三星开始批量生产6纳米芯片,缩小与台积电差距

据businessKorea报道，三星电子已开始批量生产基于极紫外（EUV）技术的6纳米芯片。

三星于去年4月向全球客户提供7纳米产品，自开始大规模生产7纳米产品以来，三星仅在八个月内就推出了6纳米产品。三星的微加工工艺技术升级周期正在缩短，特别是向6纳米EUV工艺的过渡有望缩小与全球第一大晶圆代工厂台积电（TSMC）的差距。

据介绍，三星电子去年12月在京畿道华城校区S3线开始批量生产基于EUV技术的6纳米芯片。三星合作伙伴公司的一位官员说：“据我所知，6纳米产品已经交付给北美的大型企业客户。”行业专家认为，三星的6纳米产品将提供给高通公司。

三星希望通过开始批量生产6纳米产品给台积电施加压力。全球市场研究公司TrendForce表示，去年第四季度，台积电的市场份额占全球晶圆代工市场的52.7％，与三星的差距扩大到17.8％。

三星未能赶超台积电的主要原因是三星在16纳米和12纳米工艺之后开发7纳米工艺的时间很晚。台积电通过其7纳米技术，垄断了苹果（最大的无晶圆厂客户）的AP供应。

此前，三星电子在2014年首次将14纳米鳍式场效应晶体管（FinFET）工艺商业化，但在7纳米工艺开发中却失去了领先台积电的优势。目前，7纳米产品在三星销售中所占的份额很小。为了克服这个问题，三星正在加紧努力以缩短 7nm以下微加工工艺的开发周期。

继大量生产6纳米产品之后，三星电子计划在今年上半年推出5纳米产品。此外，三星电子有在今年上半年采用正在研发中的最新3纳米全栅极（GAA）工艺技术来制造尖端芯片的计划。GAA被认为是当前FinFET技术的升级版，能确保芯片制造商进一步缩小芯片体积。