三星电子奋力赶超台积电，计划在2022 年量产 3 纳米芯片

11 月 19 日消息，据国外媒体报道，三星电子正在奋力赶超台积电，计划在 2022 年量产 3 纳米芯片。

三星电子高管 Park Jae-hong 最近在一次活动中表示，公司已定下目标，在 2022 年量产 3 纳米芯片。该高管透露，三星电子已在与主要合作方开发初步设计工具。

三星电子向其下一代芯片业务投入 1160 亿美元，其中包括为外部客户制造芯片。

三星电子领导人李在镕此前曾透露，该公司计划采用正在开发的最新 3 纳米全栅极 （gate-all-around，简称 GAA）工艺技术来制造尖端芯片，并提供给全球客户。

三星电子已开始大规模量产 5nm 芯片，并且正在研发 4nm 工艺。

在芯片代工业务领域，三星电子目前位列第二。排名第一的是台积电，去年市场占有率达 52%。

关于台积电和三星电子之间的竞争，台积电创始人张忠谋曾表示，三星电子是很厉害的对手，目前台积电暂时占优势，但台积电跟三星的战争绝对还没结束，台积电还没有赢。

责任编辑：PSY