三星宣布已完成5纳米FinFET工艺技术开发

4月16日，三星官网发布新闻稿，宣布已经完成5纳米FinFET工艺技术开发，现已准备好向客户提供样品。

与7纳米工艺相比，三星的5纳米FinFET工艺技术提供了高达25%的逻辑面积效率提升。同时由于工艺改进，其功耗降低了20%、性能提高了10%，从而使芯片能够拥有更具创新性的标准单元架构。

跨越到5纳米工艺，除了在功率性能区域（PPA）的数据提高之外，客户还可以充分利用EUV（极紫外光刻）技术，推动产品接近性能极限。

除此之外，还可以将7纳米的相关知识产权重用到5纳米工艺上，使得客户从7纳米向5纳米过渡时可以大幅降低成本，缩短5纳米产品的开发周期。

三星表示，自2018年第四季度以来，三星5纳米产品就拥有了强大的设计基础设施，包括工艺设计工具、设计方法、电子设计自动化工具和IP。此外，三星晶圆厂已经开始向客户提供5纳米多项目晶圆服务。

2018年10月，三星宣布将首次生产7纳米制程芯片，这是三星首个采用EUV光刻技术的产品。目前，三星已于今年年初开始批量生产7纳米芯片。

除了7纳米与5纳米之外，三星还在与客户开发6纳米芯片，同样是一种基于EUV技术的芯片产品。