三星制程工艺时间节点更新,2025年2nm,2027年1.4nm 。
三星最新公布的制程工艺技术路线图显示,该公司计划在2025年开始量产2纳米级SF2工艺,以满足客户对高性能处理器的需求。此前,三星已于今年公布,其3纳米工艺已满足大规模生产的标准。
三星虽然公布了自家的 3 纳米制程工艺已经达到了可以批量生产的标准,但因为三星工艺在骁龙 888 和骁龙 8Gen1 两款芯片上的表现并不尽如人意。
尽管三星在4纳米和5纳米工艺上仍然有产量问题,但在3纳米工艺上却面临更大的良率问题,因此与Silicon Frontline Technology公司合作,改进晶圆厂前端工艺和芯片性能已成为他们的必需之举。
而与目前的4纳米和5纳米工艺相比,3纳米制程工艺在性能和能效比上有较大的提升,但三星3纳米解决方案制程自量产以来,良率不超过20%,这让它们陷入了瓶颈。
根据最新的技术路线图,三星计划在2025年推出2纳米级SF2工艺,2027年推出1.4纳米级SF1.4工艺。
编辑:黄飞
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
处理器
+关注
关注
68文章
18288浏览量
222167 -
制程工艺
+关注
关注
0文章
40浏览量
9379 -
2nm
+关注
关注
1文章
195浏览量
4357 -
三星
+关注
关注
0文章
1142浏览量
30185
发布评论请先 登录
相关推荐
三星3纳米良率不足60%
三星近年来在半导体制造领域持续投入,并力争在先进制程技术上取得突破。然而,据韩媒报道,三星在3纳米制程上的良率问题似乎仍未得到有效解决,这对其在市场上的竞争力构成了一定的挑战。 据百能
三星半导体将其“第二代3纳米”工艺正式更名为“2纳米”!
近期,科技巨头三星半导体做出了一个引人注目的决策:将其“第二代3纳米”工艺正式更名为“2纳米”。
台积电领跑半导体市场:2纳米制程领先行业,3纳米产能飙升
台积电预期,目前营收总额约 70% 是来自 16 纳米以下先进制程技术,随着 3 纳米和 2 纳米制程技术的贡献在未来几年渐增,比重将会继续增加,预估未来成熟
Samsung研发第二代3纳米工艺 SF3
据报道,韩国三星代工厂已经开始试制其第二代 3 纳米级别工艺技术的芯片,称为 SF3。这一发展标志着半导体行业的一个重要里程碑,因为三星与台积电竞争下一代先进
三星启动二代3纳米制程试制,瞄准60%良率
台积电是全球领先的半导体制造企业,也是三星的主要竞争对手。双方都在积极争取客户,并计划在上半年实现第二代3纳米GAA架构制程的大规模量产。
台积电全包!三星痛失高通明年3纳米订单
三星去年6 月底量产第一代3 纳米GAA (SF3E) 制程,为三星首次采用全新GAA 架构晶体管技术,而第二代3 纳米制程3GAP(SF3
三星1.4nm工艺有何不同之处?
英特尔和台积电都打算分别于 2024 年和 2025 年开始使用 GAA 晶体管及其 20A 和 N2(2 纳米级)工艺技术。当这些公司推出基于纳米片的
发表于 11-02 09:25
•96次阅读
MLCC龙头涨价;车厂砍单芯片;台积电28nm设备订单全部取消!
季度里,来自中国市场的营收将大幅增长。
【三星4nm良率接近台积电,开始提供MPW服务】
韩国业界指出,近期三星4nm
发表于 05-10 10:54
评论