET制程联军，还可回防全球最大
2014-05-07 15:30:16
日公布，5纳米工艺技术制造8、三星 Exynos 2100：2020年12月12日公布，5纳米工艺技术制造9、苹果 A13 Bionic：2019年9月10日公布，7纳米工艺技术制造10、高通 骁龙 865 Plus：2020年7月8日公布，7纳米工艺技术制造
2021-12-25 08:00:00
量产中利用意法半导体的FD-SOI技术。也是在这一年，三星成功生产了8Mb eMRAM，并利用28nmFDS，在2019年成功量产首款商用eMRAM。 据三星介绍，利用其28nmFDS工艺技术制作
2023-03-21 15:03:00
的小珠子，使其最后形成一个10X5比例的长方形。从这个实验不难看出，要达成这个目标非常不容易，由此可以了解到，各大厂面临的困境有多么艰难。三星和台积电都在完成14 纳米、16 纳米 FinFET 的量产
2016-06-29 14:49:15
的长方形。从这个实验不难看出，要达成这个目标非常不容易，由此可以了解到，各大厂面临的困境有多么艰难。三星和台积电都在完成14 纳米、16 纳米 FinFET 的量产，并以此为资本争夺下一代iPhone
2016-12-16 18:20:11
和14nm芯片。当时台积电和三星各占40%、60%左右的订单。台积电独得订单，恐怕与去年的“芯片门事件”有关。去年刚上市的iPhone6s采用A9芯片，就是由台积电（16nm制程工艺）和三星（14
2016-07-21 17:07:54
中芯国际将45纳米工艺技术延伸至40纳米以及55纳米
上海2009年10月14日电 -- 中芯国际集成电路制造有限公司（“中芯国际”，纽约
2009-10-15 08:22:441035 该14纳米产品体系与芯片是ARM、Cadence与IBM之间在14纳米及以上高级工艺节点上开发系统级芯片（SoC）多年努力的重要里程碑。使用FinFET技术以14纳米标准设计的SoC能够大幅降低功耗。 这
2012-11-16 14:35:551642 三星将于2013年采用20纳米技术，同时开始建造生产14纳米晶体管的工厂。台积电也会在2013年下半年开始采用20纳米技术生产晶体管。
2012-12-06 13:53:02913 根据DigiTimes报道，三星将于2013年采用20纳米技术，同时开始建造生产14纳米晶体管的工厂。台积电也会在2013年下半年开始采用20纳米技术生产晶体管。 当前主流的智能手机芯片主要由高
2012-12-07 16:54:321466 GlobalFoundries、Intel都在纷纷宣传各自的14nm新工艺，三星电子今天也宣布，已经在14nm FinFET工艺开发之路上取得又一个里程碑式的突破，与其设计、IP合作伙伴成功流片了多个开发载具。
2012-12-24 09:28:241508 新思科技公司日前宣布：该公司与三星在FinFET技术上的多年合作已经实现了一个关键性的里程碑，即采用三星的14LPE工艺成功实现了首款测试芯片的流片
2013-01-09 12:11:311469 东芝公司（Toshiba Corporation）日前宣布，该公司已经开发出第二代19纳米工艺技术，该技术将于本月晚些时候用于量产每单元2比特的64吉比特NAND存储芯片。
2013-05-23 10:34:251518 日前，联华电子与SuVolta公司宣布联合开发28纳米工艺技术，该工艺将SuVolta的SuVolta的Deeply Depleted Channel晶体管技术集成到联华电子的28纳米High-K/Metal Gate高效能移动工艺。
2013-07-25 10:10:521458 骁龙 820 此前已经传闻将会由三星代工生产，今天三星官方正式确认了这个消息，并且表示大规模生产使用的是三星最新的第二代 14nm FinFET 工艺。
2016-01-15 17:24:241377 俄勒冈州威尔逊维尔，2016 年 3 月 11 日—Mentor Graphics公司（纳斯达克代码：MENT）今日宣布，与三星电子合作，为三星代工厂的10 纳米 FinFET 工艺提供各种
2016-03-11 14:39:211627 三星电子的芯片部门风光不再，从金鸡母沦落至赔钱货，该部门1日宣称第三代14纳米FinFET制程的研发工作即将完成，似乎意图向台积电抢单，扭转颓势。
2016-05-04 09:53:32916 近日，三星电子宣布已经开始采用10nm FinFET工艺量产逻辑芯片，三星也成为了业内首家大规模采用10纳米工艺的厂商。前段时间，韩国《电子时报》报道，高通的下一代旗舰处理器高通骁龙830（或835
2016-10-18 14:06:101450 据外媒报道，三星电子被指侵犯了与鳍式场效应晶体管（FinFET）制程工艺相关的专利，面临诉讼。韩媒称，韩国科学技术院（KAIST）计划对三星提起诉讼，指控后者侵犯其FinFET专利。
2016-12-05 20:08:05788 因此连带调整新一代5纳米制程领军舵手；至于三星为高通（Qualcomm）操刀的10纳米制程亦因为良率问题，迫使部分芯片转回14纳米制程生产，业者认为10纳米制程恐成为历年来导入量产最不顺利的半导体世代。不过，相关消息仍待台积电、三星证实。
2016-12-22 10:17:15947 三星今天宣布，继去年10月率先量产10nm工艺移动芯片后，日前已经完成了第二代10nm的质量验证工作，即将量产。
2017-04-22 01:08:12883 三星上周四宣布，第二代10纳米FinFET制程已经开发完成，未来争取10纳米产品代工订单将如虎添翼。 三星第一代10纳米制程于去年10月领先同业导入量产，目前的三星Exynos 9与高通骁龙835处理器均是以第一代10纳米制程生产。
2017-04-25 01:08:11746 三星10纳米工艺技术公告：全球领先的三星电子先进的半导体元器件技术正式宣布，其第二代10纳米(nm)FinFET工艺技术，10LPP(Low Power Plus)已经合格并准备就绪用于批量生产。
2017-05-03 01:00:11815 2017年6月2日，上海——楷登电子（美国 Cadence 公司，NASDAQ： CDNS） 今日宣布其数字、签核与定制／模拟工具成功在三星电子公司7LPP和8LPP工艺技术上实现。较前代高阶工艺
2017-06-02 16:04:341668 Technology （12FFC） 和最新版本 7nm FinFET Plus 工艺的认证。Nitro-SoCTM 布局和布线系统也通过了认证，可以支持 TSMC 的 12FFC 工艺技术。
2017-10-11 11:13:423455 据韩联社北京时间12月20日报道，三星电子今天宣布，已开始量产第二代10纳米级制程工艺DRAM内存芯片。
2017-12-29 11:15:417019 三星电子准备调整铸造技术蓝图，2019年下半年开始量产6纳米芯片。按照原来的计划，三星本打算在2019年试产6纳米芯片。在7纳米技术上，三星落后于台积电，现在它想在6纳米技术上加速前进。
2018-03-14 16:41:425956 关键词。 而作为芯片制造的一大头，三星此前也已经宣布了其7nm LPP工艺将会在2018年下半年投入生产，此外，在昨天的Samsung Foundry Forum论坛上，三星更是直接宣布了5/4/3nm工艺技术。
2018-05-25 11:09:004079 根据美国德克萨斯州联邦法院的裁决，三星电子侵犯了一家韩国大学关于双栅极FinFET半导体工艺的技术专利，必须赔偿4亿美元。
2018-06-22 16:28:344459 虽然2018年包括台积电、三星、格罗方德都要导入7纳米制程技术。其中，三星为了追赶台积电，还在首代的7纳米（LPP）制程中导入EUV技术。不过，台积电也非省油的灯，除了积极布局7纳米制程技术之外
2018-07-06 15:01:004225 
中芯国际最新的14纳米FinFET制程已接近研发完成阶段，其试产的良率已经可以达到95%的水准，距离2019年正式量产的目标似乎已经不远
2018-07-06 15:23:524048 ANSYS宣布其ANSYS RedHawk和ANSYSR Totem获联华电子（UMC）的先进14纳米FinFET制程技术认证。ANSYS和联电透过认证和完整套装半导体设计解决方案，支援共同客户满足下一代行动和高效能运算（HPC）应用不断成长的需求。
2018-07-17 16:46:004095 与上一代14纳米FinFET工艺相比，三星10纳米工艺在减少30%芯片尺寸基础上，实现性能提升27%或高达40%功耗降低。让OEM厂商能够在即将发布的产品中获得更多可用空间，以支持更大的电池或更轻薄的设计。
2018-07-22 11:13:495153 电子有限公司延续双方十年之久的战略性晶圆代工合作，将采用三星10纳米FinFET制程工艺打造Qualcomm Technologies最新款顶级处理器——Qualcomm®骁龙™835处理器。
2019-03-15 16:58:481175 在Samsung Tech Day上，三星宣布7LPP工艺进入量产，并表示基于EUV光刻技术的7LPP工艺对比现有的10nm FinFET工艺，可以提高20%性能、降低50%功耗、提升40%面积能效。
2018-10-22 10:05:404449 2018-11-12 13:24 | 查看: 21 | 评论: 0 | 来自: 半导体产业网 摘要 : 10纳米级DRAM先进制程竞争逐渐升温，三星电子在2017年率先宣布量产第二代10纳米(1y
2018-11-12 18:04:02533 三星电子今天宣布，开始量产业界首款、采用第二代10nm工艺（1y-nm）级别的DRAM芯片。
2018-12-11 09:40:551196 为了减低近期存储器降价带来的冲击，全球存储器龙头三星逐渐强化晶圆代工业务，希望有机会进一步拉近与台积电的差距。在先进制程的发展方面，根据三星高层表示，将在 2019 下半年量产内含 EUV技术的 7 纳米制程，而 2021 年量产更先进的 3 纳米 GAA 制程。
2019-01-14 14:47:443904 3月21日，三星电子宣布开发出业内首款基于第三代10nm级工艺的DRAM内存芯片，将服务于高端应用场景，这距离三星量产1y nm 8Gb DDR4内存芯片仅过去16个月。
2019-03-21 16:43:083840 三星电子宣布开发出业内首款基于第三代10nm级工艺的DRAM内存芯片，将服务于高端应用场景，这距离三星量产1y nm 8Gb DDR4内存芯片仅过去16个月。
2019-03-24 11:36:164320 关键词：DRAM , DDR4 三星电子宣布开发出业内首款基于第三代10nm级工艺的DRAM内存芯片，将服务于高端应用场景，这距离三星量产1y nm 8Gb DDR4内存芯片仅过去16个月。量产时间
2019-03-29 07:52:01588 在当前全球晶圆制造的先进制程领域中，只剩下台积电、三星以及英特尔可以一较高下。三星虽然早在 2018 年 10 月份就已经宣布量产 7 纳米 EUV 制程，但实际情况并非如此。因为就连三星自己
2019-04-03 17:21:043414 包括7nm批量生产和6nm产品的流片, 三星电子在基于EUV技术的先进制程工艺开发上取得重大进展 4月16日,三星电子宣布，其5nm FinFET( 鳍式场效应晶体管)工艺技术已经开发完成，该技术可
2019-04-18 20:48:54636 4月16日，三星官网发布新闻稿，宣布已经完成5纳米FinFET工艺技术开发，现已准备好向客户提供样品。
2019-04-16 17:27:233799 在上周的美国SFF晶圆代工论坛上，三星发布了新一代的逻辑工艺路线图，2021年就要量产3nm工艺了，而且首发使用新一代GAA晶体管工艺，领先对手台积电1年时间，领先Intel公司至少2-3年时间。
2019-05-20 16:43:4512335 近年来，在激烈的市场竞争环境下，三星将其业务重点转向了逻辑工艺代工。在近日的SFF（SamsungFoundry Forum）美国分会上，三星宣布了四种FinFET工艺，涵盖了7nm到4nm。同时
2019-05-30 15:53:464391 新思科技近日宣布，三星(Samsung Electronics)认证了新思科技Fusion Design Platform™，用于三星采用EUV光刻技术的5纳米Low-Power Early(早期
2019-06-12 13:48:354326 三星基于新思科技Yield Explorer加速7纳米技术节点的新品量产
2019-08-13 14:31:373552 今日据外媒报道，百度和三星宣布，百度首款AI芯片昆仑已经完成研发，将由三星代工生产。该芯片使用的是三星14nm工艺技术，封装解决方案采用的是I－Cube TM。明年年初，昆仑芯片将实现量产。
2019-12-18 10:55:202152 这是三星电子和百度的首次半导体代工合作。百度昆仑AI芯片结合百度自主研发的神经处理器架构XPU和三星14纳米制造工艺，采用I-Cube封装解决方案，可广泛用于云计算和边缘计算。
2019-12-19 14:11:233625 三星电子副会长李在镕近日参观正在开发“全球第一个3纳米级半导体工艺”的韩国京畿道华城半导体工厂，并听取了关于3纳米工艺技术的报告，他还与三星电子半导体部门社长团讨论了新一代半导体战略。
2020-01-06 10:42:585045 三星于去年4月向全球客户提供7纳米产品，自开始大规模生产7纳米产品以来，三星仅在八个月内就推出了6纳米产品。三星的微加工工艺技术升级周期正在缩短，特别是向6纳米EUV工艺的过渡有望缩小与全球第一大晶圆代工厂台积电（TSMC）的差距。
2020-01-06 11:40:033622 三星电子今天宣布已经开始大规模生产业内第一个16GB 的 LPDDR5移动 DRAM 封装，基于三星第二代10nm级工艺技术，可提供业界最高的性能和最大的容量，用于下一代高端智能手机。继2019年7
2020-02-25 13:48:202465 据国外媒体报道，在5nm工艺即将大规模量产的情况下，3nm工艺就成了台积电和三星这两大芯片代工商关注的焦点，三星电子旗下的三星晶圆代工，此前设定的目标是在2021年大规模量产3nm工艺。
2020-04-07 17:43:512632 日前，三星电子宣布，由三星为业内最先进工艺节点专门研发的硅验证3D IC封装技术，eXtended－Cube，简称为X－cube，已经可以投入使用。
2020-08-14 17:24:393057 2022 年量产 3 纳米芯片。该高管透露，三星电子已在与主要合作方开发初步设计工具。 三星电子向其下一代芯片业务投入 1160 亿美元，其中包括为外部客户制造芯片。 三星电子领导人李在镕此前曾透露，该公司计划采用正在开发的最新 3 纳米全栅极 （gate-all-around，简称 GAA）工艺技术来
2020-11-19 11:39:071911 但三星追赶台积电的关键是在下一代的3nm上，因为这一代工艺上三星押注了GAA环绕栅极晶体管，是全球第一家导入GAA工艺以取代FinFET工艺的，而台积电比较保守，3nm还是用FinFET，2nm上才会使用GAA工艺。
2020-11-19 11:36:301777 据彭博社报道，三星全力发展晶圆代工业务，规划投入1160亿美元（约合人民币7608亿元），目标实现3纳米制程2022年量产，与台积电同步，是两强近年先进制程竞逐赛中，最接近的一次。业界认为，若三星
2020-11-26 14:44:262550 据 Digitimes 报道，业内人士透露，台积电 FinFET 和三星 GAA 在 3nm 制程技术的开发过程中都遇到了不同但关键的瓶颈。报道称，台积电和三星因此将不得不推迟 3nm 制程工艺
2021-01-04 16:20:103024 目前从全球范围来说，也就只有台积电和三星这两家能做到5纳米工艺以下了。6月29日晚间，据外媒报道，三星宣布其基于栅极环绕型 （Gate-all-around，GAA） 晶体管架构的3nm工艺技术已经
2021-07-02 11:21:543387 （FinFET）的进阶，4D（GAA）技术被认为是“下一代”的晶体管技术。根据三星的数据，相较三星5纳米（nm）而言，优化的3纳米（nm）工艺，性能提高23%，功耗降低45%，芯片面积减少16%。 另外，每一个新工艺新制程的成本和良品率，都是影响新工艺新制程是否能够大范围普及的重
2022-06-30 20:21:522069 随着台积电曝光2nm制程的进展后，三星紧追其后也宣布了关于2nm制程的最新消息，三星2nm的量产时间也定在了2025年，跟台积电的差不多。这次2nm制程是三星这些年来首次追上了台积电，比以往快了不少。
2022-07-01 09:59:085174 根据外媒的消息报道称，三星电子公司近日正式宣布已开始量产3纳米芯片，三星电子正押注于将 GAA 技术应用于3 纳米工艺，并且计划于2025年量产基于GAA的2nm芯片，以追赶台积电。
2022-07-04 09:34:041906 三星最新的生产工艺技术是他们的4nm节点。该节点去年年底提高了产量。这是他们最后一个基于FinFET的前沿工艺技术，尽管不是他们计划中的最后一个。
2022-09-09 14:27:18954 ASIC设计服务暨IP研发销售厂商智原科技（Faraday Technology Corporation，TWSE：3035）今日宣布其支持三星14纳米LPP工艺的IP硅智财已在三星SAFE IP平台上架，提供三星晶圆厂客户采用。
2022-10-14 17:39:021955 和2022年度三星内存技术日上所承诺的，三星今日宣布，已开始量产三星产品中具有最高存储密度的1Tb（太字节）三比特单元（TLC）第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存储密度，可为全球企业系统提供容量更大、密度更高的存储解决方案。 三星电子第八代V-NAND，
2022-11-08 13:37:361624 -三星电子新款DRAM将于2023年开始量产，以优异的性能和更高的能效，推动下一代计算、数据中心和AI应用的发展 官方发布 2022年12月21日，三星电子宣布，已成功开发出其首款采用12纳米
2022-12-21 11:08:291205 款采用12纳米（nm）级工艺技术打造的16 Gb DDR5 DRAM，并与AMD一起完成了兼容性方面的产品评估。 三星电子首款12纳米级DDR5 DRAM 三星电子高级副总裁兼DRAM产品与技术负责人
2022-12-21 21:19:541342 
CV3-AD685是安霸CV3-AD汽车AI域控制器系列的首个量产型号，同时，多家一级（Tier-1）汽车供应商宣布他们将提供使用CV3-AD系列SoC的解决方案。三星第三代5纳米车规工艺，针对车规级半导体优化，凭借极其严格的工艺管控和先进知识产权（IP），拥有卓越的可靠性和可追溯性。
2023-03-01 11:05:471391 三星最新公布的制程工艺技术路线图显示，该公司计划在2025年开始量产2纳米级SF2工艺，以满足客户对高性能处理器的需求。此前，三星已于今年公布，其3纳米工艺已满足大规模生产的标准。
2023-06-29 16:26:332318 三星在会上表示，作为新一代汽车技术，正在首次开发5nm eMRAM。三星计划到2024年为止，用14纳米工程增加mbram产品有价证券组合，2年后升级为8纳米制程。
2023-10-23 09:57:221309 2025 年，三星预计将推出 SF2（2nm 级）制造工艺，该工艺不仅依赖 GAA 晶体管，还将采用背面功率传输，这在晶体管密度和功率传输方面带来了巨大的好处，
2023-11-01 12:34:141856 
10月19日，韩国三星电子在德国慕尼黑举办了名为「三星代工论坛2023」的活动。在这个活动上，三星电子以霸气十足的姿态公布了其芯片制造的先进工艺路线图和代工战略，宣称将在未来3年内量产2纳米
2023-11-01 15:07:53988 
三星去年6 月底量产第一代3 纳米GAA (SF3E) 制程，为三星首次采用全新GAA 架构晶体管技术，而第二代3 纳米制程3GAP(SF3) 将使用第二代MBCFET 架构，从第一代3 纳米SF3E基础上再最佳化，预期2024 年进入量产阶段。
2023-12-04 15:55:371251 新思科技（Synopsy）近日宣布，携手Ansys 、三星半导体晶圆代工（以下简称“三星”）共同开发了面向三星14LPU工艺的全新射频集成电路（RFIC）设计参考流程
2023-12-11 18:25:551456 据报道，韩国三星代工厂已经开始试制其第二代 3 纳米级别工艺技术的芯片，称为 SF3。这一发展标志着半导体行业的一个重要里程碑，因为三星与台积电竞争下一代先进工艺节点的量产主导权。韩国知名权威
2024-01-22 16:10:141629 
三星继续推进工艺技术的进步，近年来首次量产了基于2022年GAA技术的3nm MBCFET ™ 。GAA技术不仅能够大幅减小设备尺寸，降低供电电压，增强功率效率，同时也能增强驱动电流，进而实现更高的性能表现。
2024-02-22 09:36:011291 三星与高通的合作正在不断深化。高通计划采纳三星代工工厂的尖端全栅极（GAA）工艺技术，以优化和开发下一代ARM Cortex-X CPU。
2024-02-25 15:31:181650 近期，科技巨头三星半导体做出了一个引人注目的决策：将其“第二代3纳米”工艺正式更名为“2纳米”。
2024-03-06 13:42:141890 在全球半导体行业迈向更高精度和更小尺寸的征途上，三星与新思科技近日宣布了一项重要的合作。这一合作旨在确保三星的2nm制造工艺能够顺利实现量产，并在市场中占据领先地位。
2024-06-20 09:22:17964 概伦电子(股票代码：688206.SH)近日宣布其新一代大容量、高性能并行SPICE仿真器NanoSpice通过三星代工厂3/4nm工艺技术认证，满足双方共同客户对高精度、大容量和高性能的高端电路仿真需求。
2024-06-26 09:49:141378 据韩国媒体最新报道，三星电子在其第9代V-NAND闪存技术中实现了重大突破，首次在“金属布线”工艺中引入了钼（Mo）技术。这一创新标志着三星在半导体制造领域的又一次技术飞跃。
2024-07-04 09:23:501262 据外媒曝料称三星已量产第四代4nm芯片。报道中称三星自从2021年首次量产4nm芯片以来，每年都在改进技术。三星现在使用的是其最新的第四代4nm工艺节点（SF4X）进行大规模生产。第四代4nm工艺
2025-03-12 16:07:1713208
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