三星2nm芯片最新消息
根据外媒的消息报道称，三星电子公司近日正式宣布已开始量产3纳米芯片，三星电子正押注于将 GAA 技术应用于3 纳米工艺，并且计划于2025年量产基于GAA的2nm芯片，以追赶台积电。
据了解，GAA 是下一代工艺技术，GAA 结构可以比 FinFET 工艺更精确地控制电流，相对于其5纳米芯片，初代3纳米芯片可减少45%的能耗，提升23%的性能并减少16%的面积，第一代3纳米工艺采用GAA晶体管技术，大幅提升了效能。
目前，三星电子公司已经成为全球首家量产3纳米芯片的半导体晶圆代工厂，3纳米全环绕栅极制程工艺节点已经开始量产首批芯片，这也意味着从现在到2025年这三年时间三星将独享此种技术工艺，力争在先进芯片制造领域赶超台积电。
本文综合整理自中关村在线 IT之家 比特网
审核编辑：彭静
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